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[发明专利]一种基于InAs/InAsSb II类超晶格材料的势垒型短中波双色红外探测器-CN202211216724.0在审
发明人：谢莉莉;谢圣文;柴瑞青;韩立镪;姚瑶;戴立群;张旭;潘卫军;张芮萌;陈瑞明 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：一种基于InAs/InAsSb II类超晶格材料的势垒型短中波双色红外探测器，包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、外延薄膜、上电极、下电极、钝化层，外延薄膜包括下接触层、短波红外吸收层、中波红外吸收层、势垒层、上接触层，能够解决现有双色红外探测器暗电流高、探测性能低的问题，通过将InAs/InAsSb超晶格与本发明的能带结构结合起来，可实现低暗电流、高探测率的双色红外探测。
一种基于 inas inassb ii 晶格材料势垒型短中波红外探测器

[发明专利]基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法-CN202211400883.6在审
发明人：刘斌;丁宇;庄喆 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。
基于 mxene alingan 异质结驱动紫外光探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于量子点的近红外光电晶体管及其制备方法-CN202110847362.4在审
发明人：李金华;方明清;屈钧娥;王海人 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于量子点的近红外光电晶体管，其结构包括包ZnO薄膜作为导电沟道材料、覆盖在ZnO‑电极层表面的PbSe量子点作为吸光层。本发明将配体为油酸的硒化铅量子点和氧化锌结合起来，利用氧化锌优良的开关比和高的迁移率，硒化铅量子点近红外光灵敏的响应特性，制备得到了具有高响应率的近红外光电晶体管。在895nm的近红外光下，沟道电压为8V时，响应率可达到912mA/W。本发明的光电晶体管在近红外波段具有优异的光响应，可广泛应用于光电探测领域。
一种基于量子红外光电晶体管及其制备方法

[发明专利]光电探测器及其制作方法-CN202211327506.4在审
发明人：黄宏娟;赵德胜;张宝顺;陆书龙;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：提供了一种光电探测器，其包括：芯片部和基板部，所述芯片部和所述基板部键合组装在一起，以使所述芯片部的组件一侧面对所述基板部的组件一侧，所述芯片部的背向所述基板部的一侧为入光侧，所述芯片部的芯片电极位于所述芯片部的吸收层和所述基板部之间。还提供了一种该光电探测器的制作方法。本发明的光电探测器及其制作方法，将芯片部作为光入射一侧，从而入射的光直接照射到吸收层上，增大了吸收层的吸光面积，进而提高了光电探测器的响应度。
光电探测器及其制作方法

[发明专利]光电探测芯片制作方法-CN202011553853.X有效
发明人：邹颜;杨彦伟;刘宏亮;张续朋 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电芯片制作方法，包括：在基片正面的标记区域内形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述基片光吸收层的厚度；在所述基片的外延层表面淀积钝化膜；在所述钝化膜上形成扩散区；在所述扩散区进行扩散工艺；在所述基片表面生长增透膜；在所述扩散区内的增透膜上形成电极引线孔；在所述基片的表面淀积金属膜；在所述基片钝化膜上形成电极以及在所述凹槽内形成背面对位标记，所述电极连接所述电极引线孔；将所述基片背面进行减薄至所需厚度，以及对所述基片背面进行抛光；根据所述基片正面标记区域内的背面对位标记进行背面对准；在所述基片的背面进行背面光刻工艺。本发明工艺流程简单，背面对准精度高。
光电探测芯片制作方法

[发明专利]一种碳化硅基全谱响应光电探测器及其制备方法-CN202110270328.5有效
发明人：崔艳霞;樊亚萍;严贤雍;李国辉;田媛 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种碳化硅基紫外‑可见‑近红外全谱响应光电探测器及其制备方法。光电探测器包含碳化硅基底，以及位于其上方的金属对电极和表面等离激元纳米结构，其中碳化硅基底与金属对电极构成了电极共面形式的金属‑半导体‑金属型光电探测器。紫外光入射时，碳化硅中直接产生自由载流子被外电路收集产生电信号，可见光入射时，表面等离激元纳米结构中产生的热载流子隧穿进入碳化硅半导体成为自由载流子从而产生电信号。本发明提供的碳化硅基光电探测器克服了现有碳化硅光电探测器只能响应紫外光的限制，实现了同时对紫外光、可见光以及近红外光的全谱探测。
一种碳化硅基全谱响应光电探测器及其制备方法

[发明专利]侧面进光式背光监测光电探测器及其制作方法-CN202111338482.8有效
发明人：余沛;王权兵;徐之韬;王丹 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开一种侧面进光式背光监测光电探测器及其制作方法，涉及光电芯片制造加工技术领域，结构包括：外延结构以及形成于外延结构上的欧姆合金接触层；外延结构从下至上依次包括：N型掺杂的InP衬底、形成于InP衬底上的N型InP层、形成于N型InP层上的InGaAs吸收层、形成于InGaAs吸收层上的InP过渡层、形成于InP过渡层上的InGaAs接触层、形成于InP过渡层上，并围绕InGaAs接触层设置的掺杂区以及P电极窗口，其中，掺杂区为Zn掺杂；欧姆合金接触层为AuGe‑Ni‑Au合金层，形成于InP过渡层上，用于将N型杂质Ge通过N电极窗口注入InP过渡层中，得到N型重掺杂的InP过渡层。
侧面进光式背光监测光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法-CN201910920024.1有效
发明人：高芳亮;张柏林;李述体;刘青;罗幸君;孙一鸣;施江 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的制备方法包括清洗钛片、电化学腐蚀钛片预处理、生长p型GaN纳米阵列、电化学腐蚀制备TiO2和蒸镀电极，该紫外探测器具有较高比容的GaN和TiO2，生成异质结电场，可实现对光生电子/空穴的快速分离。本发明得到的紫外探测器具有较高的暗光电流比，同时具有自驱动和高响应速度等特点。
一种紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法-CN202211374999.7在审
发明人：齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，探测器包括：导电衬底；氧化镓薄膜，设置在导电衬底一表面上，氧化镓薄膜远离导电衬底的一侧设置有凹槽；氧化镓纳米线阵列，设置在凹槽中；二维材料层，覆盖在氧化镓纳米线阵列及氧化镓薄膜上，并与氧化镓纳米线阵列形成异质结结构；阴极，设置在导电衬底远离所述氧化镓薄膜的一侧；阳极，设置在二维材料层远离氧化镓纳米线阵列的一侧。本发明通过异质结形成的内建电场与氧化镓纳米线阵列压电效应产生的压电势构建的内建电场相叠加，加快载流子分离和迁移，降低载流子的复合率，大幅提高探测器在日盲紫外光照下的电流，提高探测器的响应度和响应速度，提高探测器的光电探测性能。
一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于硫化镉纳米线阵列/溴铅铯量子点异质结的钙钛矿光电探测器-CN202211334839.X在审
发明人：李国华;侯蕊;黄辉;夏超;李晨曦;周祥;陶金龙;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硫化镉纳米线阵列/溴铅铯量子点异质结的钙钛矿光电探测器，其是以镉片为基底，在镉片上生长有作为电子传输层的CdS纳米线阵列，在CdS纳米线阵列上设置有作为光吸收体的CsPbBr3量子点。本发明的光电探测器采用了一种较新的电子传输层材料—CdS纳米线阵列，并且该探测器具有制作方法简易、光电性能优异等优点。
一种基于硫化纳米阵列溴铅铯量子点异质结钙钛矿光电探测器

[发明专利]一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2-CN202211335276.6在审
发明人：李国华;黄辉;侯蕊;夏超;李晨曦;周祥;陶金龙;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法，该探测器是利用多层WSe2薄膜实现光探测的双端器件，且多层WSe2薄膜通过氢氩混合等离子体进行处理，以减薄WSe2薄膜的层数、并修复多层WSe2晶体的本征缺陷。本发明的光电探测器兼顾高探测率、快响应速度以及低暗电流等优势，具有超高的探测灵敏度，且可用于探测微弱的光信号。
一种基于混合等离子体温和处理多层 wse base sub

[发明专利]一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法-CN202211338089.3在审
发明人：王乾圣;胡晓;张红广;陈代高;王磊;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本申请涉及一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法，其包括铌酸锂双脊波导、硅晶体层、P型掺杂区和N型掺杂区，铌酸锂双脊波导包括两个间隔设置的脊部，硅晶体层设于两个所述脊部之间，P型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于其中一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述P型掺杂区与所述硅晶体层接触，N型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于另外一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述N型掺杂区与所述硅晶体层接触。本申请为可见光通信提供了新的光电探测器类型，使得铌酸锂波导的光电探测器在可见光通信中成为可能。
一种可见光波段铌酸锂波导光电探测器制备方法

[发明专利]一种半金属纳米颗粒修饰的二维材料光电探测器-CN202211350749.X在审
发明人：肖少庆;吴倩倩;王成林;付泉桂;南海燕;蔡正阳;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半金属纳米颗粒修饰的二维材料光电探测器，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：利用多孔阳级氧化铝(AAO)构筑MO3(M代表Mo、W)纳米颗粒结构阵列，再用氢气等离子体将MO3纳米颗粒转变成MOx(x3)半金属纳米颗粒，将半金属颗粒与二维材料结合制备光电探测器。与金属纳米颗粒相比，半金属纳米颗粒的等离激元效应可随掺杂在浓度达到中红外波段，而金属纳米颗粒的等离激元效应主要几种在可见光波段，所以半金属等离激元材料在开发高性能红外探测方面具有很大潜力。且该方法在常温实现，颗粒掺杂浓度可控，形状规则且均匀分布，操作简单，可控性强，实用性较强。
一种金属纳米颗粒修饰二维材料光电探测器

[发明专利]半导体光检测元件-CN202180039548.5在审
发明人：塚田祥贺;笠森浩平;广瀬真树;藁科祯久 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明的光检测元件(10)具备：半导体基板(16)，其具有被检测光入射的主面(16a)、及背对主面(16a)的背面(16b)，在主面(16a)侧具有产生与被检测光的光强度相应的量的电荷的一个或多个光检测区域(11)；及光吸收膜(13)，其设置于半导体基板(16)的背面(16b)上。光吸收膜(13)包含：金属层即反射层(133)、设置于反射层(133)与半导体基板(16)之间的谐振层(132)、及设置于谐振层(132)与半导体基板(16)之间的光吸收层(131)。在被检测光的波长、及光检测区域(11)中所产生的自发光的波长中的至少一者，谐振层(132)的内部的透光率大于光吸收层(131)的内部的透光率，反射层(133)的表面的光反射率大于谐振层(132)的表面的光反射率。由此，实现一种可减少半导体基板的背面的光的反射的半导体光检测元件。
半导体检测元件

[发明专利]光电转换装置-CN201880057707.2有效
发明人：吉河训太 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种用于检测入射光的光点尺寸的光电转换装置。光电转换装置(1)具备：光电转换元件(20)，包括具备两个主面的光电转换基板，并包括第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)；和扫描部(60、70)，针对光电转换元件(20)的主面相对地进行入射光扫描，若将第1灵敏度部分(21)的显露在主面的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的显露在主面的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则对于第1灵敏度区域而言，在由扫描部(60、70)进行扫描时，接收向主面入射的入射光的至少一部分，成为随着主面中的被照射入射光的照射区域的增大而减小照射区域中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率的图案。
光电转换装置