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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN200310101014.4无效
  • 浅野哲郎;榊原干人;中岛好史;石原秀俊 - 三洋电机株式会社
  • 2003-10-10 - 2004-05-19 - H01L29/812
  • 一种半导体装置，为了使开关电流装置为5GHz，必须设置并联FET，为提高绝缘，栅极电极邻接的FET之间必须确保20um左右的间隔距离。在FET的栅极电极及电极焊盘、配线邻接的其它的FET、栅极金属层、杂质区域之间设置高浓度杂质区域，抑制耗尽层的扩展。在FET的掩膜对位中，使用在源漏极区域上设置的氧化膜提高掩膜对位的精度。即使缩小栅极宽度，也可提高FET的基本性能，在现有同等的特性中，可缩小栅极宽度，可降低FET间的间隔距离，故可实现绝缘提高的5GHz开关。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率放大电路-CN96111233.6无效
  • 古川秀利;上田大助 - 松下电子工业株式会社
  • 1996-08-28 - 2001-12-12 - H01L29/812
  • 一种功率放大电路，在半绝缘性GaAs基片的（１００）结晶平面上制成备有n型活性层、源电极、漏电极及栅电极的ＦＥＴ，并用钝化膜保护该ＦＥＴ。并且，为了使该ＦＥＴ的阈值电压的温度系数实际上与由电源施加在栅电极上的栅偏压的温度系数相等，将上述栅电极的长轴方向与上述化合物半导体基片的方向所构成的角度θ根据n型活性层的杂质浓度设定为从０°到９０°之间的某个角度。
  • 功率放大电路
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