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[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201810921324.7有效
发明人：江藤隆纪;泽田石真之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。课题在于实现金属层选择比和掩模选择比的兼顾。技术方案为：一种等离子体处理装置，对配置有多层膜的处理容器内供给至少含有氟碳系气体或氢氟碳系气体、氧气、氮气和CO的处理气体，在供给了处理气体的处理容器内产生等离子体，对多层膜进行蚀刻，其中，该多层膜至少具有氧化层、比该氧化层的上表面在叠层方向上配置于下方的导电层和配置于上述氧化层的上表面的掩模层。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置-CN201980019371.5有效
发明人： 泽田石真之;广瀬润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体蚀刻方法中，将基板配置于静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内。通过被来自等离子体的离子将基板在被静电吸盘保持的状态下进行蚀刻。静电吸盘具有包括第一电极和第二电极的多个电极。第一电极在基板的中央区域的下方延伸。第二电极在基板的边缘区域的下方延伸。向多个电极分别施加多个电压，所述多个电压被决定为在基板被静电吸盘保持的状态下使来自等离子体的离子大致垂直地入射于中央区域和边缘区域这两方。
等离子体蚀刻方法处理装置

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN202210120965.9在审
发明人：渡部诚一;佐藤学;泽田石真之;山田纮己;织茂慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够提高氧化硅膜相对于蚀刻停止层的蚀刻选择比。蚀刻方法包括工序(a)，在工序(a)中，在腔室内准备具有氧化硅膜的基板。基板具备配置在氧化硅膜内的多个蚀刻停止层。氧化硅膜的厚度方向上的多个蚀刻停止层的位置互不相同。多个蚀刻停止层各自包含钨和钼中的至少一方。蚀刻方法还包括：工序(b)，向腔室内供给处理气体，该处理气体包含含有钨和钼中的至少一方的气体、含有碳和氟的气体、以及含氧气体；以及工序(c)，从处理气体生成等离子体来蚀刻氧化硅膜，由此在氧化硅膜形成分别到达多个蚀刻停止层多个凹部。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻处理方法及基板处理装置-CN202010635618.0在审
发明人：下田学;泽田石真之;江藤隆纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种蚀刻处理方法，其能够提高基底层相对于蚀刻对象膜的选择比。该蚀刻处理方法包括：在处理容器内准备形成有层叠膜的基板的工序，该层叠膜至少具有含硅绝缘层、布置在所述含硅绝缘层的下层的基底层、以及布置在所述含硅绝缘层的上层的掩模层；供给至少包含氟碳化合物气体和稀有气体的处理气体的工序；以及在供给有所述处理气体的处理容器内产生等离子体以对所述层叠膜进行蚀刻的工序，其中，所述稀有气体包含第一气体，该第一气体的电离能高于Ar气体，并且电离的单个颗粒具有的动量低于电离的Ar气体的单个颗粒的动量。
蚀刻处理方法装置

[发明专利]蚀刻方法-CN201610365868.0有效
发明人： 泽田石真之;三轮智典;金子雄基 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在等离子体处理装置的处理容器内生成包含全氟烃气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序：在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体和含碳气体的第二处理气体的等离子体。该方法中，第一等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为第一温度；第二等离子体处理工序中，静电卡盘的温度被设定为低于第一温度的第二温度。
蚀刻方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201610346574.3有效
发明人： 泽田石真之;三轮智典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法对具有多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻，该多层膜是通过将氧化硅膜和氮化硅膜交替地层叠而构成的。一个实施方式的方法包括以下工序：第一等离子体处理工序，在等离子体处理装置的处理容器内生成包含碳氟化合物气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序，在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体、溴化氢气体以及含碳气体的第二处理气体的等离子体。在第一等离子体处理工序中，将静电卡盘的温度设定为第一温度。在第二等离子体处理工序中，将静电卡盘的温度设定为低于第一温度的第二温度。
蚀刻方法

[发明专利]基板处理装置、基板吸附方法和存储介质-CN200710086063.3无效
发明人： 泽田石真之;清水昭贵;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-08 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种可防止颗粒附着在基板表面上的基板处理装置。基板处理装置(10)具有在腔室(11)内载置晶片(W)的基座(12)。该基座(12)与下部高频电源(20)连接，在该基座(12)的上部配置内部有电极板(23)的静电卡盘(42)。电极板(23)与直流电源(24)连接。在下部高频电源(20)向基座(12)施加规定的高频电力后，通过直流电源(24)向电极板(23)施加负电压，静电卡盘(42)利用库仑力等吸附晶片(W)。
处理装置吸附方法存储介质

[发明专利]蚀刻方法和记录用于控制该方法的程序的计算机记录媒体-CN200410080670.5无效
发明人：栉引理人;泽田石真之;清水昭贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明所要解决的问题是使掩膜层的各图案宽度一致，且将由掩膜层作掩膜的被蚀刻层蚀刻为预定的图案宽度。在第一工序中，设定处理条件使图案形成后的掩膜层(212)的侧壁堆积反应生成物，变宽各图案宽度，且使初始状态(a)中图案宽度不同的属于第一区域(reg11)的掩膜层(212－2)的图案宽度与属于第二区域(reg12)的掩膜层(212－2)的图案宽度在第一工序终止时刻(b)一致。第二工序中，不仅沿纵方向蚀刻反射防止膜(210)，还并行实施变窄掩膜层(212)的图案宽度的修整处理。在第二工序终止时刻(c)中，掩膜层和反射防止膜的图案宽度在晶片整个区域中调整为均匀，而与图案密度无关。
蚀刻方法记录用于控制程序计算机媒体

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