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[发明专利]具有金属栅结构的Ga2-CN202111569085.1有效
发明人：张紫辉;刘祖品;楚春双;张勇辉 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明为一种具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。所述的探测器结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中部上覆盖有吸收层；吸收层上为金属层；或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中部上覆盖有吸收层；吸收层上表面和侧面均覆盖有第二绝缘层，第二绝缘层的上表面为金属层。本发明的暗电流量级为10‑15，低暗电流可以降低探测器的功耗，提高灵敏度，从而大大增强对信号的识别能力，并且工艺简单可靠，可重复性强，生产成本低，适于产业推广，可应用于紫外探测领域。
具有金属结构 ga base sub

[发明专利]能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法-CN202211705410.7在审
发明人：余黎静;唐利斌;田品;郝群;钟和甫;左文彬;雷晓虹;邓功荣;王静宇;黄俊博;冯江敏;袁俊;龚晓霞;施静梅 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该探测器包括衬底；ITO透明电极层，形成于所述衬底上；AZO功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于AZO功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，AZO功能层通过磁控的方法实现，PbS量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明探测器，通过小尺寸的PbS量子点与宽响应波段和高吸收率的Bi2Te3材料结合，所设计的ITO/AZO/PbS CQDs/Bi2Te3/Al的能带排列结构不仅为电荷分离/传输提供了便利，从而提高器件性能。
能级调控 pbs 量子光电探测器及其制备方法

[发明专利]宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法-CN202211705421.5在审
发明人：唐利斌;余黎静;田品;郝群;钟和甫;左文彬;苏润红;李志华;杨敏;马启;余连杰 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器包括：衬底；碲化铋（Bi2Te3），形成于衬底上，并进行快速退火处理；PbS胶体量子点，形成于碲化铋（Bi2Te3）上；Al电极，形成于PbS胶体量子点上。该光电探测器的制备方法中，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，并在快速退火炉中退火；PbS胶体量子点薄膜通过旋涂的方式成膜，并在旋涂过程中进行配体交换；Al电极用进行掩膜后，使用物理气相沉积(PVD)技术蒸镀。本发明中，PbS CQDs有强吸收的特点，Bi2Te3材料具有高迁移率、强吸收和宽波段响应的特点，利用两种材料的协同效应，在室温下就实现了可见‑中波的宽波段探测。
波段 pbs 量子光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种APD光电探测器-CN202223179197.9有效
发明人：阮鑫栋;刘超;周广正;蔡晓明;许燕丽;肖春平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种APD光电探测器，包括自下而上设置的衬底、P‑InP接触层、第一过渡层、第一i‑InGaAs吸收层、P‑InAlAs电荷调节层、i‑InAlAs倍增层、N型InAlAs层、第三过渡层、N‑InP接触层、第二i‑InGaAs吸收层、第二过渡层、N‑InP电荷调节层、InP倍增层、P型InP层和P‑InGaAs接触层；还包括N电极和P电极，N‑InP接触层与N电极电连接，P‑InGaAs接触层、P‑InP接触层分别与P电极电连接。本实用新型形成P‑i‑N‑i‑P双异质结双增益结构，可以提高APD光电探测器的增益带宽积。
一种 apd 光电探测器

[发明专利]一种雪崩二极管-CN202310151327.8在审
发明人：程志渊;褚衍盟;张哲宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种雪崩二极管，通过引入第三电极，对雪崩区和吸收区的电场的调控，可以增强或减弱吸收区或者雪崩区的电场。具体的，可以增强或者降低吸收区或者雪崩区的电场强度，从而增加光子的吸收效率或者电子的雪崩概率，提升雪崩二极管对光子的探测效率、降低暗电流。
一种雪崩二极管

[发明专利]一种近红外敏感硅光电倍增管及其制作工艺方法-CN202310460746.X在审
发明人：段洪峰;高小榕;颜晓舟 -专利权人：北京心灵方舟科技发展有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外敏感硅光电倍增管及其制作工艺方法，该近红外敏感硅光电倍增管包括：背电极，位于整个近红外敏感硅光电倍增管底层；外延硅片，外延硅片包括：衬底，位于背电极的表面，由低阻P型硅构成；外延层，位于衬底的表面，由外延高阻P型硅构成；一个或多个注入区，分布在外延层深处；N++掺杂区，通过在外延层表面浅注入磷原子形成；N++掺杂区浅刻蚀有光子晶体周期结构；增透膜，通过在外延层表面沉积介质膜形成；环状顶电极，形成一个闭环将所有注入区包围。该近红外敏感硅光电倍增管，将增强近红外吸收的光子晶体微纳结构引入SiPM表层的重掺杂区，能够增强对近红外光的吸收效率，提高近红外波段的光电转换效率。
一种红外敏感光电倍增管及其制作工艺方法

[发明专利]单光子雪崩光电二极管及其制备方法-CN202111414430.4在审
发明人：郭同辉 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种单光子雪崩光电二极管及其制备方法，光电二极管包括：半导体基底，深沟槽区，自半导体基底的第一主面延伸至半导体基体内部；阴极区，包括设置于半导体基底的第一主面的第一阴极部和设置于深沟槽区外周侧且沿深沟槽区延伸至半导体基底内部的第二阴极部；缓冲区，包括设置于第一阴极部的外周侧与下方的第一缓冲部和设置于第二阴极部外周侧的第二缓冲部，缓冲区与阴极区的接触区域形成雪崩区；阳极区，设置于半导体基体的上部；以及光电信号转换区，设置于半导体基体内部。本发明的单光子雪崩光电二极管具有低时间抖动的优点，采用本发明单光子雪崩光电二极管的飞行时间传感器探测具有较高的测距精度。
光子雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法-CN202310205107.9在审
发明人：洪荣墩;刘佳;付钊;李子豪;刘庚;姚亮;刘颖;张峰 -专利权人：厦门大学;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构，p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构，p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应，再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号，避免光生载流子复合问题，提高光生载流子收集效率，提高极紫外和深紫外波段信号探测效率，获得更高器件响应度。
紫外波段碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法-CN202211468520.6在审
发明人：陈冬琼;杨文运;龚晓霞;邓功荣;袁俊;岳彪;白兰艳;施静梅;杨玲;太云见;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、缓冲层、n型电极接触层、n型空穴阻挡层、吸收层、p型电子阻挡层和p型电极接触层。所述方法为分子术外延法，在真空度10‑10Torr量级以上的分子束外延设备中进行。本发明通过采用pBiBn结构并对其中的材料进行设计，结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料结构，具有3～4.2μm波长，操作性强，还以借鉴成熟InSb和InGaAs等器件工艺，为后续制备出高性能近室温3～4.2μm响应波长InAsSb器件创造很好的条件。
一种 inassb al in assb 异质结红外探测器材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110559989.X有效
发明人：陈飞 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括相对设置的顶面与底面；离子掺杂环，所述离子掺杂环自所述衬底的顶面向所述衬底的底面设置；至少两个导电类型不同且层层包围的掺杂层，形成于所述衬底中，所述离子掺杂环环绕于所述掺杂层的外围且与所述掺杂层的外围间隔预定距离，位于最外层的所述掺杂层与所述离子掺杂环的导电类型不同。本发明的技术方案能够在提升半导体器件的量子效率的同时，还能有效控制暗计数。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多厚度电荷薄层的雪崩光检测器-CN202211265749.X在审
发明人：阿西夫·乔杜里;卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及具有多厚度电荷薄层的雪崩光检测器，提供用于雪崩光检测器的结构以及形成用于雪崩光检测器的结构的方法。该结构包括具有第一部分及第二部分的第一半导体层，以及与该第一半导体层沿垂直方向堆叠的第二半导体层。该第一半导体层的该第一部分定义该雪崩光检测器的倍增区，且该第二半导体层定义该雪崩光检测器的吸收区。该结构还包括位于该第一半导体层的该第二部分中的电荷薄层。该电荷薄层具有随着在水平平面中的位置变化的厚度，且该电荷薄层在该第二半导体层与该第一半导体层的该第一部分间沿该垂直方向设置。
具有厚度电荷薄层雪崩检测器

[发明专利]一种多色探测器及制备方法-CN202310064034.6在审
发明人：孙晓娟;贾玉萍;黎大兵;蒋科;刘明睿;吕顺鹏;石芝铭;臧行;陈洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请提供的多色探测器及制备方法，包括：导电衬底、置于导电衬底上表面的宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层、置于宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上表面的可见‑红外吸收层、置于可见‑红外吸收层上的透明电极及置于导电衬底下表面的底电极层，本申请提供的多色探测器，将宽禁带半导体的载流子雪崩性能与二维材料的可见和红外吸收相结合，利用二维材料作为吸收层，再通过外电场使得在二维材料中产生的光生载流子输运到宽禁带半导体中，实现倍增，获得高响应度可见‑红外探测；且在一个探测单元通过宽禁带半导体自身的雪崩倍增效应实现紫外倍增探测，利用二维材料结合宽禁带半导体倍增效应实现可见‑红外倍增探测，得到高性能多色探测器。
一种多色探测器制备方法

[发明专利]一种带隙递变半导体薄膜颜色感知器件及其制备方法-CN202211680390.2在审
发明人：吴小晗;黄春明 -专利权人：复旦大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明属于半导体光探测器技术领域，具体为一种基于带隙递变半导体薄膜的颜色感知器件及其制备方法。本发明颜色感知器件包括两个分立器件，输出两个信号；器件1使用带隙递变半导体薄膜作为光敏层，输出信号与光信号的光子能量和光通量有关；器件2使用较窄带隙半导体薄膜作为光敏层，输出信号仅与光信号的光通量有关；结合两个信号，得到光信号的平均光子能量即平均波长，实现颜色感知。本发明可缩减制备流程与成本；通过改变光敏层中半导体元素比例，进行带隙递变半导体薄膜制备，实现较宽波长范围的光信号响应；利用原子层沉积精细控制特性对递变梯度进行调制，实现更精细的颜色分辨。本发器件可用于光探测、智能传感以及物联网等领域。
一种递变半导体薄膜颜色感知器件及其制备方法

[发明专利]应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器-CN202211690835.5在审
发明人：徐晨;胡良臣;解意洋;邓军;钱峰松 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了应用相变材料直接生长石墨烯的肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、半导体材料、介质层、相变材料薄膜、石墨烯薄膜、上金属电极。采用相变材料催化生长石墨烯的方法避免了后续的光刻、腐蚀等工艺对石墨烯造成的沾污与破损。由于相变材料在低温下的绝缘性，不需要去除催化牺牲层且图形化精细度高，器件制备效率高，具有重要的应用价值，适合于未来石墨烯肖特基结探测器的大规模产业化制备。
应用相变材料直接生长石墨肖特基结探测器

[发明专利]平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法-CN202310027684.3在审
发明人：李雪;邵秀梅;李淘;杨波 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法。探测器的结构设计为：在线列探测器上设置一个异形保护环，保护环扩散孔为“梳形”或“弓形”，环绕在每个矩形光敏元的三个侧边，保护环P区与器件N区通过延伸电极合并引出。其实现方法是在N‑InP/I‑InGaAs/N‑InP结构外延材料上，通过光刻、刻蚀同步获得光敏元扩散孔、保护环扩散孔，同步进行P型掺杂，延伸电极覆盖保护环的P电极孔与器件N电极槽，保护环在光照下产生的光生载流子通过延伸电极导出。本发明的优点是：该结构既具备平面型探测器暗电流低、占空比高、探测率高、可靠性高等优点，又通过保护环有效抑制了由于载流子横向扩散造成的光敏元扩大、相邻光敏元之间存在串扰的问题。
平面型铟镓砷线列探测器异形保护环结构实现方法