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[发明专利]非接触认证系统及认证方法-CN202280018113.7在审
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-02-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T1/00 文献下载
摘要：非接触认证系统具备：1个以上的照明装置，向手中的没有与物体接触的部分照射在1380纳米以上的波长范围中包含光成分的照明光；以及摄像装置，拍摄通过在上述手的上述部分反射上述照明光而产生的反射光中的上述波长范围的光成分，从而取得指纹图像及掌纹图像中的至少一方作为认证信息。
接触认证系统方法

[发明专利]光检测元件-CN201810365156.8有效
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及光检测元件。基于本申请的某实施方式的光检测元件具备：光电转换结构，其含有对于单晶硅显示吸收的波长区域中包含的第1波长的光具有比单晶硅高的吸收系数的第1材料，且通过吸收光子而生成正及负的电荷；和雪崩结构，其包含通过由上述光电转换结构注入选自由上述正及负的电荷组成的组中的至少一者而在内部产生雪崩增倍的单晶硅层。上述第1材料包含选自由有机半导体、半导体型碳纳米管及半导体量子点组成的组中的至少1者。
检测元件

[发明专利]图像传感器和摄像系统-CN202180013578.9在审
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的一形态的图像传感器具备：功能层，包括含有多个半导体型碳纳米管的光电转换区域；透明电极，捕集由于光的入射而在所述光电转换区域中产生的正电荷和负电荷之中的一方即第一电荷；第一捕集电极，捕集所述正电荷和所述负电荷之中具有与所述第一电荷相反的极性的第二电荷；第二捕集电极，捕集所述第二电荷；第一控制电极，控制所述第二电荷的向所述第一捕集电极的移动；第二控制电极，控制所述第二电荷的向所述第二捕集电极的移动；以及电荷蓄积部，蓄积由所述第一捕集电极捕集的所述第二电荷。
图像传感器摄像系统

[发明专利]有机设备及有机设备的制造方法-CN202080090799.1在审
发明人：松川望;能泽克弥;町田真一;宍戸三四郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请的一方案的有机设备具备：至少一个电极；在俯视视觉中与至少一个电极邻接地设置的绝缘层；和有机层，所述有机层与至少一个电极的上表面及绝缘层的上表面相接触地连续设置，并且包含有机材料的聚合物。有机材料包含基本分子骨架和聚合性官能团。在聚合物中，有机材料通过聚合性官能团而聚合。
有机设备制造方法

[发明专利]光电转换元件、电子设备及发光装置-CN202080071186.3在审
发明人：町田真一;能泽克弥;宍戸三四郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-10-06 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本申请的一个实施方式的光电转换元件具备：第一电极(2)；第二电极(3)；以及光电转换层(4)，其包含多个半导体型碳纳米管、和对上述多个半导体型碳纳米管作为施主或受主发挥功能的第一材料，并且位于上述第一电极(2)与上述第二电极(3)之间。上述多个半导体型碳纳米管具有下述吸光特性：在第一波长下包含第一吸收峰，在比上述第一波长短的第二波长下包含第二吸收峰，在比上述第二波长短的第三波长下包含第三吸收峰。上述第一材料对选自上述第一波长与上述第二波长之间的第一波长范围、及上述第二波长与上述第三波长之间的第二波长范围中的至少一个波长范围的光透明。
光电转换元件电子设备发光装置

[发明专利]摄像装置及利用该摄像装置的方法-CN202210219708.0在审
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供摄像装置及利用该摄像装置的方法。一种摄像装置，具备一维或二维地排列的多个像素，各像素具备：第1电极，在上述多个像素间电连接；电荷捕集部，按每个上述像素被划分；以及光电变换层，位于上述第1电极与上述电荷捕集部之间，在上述多个像素间相连；上述光电变换层包含半导体型碳纳米管和具有比上述半导体型碳纳米管大的电子亲和力的第1物质；上述电荷捕集部捕集正电荷；上述半导体型碳纳米管中的至少一个跨两个像素而配置。
摄像装置利用方法

[发明专利]摄像装置-CN202210219777.1在审
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明提供摄像装置。该摄像装置具备多个像素，各像素具备：电极；电荷捕集部；以及光电变换层，位于上述电极与上述电荷捕集部之间；上述光电变换层包含具有2个以上的不同手性的半导体型碳纳米管；在上述半导体型碳纳米管中产生并由上述电荷捕集部捕集的电荷被变换为表示多波谱图像的信号。
摄像装置

[发明专利]摄像装置、摄像系统及摄像方法-CN202080063796.9在审
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备：摄像元件，灵敏度可变，以采样周期Tf取得图像；以及控制电路，对所述摄像元件进行控制。所述控制电路以比所述采样周期Tf短的周期Ts1使所述摄像元件的灵敏度变化。所述摄像元件基于所述控制电路的控制，以所述采样周期Tf取得被摄体的多个图像。所述被摄体包括以与所述周期Ts1不同的周期Tt1变化的第1成分。
摄像装置系统方法

[发明专利]摄像系统及摄像方法-CN201780060941.6有效
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-10-03 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：摄像系统具备成像光学系统、摄像元件、致动器和控制电路。多个像素单元分别具有可变的灵敏度。多个像素单元分别具备将被摄体的像的光变换为信号电荷的光电变换元件、和积蓄由上述光电变换元件得到的上述信号电荷的电荷积蓄区域。上述控制电路通过将相对位置设定为第1位置、并且将上述多个像素单元各自的上述灵敏度设定为第1灵敏度，在上述多个像素单元各自中，使由上述光电变换元件得到的第1信号电荷积蓄在上述电荷积蓄区域中。上述控制电路通过将上述相对位置设定为与上述第1位置不同的第2位置、并且将上述多个像素单元各自的上述灵敏度设定为与上述第1灵敏度不同的第2灵敏度，在上述多个像素单元各自中，除了上述第1信号电荷以外，还使由上述光电变换元件得到的第2信号电荷积蓄在上述电荷积蓄区域中。
摄像系统方法

[发明专利]摄像装置-CN201680007083.4有效
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种具备一维或二维地排列的多个像素的摄像装置，各像素(20)具备：电极(38)，在多个像素间电连接；电荷捕集部(32)，按每个像素划分而成；以及光电变换层(39)，位于电极与电荷捕集部之间，在多个像素间相连；光电变换层包含第1物质(106)及第2物质(106)中的一方和半导体型碳纳米管(105)，第1物质具有比半导体型碳纳米管大的电子亲和力，第2物质具有比半导体型碳纳米管小的电离电势。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202080005031.X在审
发明人： 能泽克弥;德原健富;松川望;宍戸三四郎 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：本申请的一个方案的摄像装置具备：半导体基板；多个像素电极，其位于半导体基板的上方，且分别与半导体基板电连接；对置电极，其位于多个像素电极的上方；第1光电转换层，其位于多个像素电极与对置电极之间；和至少一个第1遮光体，其位于第1光电转换层内或第1光电转换层的上方。第1光电转换层包含：半导体型碳纳米管，其将第1波长范围的光吸收；和有机分子，其将半导体型碳纳米管覆盖，且吸收第2波长范围的光并发出第3波长范围的荧光。至少一个第1遮光体将第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。
摄像装置

[发明专利]摄像装置、摄像系统以及光检测方法-CN201710191134.X有效
发明人： 能泽克弥;三宅康夫 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本申请提供能够取得曝光时间内的与被摄体的亮度的时间性变化相关的信息的摄像装置、摄像系统以及光检测方法。摄像系统具有将强度在时间上变化的光放射到被摄体的至少一个照明装置、和检测来自被摄体的光的至少一个摄像装置。至少一个摄像装置具有分别能够变更灵敏度的至少一个摄像单元、和与至少一个摄像单元电连接的至少一个灵敏度控制线。至少一个摄像单元具有接受来自被摄体的光并生成信号电荷的光电转换部、和检测信号电荷的信号检测电路。至少一个灵敏度控制线在曝光期间中将灵敏度控制信号供应给至少一个摄像单元，该灵敏度控制信号具有由对构成正交系的函数系的基底之中的一个加上常数而得到的取正值的函数表示的波形。
摄像装置系统以及检测方法

[发明专利]光传感器及光检测系统-CN201980042953.5在审
发明人：宍戸三四郎;町田真一;德原健富;能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够进行窄带的摄像的鲁棒且能够便宜地制造的光传感器(100)。光传感器(100)具备：光电变换层(10)；以及长通滤波器(60)，配置在上述光电变换层(10)的上方，有选择地使所入射的光中的具有起始波长(λC)以上的波长的成分透射。上述光电变换层(10)具有对于比上述长通滤波器(60)的上述起始波长(λC)长的第1波长(λ1)呈现第1峰值(Pk1)的光谱灵敏度特性。上述起始波长(λC)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度是上述第1波长(λ1)下的上述光电变换层(10)的光谱灵敏度的0％以上50％以下。
传感器检测系统

[发明专利]具备控制电极、透明电极和将上述控制电极与上述透明电极的侧面电连接的连接层的图像传感器-CN201980025746.9在审
发明人：留河优子;能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开一实施方式的图像传感器，具备：多个像素电极；控制电极；光电转换膜，配置在上述多个像素电极上；透明电极，配置在上述光电转换膜上；绝缘层，配置在上述透明电极的上表面的至少一部分上；以及连接层，将上述控制电极和上述透明电极进行电连接。上述连接层与上述透明电极的至少1个侧面接触，在与上述透明电极的上述上表面垂直的剖面中，上述绝缘层的端部相比于上述透明电极的端部而言位于上述透明电极的内侧。
具备控制电极透明上述侧面连接图像传感器

[发明专利]光电变换元件及图像传感器-CN201980024931.6在审
发明人： 能泽克弥 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：有关本发明的一形态的光电变换元件(10)具备：第1电极(51)，包含透明导电性材料；第2电极(52)；以及层叠体(50)，位于上述第1电极(51)与上述第2电极(52)之间，具有光电变换功能。上述层叠体(50)包括第1层(61)、以及位于上述第1层(61)与上述第2电极(52)之间的第2层(62)。上述第1层(61)吸收360nm以上的第1波段的光，并且使包含比上述第1波段长的波长的第2波段的光透射；上述第2层(62)吸收上述第2波段的光。上述层叠体(50)在上述第1波段中实质上不具有光电变换的灵敏度，在上述第2波段中具有光电变换的灵敏度。
光电变换元件图像传感器

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