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[发明专利]碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法-CN202310910581.1在审
发明人：何温;郝斐;喻松林;赵超;王鑫;杨海燕;柏伟;折伟林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞平面pn结红外探测器半导体器件及其制备方法，碲镉汞半导体器件包括：衬底层、器件下层、过渡层和器件上层，器件下层生长于衬底层，过渡层生长于器件下层，器件上层生长于过渡层；其中，器件下层和器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值相同，过渡层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值大于器件下层、器件上层的碲镉汞Hg1‑xCdxTe中的组分x值。本发明可以在相邻的n层和过渡层i层、过渡层i层和p层间形成两个空间电荷区，增加了原来空间电荷区宽度，在光照条件下可以产生更多的电子‑空穴对，并在内建电场的作用下被电极有效的收集。同时，过渡层i层形成的势垒区可以有效减小暗电流，从而提高了器件性能。
碲镉汞平面 pn 红外探测器半导体器件及其制备方法

[发明专利]多谱段红外探测器组件及其光学工程化设计方法-CN202310775424.4在审
发明人：张璐;喻松林;李冬冰;付志凯 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多谱段红外探测器组件及其光学工程化设计方法，所述方法包括：根据设计参数在建模软件中模拟探测器光敏面、冷屏，根据加工参数和安装高度限定模拟多谱段滤光片，并模拟光线；确定冷屏左右开口边缘光线到不同谱段像元左右边缘的光线交点；判断光线交点是否位于多谱段滤光片模拟件的上表面的上方，以及光线交点下方两条光线在距该光线交点距离为拼缝宽度时左右方向的距离是否大于等于拼缝宽度，若是，确定设计方案、制备多谱段红外探测器组件，否则，重新设计模拟探测器光敏面和冷屏。本发明提供了一种根据建模法生成的科学计算法，既考虑实际加工可行性、又考虑加工成本以及工艺可实现性的多谱段滤光片的设计思路。
多谱段红外探测器组件及其光学工程设计方法

[发明专利]一种面向分布式光电的图像拼接方法及装置-CN202310529250.3在审
发明人：刘彤;宋嘉乐;赵鹏飞;杨德振;喻松林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本发明提出了面向分布式光电的图像拼接方法及装置，方法包括：获取分布式图像数据，其中，分布式图像数据是利用至少两个图像获取装置分别从不同位置条件下获取到的待拼接区域图像；对分布式图像数据进行图像预处理；对当前图像进行特征点提取，并对错误匹配特征点对做剔除；对当前图像进行捆绑调整，将全局捆绑调整与回路检测法相结合，通过比较最小回路生成的变换关系与连接边变换关系的误差，以消除累积误差；采用融合算法对当前拼接后的图像进行融合处理，以完成对分布式图像数据的拼接。本发明相较于传统方法，满足拼接实时性要求，消除模糊重影，减少投影失真，提高了运行效率。
一种面向分布式光电图像拼接方法装置

[发明专利]微杜瓦结构封装超大面阵红外探测器芯片的电学引出装置-CN202310784311.0在审
发明人：方志浩;付志凯;喻松林;王冠;张磊;孟令伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微杜瓦结构封装超大面阵红外探测器芯片的电学引出装置。微杜瓦结构封装超大面阵红外探测器芯片的电学引出装置包括：组件框架，设于冷屏内，超大面阵红外探测器芯片贴装于组件框架，组件框架用于将超大面阵红外探测器芯片的电信号引出；过渡框架，设于多层金属陶瓷堆叠结构件上，过渡框架与组件框架通过一级外引线键合连接；引线模块，设于冷屏外的冷指外壳，引线模块与过渡框架通过穿设于冷屏开窗的二级外引线键合连接；遮光罩，设于冷屏外，用于遮挡冷屏的开窗。本发明充分保障了微杜瓦封装超大面阵探测器长期稳定工作，有效保证了探测器的真实成像。
微杜瓦结构封装大面红外探测器芯片电学引出装置

[发明专利]超大像元面积制冷型红外焦平面读出电路的设计方法-CN202310428726.4在审
发明人：袁媛;喻松林;杨斯博;岳冬青 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请公开了一种超大像元面积制冷型红外焦平面读出电路的设计方法，包括：将红外焦平面每一个超大像元均分为n×n子像元矩阵；为任一超大像元的各子像元，配置相应的子像元像素级积分电路；在任一超大像元内，以各子像元像素级积分电路的积分结果作为各子像元的积分信号，并将各积分信号进行累加后作为该超大像元的红外积分信号；为各子像元，配置像素级逻辑控制电路，以使得各超大像元中的各子像元独立积分可控、盲元定位以及盲元剔除；根据所需的工作模式，配置读出电路工作时序，完成版图设计。本申请实施例能够大大降低超大像元面积红外探测器盲元率，提高红外探测器的可靠性、灵活性和集成度。
超大面积制冷红外平面读出电路设计方法

[发明专利]用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法-CN202310378304.0在审
发明人：马腾达;喻松林;李春领;刘海龙;王春红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法，保证芯片区域处理一致性，形成良好的面型，以提高大面阵红外探测器芯片质量。抛光调平装置包括：抛光盘；抛光垫，铺设于抛光盘；夹具主体，包括压力控制杆和夹具盘，压力控制杆的底端与夹具盘的上表面连接，夹具盘的下表面适于配合抛光垫对芯片进行抛光；夹具盘具有间隔排布的多个轴向贯通孔，每个轴向贯通孔内置一个压力块，压力块相对于轴向贯通孔轴向可动；压力块具有轴向贯通的吸气孔；驱动系统，用于驱动压力控制杆轴向移动和绕轴转动，还用于驱动压力块轴向移动；真空泵，具有多个吸气管，每个吸气管对应连通一个吸气孔；控制系统，用于控制驱动系统和真空泵。
用于大面红外探测器芯片抛光平装及其方法

[发明专利]一种基于模型迁移的机载红外小目标检测方法及设备-CN202310441545.5在审
发明人：宋嘉乐;刘彤;赵鹏飞;杨德振;喻松林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06V20/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于模型迁移的机载红外小目标检测方法及设备，包括如下步骤：获取空域目标红外辐射的红外数据图像；基于预先完成训练和迁移的目标检测算法对所述红外探测设备采集到的红外数据图像进行目标检测，训练和迁移目标检测算法包括：利用源域中已有的不同场景的数据预训练所述目标检测算法，并保存预训练后的目标检测算法的模型参数；通过构建参数共享的权值参数，将预训练后的目标检测算法迁移到目标域网络中；在所述目标域网络，根据实际的使用场景，对构建的主干网络参数共享的权值参数进行微调和冻结来完成参数调整。本申请基于迁移学习引入机载红外小目标检测算法中减少模型训练耗时，实现任意特定场景下目标的高精度检测。
一种基于模型迁移机载红外目标检测方法设备

[实用新型]一种双气路的列管式换热器-CN202320295360.3有效
发明人：项杰;丁帅琪;郭元皓;喻松林 -专利权人：上海翰逸环保科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： F28D7/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及换热器技术领域，具体地说，涉及一种双气路的列管式换热器，包括箱体和换热管，所述箱体内部从上到下依次设有上气室、换热室和下气室，上气室包括不连通的右侧上气室和左侧上气室，下气室包括相互连通的右侧下气室和左侧下气室，换热室内位于左右两侧均设有若干换热管，位于左侧的换热管的两端分别与左侧上气室和左侧下气室连通，位于右侧的换热管的两端分别与右侧上气室和右侧下气室连通，还包括与右侧上气室连通的冷气进气管、与左侧上气室连通的冷气排气管、与换热室连通的热气进气管和热气出气管；本实用新型在换热室中冷热气体可以进行两次热交换以提高热交换效率。
一种双气路列管换热器

[发明专利]一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器-CN202310218036.6在审
发明人：张轶;刘世光;喻松林;冯晓宇;于艳;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器，包括：在硅基读出电路表面涂覆光刻胶，以使得涂覆光刻胶后，所述硅基读出电路表面被完全覆盖；清洗所述硅基读出电路表面涂覆的光刻胶，以使得裸露出部分所述硅基读出电路表面；将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除，完成对所述硅基读出电路表面的平坦化处理。利用本申请实施例的方法能够提升读出电路表面的平坦度，提升表面加工出的铟凸点高度和高度均匀性，进而提高红外探测器的良品率。
一种读出电路表面平坦处理方法探测器

[发明专利]一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法-CN202310118104.1在审
发明人：张永哲;.闫勇;李菁桢;王晓华;于文静;周朋;刘铭;喻松林 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种实现低暗电流的二类超晶格红外探测器模型的设计方法，涉及光电探测器技术领域。包括以下步骤：(1)利用APSYS软件构建二类超晶格红外探测器结构模型；(2)引入二类超晶格红外探测器物理模型；(3)生成有限元分析算法模型；(4)运行仿真：在建立的物理模型基础上，对划分好的网格进行有限元分析迭代计算，仿真分析二类超晶格红外探测器光谱吸收和器件暗电流；(5)查看仿真结果；(6)获得该二类超晶格红外探测器模型的理论性能参数。本发明避免了复杂的物理公式计算，通过物理模型与灵活的仿真环境较为准确地仿真出二类超晶格红外探测器的性能，并寻找到吸收层结构和势垒层结构设计对于器件暗电流大小的影响规律，为材料的实验生长和器件的结构设计提供理论依据。
一种实现电流二类超晶格红外探测器模型设计方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用-CN202310218035.1在审
发明人：张轶;喻松林;刘世光;于艳;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用，包括：在碲镉汞芯片的表面涂覆预设厚度的光刻胶；利用光刻设备对所述碲镉汞芯片需要去除的碲锌镉衬底的部分区域进行曝光、显影，以裸露出该部分区域；将裸露出的碲锌镉衬底部分去除；去除光刻胶；重新在碲镉汞芯片的表面涂覆指定厚度的光刻胶；利用掩膜曝光显影将光子晶体的图形从掩膜版转移至红外探测器芯片表面；使用碲锌镉腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀，以去除指定厚度的碲锌镉衬底，并执行干法刻蚀光子晶体图形。本申请的方法实现利用光子晶体结构替代原有的增透膜结构，在探测器整个光谱响应范围内实现高效的增透作用，大幅提升碲镉汞红外探测器性能。
碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法应用

[实用新型]一种高压电弧等离子切屑液处理设备-CN202320105755.2有效
发明人：项杰;丁帅琪;郭元皓;喻松林 -专利权人：上海翰逸环保科技有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： F23G7/04 文献下载
摘要：本申请涉及工业废水处理技术领域，公开了一种高压电弧等离子切屑液处理设备，包括箱体，箱体内设有换热腔，箱体的上方处设有顶盖；换热腔内设有呈U形的换热管，换热管的一端部贯穿顶盖伸出换热腔设置，所述换热管伸出顶盖的一端部形成燃烧室部；顶盖上设有罩于所述换热管一端部的气体输出管及用于与换热管另一端相连的气体排出管，气体输出管的上端部处设有用于向换热管内输入高温气体的高压交流电弧等离子装置，气体输出管与换热管的一端部间形成供切屑液蒸汽流入换热管内的流道；所述顶盖上设有供所述换热管一端穿过的通孔，通孔处沿通孔周向布设有用于连通流道和换热腔的通风孔。通过上述构造，较佳地使切屑液处理较为简单方便。
一种高压电弧等离子切屑处理设备

[实用新型]一种高压电弧等离子废气处理装置-CN202320197892.3有效
发明人：项杰;丁帅琪;郭元皓;喻松林 -专利权人：上海翰逸环保科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本申请涉及废气处理技术领域，尤其是涉及一种高压电弧等离子废气处理装置，包括废气进入组件和用于对废气进行处理高压电弧等离子组件；废气进入组件包括基板和设于基板上的废气筒，废气筒的侧壁内沿其轴向设有截面呈圆环状的废气腔，废气筒的外侧壁上设有连通废气腔的废气进气管，废气腔的下侧壁上设有槽口，基板上对应槽口设有供废气流出的漏槽；高压电弧等离子组件贯穿基板设置，高压电弧等离子组件的上端伸入废气筒的内，下端部用于在基板下方对流出的废气进行电离处理。通过将高压电弧等离子组件安装于废气进行组件内，使得该废气处理装置的结构更加的紧凑，便于利用其配合不同的具有燃烧室的处理装置，使其使用更加的便捷。
一种高压电弧等离子废气处理装置

[发明专利]一种陶瓷基板、柔带及陶瓷基板与柔带的连接方法-CN202211095759.3在审
发明人：袁羽辉;李金健;喻松林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本申请的实施例揭示了一种陶瓷基板、柔带及陶瓷基板与柔带的连接方法，本实施例提供的陶瓷基板，包括：基板，所述基板内部垂直分为若干信号层，各信号层间绝缘；金焊盘，所述金焊盘设置在所述基板上表面，且所述金焊盘的尺寸及排列方式与待连接柔带的镀金焊盘的尺寸及排列方式相同；铟柱，在所述金焊盘上设置所述铟柱，所述铟柱用于与所述待连接柔带进行电学连接，通过设置与待连接柔带的镀金焊盘的尺寸及排列方式相同的金焊盘，并在金焊盘处设置铟柱，使得陶瓷基板的金焊盘与待连接柔带能够快速、稳定的连接，提升了连接效率。
一种陶瓷连接方法

[发明专利]一种红外探测器芯片的制备方法-CN202310317495.X在审
发明人：李海燕;喻松林;刘铭 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种红外探测器芯片的制备方法，包括：S10，对衬底层进行预处理；S20，在衬底层的正面形成第一预设图案的第一掩蔽层；S30，在第一掩蔽层的防护下，在衬底层的正面制备第一台面；S40，去除第一掩蔽层；S50，在衬底层的正面制备钝化层；S60，在衬底层的正面的预设位置制备电极孔；S70，在电极孔制备电极；S80，与读出电路板倒装互连，对衬底层进行背面减薄、增透膜制备及增透膜开槽工艺；其中，步骤S80衬底层经背面减薄和增透膜开槽工艺后，形成连接在读出电路板上的多个分割的分块。本发明可以使红外探测器芯片器件工作过程中不受电路、填充胶以及微杜瓦冷台结构应力的影响，解决了红外探测器混成芯片裂片问题与可靠性问题。
一种红外探测器芯片制备方法

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