[实用新型]一种光伏组件下料分挡装置有效

申请号：	202121532457.9	申请日：	2021-07-07
公开（公告）号：	CN215070008U	公开（公告）日：	2021-12-07
发明（设计）人：	刘慧勇	申请（专利权）人：	苏州联创智慧能源科技有限公司
主分类号：	H01L31/118	分类号：	H01L31/118;H01L21/677
代理公司：	南京中高专利代理有限公司 32333	代理人：	刘相宇
地址：	215316 江苏省苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本实用新型公开一种光伏组件下料分挡装置，包括支撑组件，包括呈水平设置的横向支架以及连接于横向支架上两侧中部的竖向支架；分挡组件，包括转动连接于竖向支架内侧上中部的套环以及连接于套环前端中央位置的分挡板。本实用新型通过设置分挡组件和安装组件的结构，解决了现有的光伏组件在进行生产过程中的下料时，一般通过人工进行分挡处理，效率低，耗时耗力，或用于光伏罪组件下料的分挡装置在输送机上的安装方便，满足不了使用需求的问题，具有便于进行该装置的结构安装固定，提高光伏组件下料分挡效率的优点。
搜索关键词：	一种组件下料分挡装置
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摘要：本发明公开了一种碳化硅探测二极管及制作方法，具体实现方法包括两种方案：方案一：在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，通过高温退火完成注入杂质激活，制作二极管阳极和阴极；方案二：在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型层生长，在第二掺杂类型层上进行第二类型掺杂区注入，在器件边缘通过碳化硅刻蚀形成台阶，制作二极管阳极和阴极。本发明通过改善器件有源区部分注入及金属化结构使得表面全部耗尽成为探测灵敏区，减小死区或消除表面探测死区。

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摘要：本实用新型公开了一种核辐射探测器。其中，核辐射探测器包括：高阻半导体层，具有上部表面和下部表面；位于高阻半导体层的上部表面的P型浅注入区；位于高阻半导体层的上部表面的P型深注入区；以及位于高阻半导体层的下部表面的N型注入区和N型电极层，其中，P型浅注入区在器件的中部，P型深注入区在P型浅注入区外部包围一圈；位于P型浅注入区上方的可见光吸收层；以可见光吸收层为中心，外围依次包围着场板层、钝化层、场限环层、钝化层；其中场限环层在P型深注入区上方；其中N型电极层在N型注入区下面。该核辐射探测器接收核辐射并产生感测电信号。该核辐射探测器可以实现高探测效率，进而实现高灵敏度。

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摘要：本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。

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摘要：本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于GaN基底的两侧表面上。由于本发明使用的GaN材料具有宽禁带宽度、高电阻率、大原子序数、强共价键结合、高熔点、高击穿电场、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，制备的室温核辐射探测器具有良好的室温灵敏度、探测效率和稳定性，更适用于强辐射场的探测领域。同时，本发明的制造工艺简单，成本低廉，适于工业化推广。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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