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[发明专利]一种闹钟的响铃调整方法、装置及终端-CN201610657466.8有效
发明人：马志峰 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种闹钟的响铃调整方法、装置及终端，涉及电子产品技术领域，其中，该方法包括：接收用户输入的与闹钟的原始响铃时间对应的目标响铃时间以及调整递变因子；其中，所述调整递变因子包括单日递变时间、递变天数或者递变周期关联信息，所述递变周期关联信息包括递变周期以及与递变周期对应的递变时间；根据所述原始响铃时间、所述目标响铃时间以及所述调整递变因子，确定递变调整区间内每一次的闹钟响铃时间，其中，所述递变调整区间由所述递变因子确定
一种闹钟响铃调整方法装置终端

[发明专利]包括递变区域的半导体发光器件-CN201510975027.7有效
发明人： P.N.格里洛特;R.I.阿尔达茨;E.I.陈;S.萨利姆 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：一个或多个递变组份的区域被包括在III‑P发光器件中以减小与器件中的界面关联的Vf。递变区域布置在p型区域和GaP窗口层之间。铝组份在递变区域中是递变的。递变区域可具有至少150nm的厚度。在一些实施例中，除了p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份还在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的，或者替代p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的
包括递变区域半导体发光器件

[发明专利]包括递变区域的半导体发光器件-CN200980122644.5无效
发明人： P.N.格里洛特;R.I.阿尔达茨;E.I.陈;S.萨利姆 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一个或多个递变组份的区域被包括在III-P发光器件中以减小与器件中的界面关联的Vf。根据本发明的实施例，半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的III-P发光层。递变区域布置在p型区域和GaP窗口层之间。铝组份在递变区域中是递变的。递变区域可具有至少150nm的厚度。在一些实施例中，除了p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份还在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的，或者替代p型区域和GaP窗口层之间的递变区域，铝组份在布置在蚀刻停止层和n型区域之间的递变区域中是递变的
包括递变区域半导体发光器件

[实用新型]一种快装式减振器光电信号递变器-CN201720670820.0有效
发明人：舒展;刘凯;周丽丽 -专利权人：淅川森丽汽减有限公司
申请日： 2017-06-11 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快装式减振器光电信号递变器，包括安装盒和递变器本体，所述递变器本体的两端固定连接有固定条，所述递变器本体通过固定条可拆卸连接于安装盒内部，所述递变器本体上固定连接有电极，所述电极与安装盒内底部的导电插片活动插接本实用新型安装方便，固定牢靠，导电性能稳定，避免了传统递变器安装时反复接线的困扰，提高了递变器的安装拆卸效率。
一种快装式减振器光电信号递变

[发明专利]940nm窄带滤光片及其递变膜系设计方法-CN201810049492.1在审
发明人：陈刚 -专利权人：无锡奥芬光电科技有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种940nm窄带滤光片及其设计方法，包括基板、第一递变膜堆和第二递变膜堆，第一递变膜堆沉积在基板上表面，第二递变膜堆设置于第一递变膜堆上表面，膜系结构为：Sub│(α1Hβ1Lα2Hβ2L…αnHβnL)(i1Hk1Li2Hk2L…inHknL)│Air；第一递变膜堆和第二递变膜堆中高折射率材料膜层光学厚度系数形成的曲线与低折射率材料膜层的光学厚度系数形成的曲线分别为正弦曲线中的0～π/2、π/2～π、π～3π/2或3π/2～2π数值区间内的波形，两条曲线递变趋势相反。
膜堆窄带滤光片光学厚度系数低折射率材料膜层高折射率材料膜层基板上表面真空蒸镀法膜系结构数值区间折射率膜正弦曲线中心波长低成本矩形度滤光片上表面上升沿下降沿透射光谱基板膜系窄带沉积制备陡峭通用

[发明专利]用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法-CN201010290302.9有效
发明人：顾溢;张永刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-09-25 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法，其特征在于：采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构，n为自然数，2≤x≤10；制备方法包括：在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后，生长能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构。本发明的能带递变倍增区结构可以从本质上提高电子与空穴电离率差，无需外加很高的偏压，从而有利于降低器件的过剩噪声。
用于雪崩光电二极管能带递变倍增结构及其制备方法

[发明专利]一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法-CN201811417502.9在审
发明人：万智;徐培强;林晓珊;张银桥;汪洋;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，由于顶电池和中电池与衬底Ge晶格不匹配，需要一定厚度组分渐变的缓冲层来消除失配引起的应力。本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，它是将中电池基区层组分递变，即：本发明将空间GaInP/InGaAs/Ge失配电池的中电池的p‑GaInAs基区层分为五个组分递变的递变层，递变层之间沉积组分缓变的过渡层
失配电池缓冲层外延片基区制备递变层基区层光电转化效率组分变化组分渐变顶电池过渡层沉积衬底缓变晶格位错匹配复合生长优化

[发明专利]利用递变芯部构件的铸造-CN201710112150.5在审
发明人： R.S.班克;D.G.科尼策尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： B22C9/10 文献下载
摘要：本公开大体上涉及熔模铸造模具，其包括铸造芯部，该铸造芯部包括至少一个递变芯部构件，递变芯部构件包括第一芯部材料与第二芯部材料之间的至少一个递变过渡。
利用递变构件铸造

[实用新型]一种渐变色涤纶色丝-CN201820068800.0有效
发明人：吴双龙 -专利权人：福建益明纺织有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： D02G3/34 文献下载
摘要：该种渐变色涤纶色丝，由涤纶丝与吸附因子构成，涤纶丝由多条涤纶纤维捻合而成，吸附因子附着于涤纶纤维上，浓度随着颜色加深而递变形成递变周期，递变周期为5～10米。本实用新型通过在涤纶丝上附着不同浓度的吸附因子，可以控制在相同的染色时间里，不同部位的涤纶丝着色不同，通过控制吸附因子浓度的规律递变，可以控制着色深度的递变，从而一次染色即可完成渐变色着色，且不受染色部位和时间误差的影响
涤纶丝渐变色吸附涤纶色丝着色本实用新型涤纶纤维染色附着纺织品领域染色部位时间误差颜色加深捻合

[发明专利]逆向递变热塑性弹性体-CN202110325701.2有效
发明人： S·A·莫特尤玛艾斯泼柯埃托;J·A·麦克西卡诺加西亚;M·E·铁拉布兰卡;G·赫尔南德兹萨莫拉;A·C·埃斯基维尔德拉加尔萨 -专利权人：戴纳索尔伊莱斯托米罗斯公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C08L95/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种逆向递变热塑性弹性体组合物，所述逆向递变热塑性弹性体组合物包含：(a)峰值分子量为20,000至250,000的逆向递变二嵌段A‑[A/B]共聚物，其包括峰值分子量为至少8,000的单乙烯基芳族均聚物嵌段A，和基于所述二嵌段共聚物中共轭二烯单元的量，乙烯基含量为至少15重量％的逆向递变共聚物嵌段[A/B]；和(b)嵌段共聚物，其选自以下组：峰值分子量为(a)中所述的逆向递变二嵌段A‑[A/B]共聚物的峰值分子量的至少约1.5倍的线性三嵌段共聚物、峰值分子量为(a)中所述的逆向递变二嵌段A‑[A/B]共聚物的峰值分子量的至少约2.5倍的多臂偶联嵌段共聚物及其混合物；和(c)其中所述逆向递变热塑性弹性体组合物中(a)与(
逆向递变塑性弹性体

[发明专利]一种曲流河砂岩储层规模预测方法-CN202011460495.8在审
发明人：蒙晓灵;兰义飞;杨勇;刘海锋;王金成;王准备 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提供一种曲流河砂岩储层规模预测方法，包括以下步骤：S001：对曲流河区域内各个钻井进行选取和采样，统计各个钻井之间的间距和钻井遇砂体厚度；S002：依据自西向东依次计算相邻两个钻井的砂体递变率，并对该值进行分析，当砂体厚度增厚，砂体递变率为正值，可反映曲流河凹岸沉积，当砂体厚度减薄，砂体递变率为负值，可反映曲流河凸岸沉积；S003：通过各个钻井的砂体递变率判断出曲流河凹岸砂体递变率和曲流河凸岸砂体递变率；S004
一种曲流砂岩规模预测方法

[发明专利]一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池-CN201810429080.0有效
发明人：张希威;孟丹;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池。其包括衬底层、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜的一侧设有L型金属金电极，另一侧设有L型金属钛电极。层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜包括N层CdxZn1‑xTe/CdS核壳结构纳米线，相邻层CdxZn1‑xTe/CdS核壳结构纳米线从下至上组分递变且它们之间设有透明介电层。本发明所涉及层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池，能够实现高能量光子被上层材料吸收，低能量光子被下层材料吸收，提高了纳米线水平阵列太阳光利用率。
一种组分递变交叉排布堆叠纳米薄膜太阳能电池

[发明专利]一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池-CN201810429131.X有效
发明人：张希威;孟丹;于中瑞 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池。其包括衬底层、层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜的一端设有金属钛电极，另端设有金属金电极。层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜包括N层CdxZn1‑xSe/ZnO核壳结构纳米线，相邻层CdxZn1‑xSe/ZnO核壳结构纳米线从下至上组分递变且它们之间设有透明介电层。本发明所涉及的层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池，能够实现高能量光子被上层材料吸收，低能量光子被下层材料吸收，提高了纳米线水平阵列太阳光利用率。
一种组分递变水平排布堆叠纳米薄膜柔性太阳能电池

[实用新型]一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池-CN201820674261.5有效
发明人：张希威;孟丹;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池。其包括衬底层、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜的一侧设有L型金属金电极，另一侧设有L型金属钛电极。层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜包括N层Cd_xZn_1‑xTe/CdS核壳结构纳米线，相邻层Cd_xZn_1‑xTe/CdS核壳结构纳米线从下至上组分递变且它们之间设有透明介电层。本实用新型所涉及的层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜太阳能电池，能够实现高能量光子被上层材料吸收，低能量光子被下层材料吸收，提高了纳米线水平阵列太阳光利用率。
纳米线薄膜交叉排布层堆叠层间太阳能电池纳米线本实用新型核壳结构种层太阳光利用率低能量光子高能量光子金属钛电极透明介电层上层材料水平阵列下层材料电极衬底层金属金相邻层吸收

[实用新型]一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池-CN201820674262.X有效
发明人：张希威;孟丹;于中瑞;彭盼盼;李祎;陈佳丽;王凯;李旺辉;徐同帅 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池。其包括衬底层、层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜、层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜的一端设有金属钛电极，另端设有金属金电极。层间组分递变的交叉排布层堆叠纳米线薄膜包括N层Cd_xZn_1‑xSe/ZnO核壳结构纳米线，相邻层Cd_xZn_1‑xSe/ZnO核壳结构纳米线从下至上组分递变且它们之间设有透明介电层。本实用新型所涉及的层间组分递变的水平排布层堆叠纳米线薄膜柔性太阳能电池，能够实现高能量光子被上层材料吸收，低能量光子被下层材料吸收，提高了纳米线水平阵列太阳光利用率。
纳米线薄膜层堆叠水平排布层间柔性太阳能电池纳米线本实用新型核壳结构交叉排布种层太阳光利用率低能量光子高能量光子金属钛电极透明介电层上层材料水平阵列下层材料电极衬底层金属金相邻层另端吸收

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