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[发明专利]一种钛酸铋钠基三元系高温稳定的高介无铅陶瓷电容器材料及其制备方法-CN201611000738.3有效
发明人：侯育冬;贾文旭;赵海燕;朱满康;郑木鹏 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种钛酸铋钠基三元系高温稳定的高介无铅陶瓷电容器材料及其制备方法，属于电子元器件技术领域。根据表达式(1‑x)(0.94Bi_0.5Na_0.5TiO₃‑0.06BaTiO₃)‑xNaNbO₃，x＝0.15，按照式中原子的摩尔比称取BaCO₃、Bi₂O₃、Na₂CO₃、TiO₂和Nb₂O₅；高温煅烧后，将制得的粉体研碎，然后球磨12h进行混合，烘干后研磨成粉状，以聚乙烯醇水溶液作粘结剂造粒，然后过80目筛压制成型，排出胶体，随后在高温炉空气气氛中烧结，升温速率为3℃/min；在1130℃‑1150℃温度范围内烧结，保温2h后，随炉自然冷却至室温。本发明操作方法简单，制备周期短，成本低，无毒环保。
一种钛酸铋钠基三元高温稳定高介无铅陶瓷电容器材料及其制备方法

[发明专利]一种高储能性能介质陶瓷、制备方法及其应用-CN201811532677.4在审
发明人：蒲永平;张磊;陈敏;李润;郭旭;师裕 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种新的高储能性能介质陶瓷材料，其化学计量式为(1‑x)(0.775Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.225BaSnO₃)‑x BaZrO₃。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将BaZrO₃添加到0.775Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.225BaSnO₃中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到(1‑x)(0.775Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.225BaSnO₃)‑x BaZrO₃陶瓷样品((1‑x)(0.775NBT‑0.225BSN)‑x BZ陶瓷)。本发明提供的高储能性能介质陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种新的无铅的储能材料基体。
高储能介质陶瓷材料制备化学计量式材料成本储能材料介质陶瓷冷等静压绿色环保陶瓷材料陶瓷样品制备工艺烧结烘干过筛球磨无铅压块陶瓷应用

[发明专利]新型二元系K_0.5Bi_0.5TiO₃–BiMg_0.5Zr_0.5O₃无铅压电陶瓷材料及制备-CN201610035194.8有效
发明人：朱满康;胡彬彬;郭金键;郑木鹏;侯育冬;刘晶冰;王如志;汪浩;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：新型二元系K_0.5Bi_0.5TiO₃–BiMg_0.5Zr_0.5O₃无铅压电陶瓷材料及制备，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。材料用通式(1‑x)K_0.5Bi_0.5TiO₃‑x BiMg_0.5Zr_0.5O₃(00.5Bi_0.5TiO₃‑0.01BiMg_0.5Zr_0.5O₃时有最大的d₃₃＝65pC/N。
新型二元 sub 0.5 bi tio bimg zr 压电陶瓷材料制备

[发明专利]一种Ti位Cu/Mo共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法-CN201910009100.3在审
发明人：郑鹏;李旭东;葛曌民;陈振宁;盛林生;白王峰;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ti位Cu/Mo共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的通式为Bi₄Ti_3‑x(Cu_1/2Mo_1/2)_xO₁₂，其中04Ti₃O₁₂体系压电材料为基础，在Ti位按照1:1的摩尔比掺入一定比例的Cu、Mo，采用传统的固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d₃₃＝30pC/N，T_C＝678℃，在500℃时ρ＝3.54×10⁵Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。
压电陶瓷材料制备高温压电陶瓷材料共掺杂钛酸铋生产成本低压电传感器铋层状结构高温环境高温领域固相合成航天航空石油化工陶瓷元件性能参数压电材料制备工艺传统的摩尔比掺入组装应用

[发明专利]一种Ti位Cu/W共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法-CN201910009551.7在审
发明人：郑鹏;李旭东;张栋格;陈振宁;盛林生;白王峰;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ti位Cu/W共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的通式为Bi₄Ti_3‑x(Cu_1/2W_1/2)_xO₁₂，其中04Ti₃O₁₂体系压电材料为基础，在Ti位按照1:1的摩尔比掺入一定比例的Cu、W，采用传统的固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d₃₃＝34pC/N，T_C＝680℃，在500℃时，ρ＝1.52×10⁶Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。
压电陶瓷材料制备高温压电陶瓷材料共掺杂钛酸铋生产成本低压电传感器铋层状结构高温环境高温领域固相合成航天航空石油化工陶瓷元件性能参数压电材料制备工艺传统的摩尔比掺入组装应用

[发明专利]一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201811504840.6在审
发明人：王根水;贾佳慧;郭少波;姚春华;曹菲;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述BNT基无铅热释电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃‑xBa(Ni_0.5Nb_0.5)O₃，其中0＜x≤0.04。
热释电陶瓷材料基无低介电损耗制备化学组成

[发明专利]一种高击穿高极化钛酸铋钠陶瓷材料、制备方法及应用-CN201811534825.6在审
发明人：蒲永平;张磊;陈敏;史瑞科;郭旭;师裕;彭鑫 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备高击穿高极化钛酸铋钠陶瓷的新方法，通过球磨、烘干、微波煅烧、超声粉碎、过筛、冷等静压和微波烧结得到高击穿和高极化的Na_0.5Bi_0.5TiO₃陶瓷样品。本发明提供的陶瓷材料具有高的击穿强度和高的极化强度，且制备工艺简单，易于大规模生产，为制备高击穿和高极化陶瓷材料提供了新方法。
击穿极化制备钛酸铋钠陶瓷材料提供超声粉碎极化陶瓷冷等静压陶瓷材料陶瓷样品微波烧结微波煅烧制备工艺烘干过筛球磨应用

[发明专利]一种Ti位Cu/Ta共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料的制备方法-CN201811407299.7在审
发明人：郑鹏;李旭东;陈振宁;盛林生;白王峰;郑梁 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ti位Cu/Ta共掺杂钛酸铋高温压电陶瓷材料的制备方法，采用Bi₄Ti₃O₁₂体系压电材料为基础，在Ti位按照一定的摩尔比掺入Cu、Ta，采用固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料的通式为Bi₄Ti_3‑x(Cu_1/3Ta_2/3)_xO₁₂，其中033＝34pC/N，T_C＝677℃，在500℃时，ρ＝9.02×10⁶Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。
制备高温压电陶瓷材料压电陶瓷材料共掺杂钛酸铋生产成本低压电传感器铋层状结构高温环境高温领域固相合成航天航空石油化工陶瓷元件压电材料制备工艺摩尔比掺入组装应用

[发明专利]一种钛酸铋钠基X9R型多层陶瓷电容器材料及其器件制备方法-CN201610037683.7有效
发明人：刘韩星;苏聪;许琪;卢秧秧;郝华;曹明贺;尧中华 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种X9R型多层陶瓷电容器材料及其器件的制备方法，包括瓷粉制备、瓷浆制备、流延法制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、切割、排胶、烧结、封端、烧端，其中该钛酸铋钠基X9R型多层陶瓷电容器材料化学式为x(Na_0.5Bi_0.5)TiO₃‑(1‑x)NaNbO₃，为固溶体，组元A为(Na_0.5Bi_0.5)TiO₃，组元B为NaNbO₃。本发明采用钛酸铋钠体系材料替代传统的钛酸钡系材料制作，性能达到钯银体系X9R产品水平，产品上限使用温度高达+200℃，‑55℃～+200℃温度范围内容量变化率≤±15％，具有高可靠性，可有效应用于高温多层陶瓷电容器领域。
一种钛酸铋钠基 x9r 多层陶瓷电容器材料及其器件制备方法

[发明专利]一种NBT基压电织构陶瓷及其制备方法-CN201811230303.7在审
发明人：张昌松;赵珂迪;陈勃新;王楚;郭晨洁 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种NBT基无铅压电织构陶瓷及其制备方法，采用固相法制备钛酸铋钠粉体，熔盐法制备片状钛酸钡微晶，将0.94NBT‑0.06BT粉体和有机粘结剂在磁力搅拌器上均匀搅拌制成浆料，将制备好的浆料注入料筒中，由螺杆推动料筒中的料粒沿筒壁经过电场发生装置和温度加热区，经过喷嘴注入具有一定形状的模具当中。待陶瓷生坯冷却脱模后在常压烧结炉中脱脂与烧结，烧结件的两面涂银浆，被银烧结件置于极化装置中极化，经比较采用外加电场注射成型制备的0.94NBT‑0.06BT压电陶瓷性能高于传统固相法制备的0.94NBT‑0.06BT压电陶瓷，并且注射成型制备压电陶瓷效率高、周期短，易于批量生产。
制备压电陶瓷织构陶瓷注射成型烧结件浆料料筒压电电场发生装置制备压电陶瓷钛酸铋钠粉体传统固相法磁力搅拌器固相法制备片状钛酸钡温度加热区有机粘结剂常压烧结极化装置均匀搅拌冷却脱模螺杆推动陶瓷生坯外加电场喷嘴烧结脱脂极化被银粉体基无料粒炉中熔盐筒壁涂银微晶模具生产

[发明专利]一种钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料及其制备方法-CN201811015483.7在审
发明人：王根水;胡蕃廷;陈学锋;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料及其制备方法，所述钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料的化学组成为(1‑x)Bi_1/2Na_1/2TiO₃‑xPbMg_1/3Nb_2/3O₃，0.1≤x≤0.3。
电容器材料钛酸铋钠基高介陶瓷高温稳定制备化学组成

[发明专利]一种氧化锌掺杂的钛酸铋钠-钴酸铋压电薄膜及其制备方法-CN201610733319.4有效
发明人：刘洁;郭菲菲 -专利权人：安阳华森纸业有限责任公司
申请日： 2016-08-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锌掺杂的钛酸铋钠‑钴酸铋压电薄膜及其制备方法，可有效克服铅基薄膜材料在生产、使用及废弃的过程中个生态环境和人类健康带来的危害的问题，方法是，按照0.97Bi_0.5Na_0.5TiO₃‑0.03BiCoO₃+x%wtZnO的化学计量称取原料Bi₂O₃、NaCO₃、TiO₂、Co₂O₃和ZnO，以乙醇为介质球磨，烘干，700℃预烧3h，再以乙醇为介质球磨，烘干，压制成坯片，烧结成BNT‑BC‑ZnO靶材；将BNT‑BC‑ZnO靶材和(111)Pt/Ti/SiO₂/Si(001)基片分别安装在靶材托和基片托上，调整靶材和基片的距离，抽真空，加热基片，在背底真空达到10^‑4Pa、基片温度500‑700℃后，通入氩气和氧气，气压0.5‑5Pa；调节溅射功率为50‑200W，靶材起辉后，开始生长薄膜，薄膜生长结束，原位退火，即成，本发明材料配方简单，易制备，产品质量好，环保。
一种氧化锌掺杂钛酸铋钠钴酸铋压电薄膜及其制备方法

[发明专利]钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料及其制备方法和应用-CN201811017614.5在审
发明人：徐志军;初瑞清;贺笑春 -专利权人：烟台大学
申请日： 2018-09-01 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料，涉及压电/电致伸缩陶瓷技术领域。钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料化学组成为：(1‑x)(Bi_0.5Na_0.5)_0.935Ba_0.065Ti_0.985(Fe_0.5Sb_0.5)_0.015O₃‑xSrFeCo_0.5O_y，其中x=0.000~0.015。本发明提供的钛酸铋钠基压电/电致伸缩无铅陶瓷材料既具有高的压电常数d₃₃（＞200pC/N），又具有高的电致伸缩系数Q₃₃（＞0.02m⁴/C²），且材料中不含有害元素Pb，符合环境友好型材料的要求，在换能器、驱动器及高精度位移传感器等领域有良好的应用前景。
压电无铅陶瓷材料钛酸铋钠基电致伸缩高精度位移传感器环境友好型材料制备方法和应用驱动器电致伸缩陶瓷电致伸缩系数化学组成压电常数换能器应用

[发明专利]一种耐高压温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法-CN201810913776.0在审
发明人：章阳华;李正强;范文 -专利权人：安徽长容电子有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高压温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，属于电子元件领域。本发明提供了一种耐高压温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，与现有技术相比，本发明制得的Bi₂Mg_5/3Nb_14/15TiO₉材料，具有较低的烧结温度为900～950℃，高的介电常数在153～161之间，近零的电容量温度系数在‑41×10^‑6/℃～‑55×10^‑6/℃范围内，可用于多层片式陶瓷电容器(MLCC)的制备，制备的电容器具有较低的烧结温度，超高耐压强度、中高介电常数，高温高频稳定。
制备电容器介质材料温度稳定型陶瓷耐高压烧结电容量温度系数片式陶瓷电容器电容器高介电常数介电常数多层可用耐压

[发明专利]一种Sm掺杂的无铅介电储能陶瓷的制备方法-CN201810822156.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：启东创潞新材料有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sm掺杂的无铅介电储能陶瓷的制备方法，步骤如下：将Na₂CO₃、Bi₂O₃、BaCO₃、TiO₂和Sm₂O₃加入装有氧化锆球的球磨罐中，倒入无水乙醇，球磨47‑49h，烘干后，在850‑870℃保温3‑4h，加入聚乙烯醇粘接剂，过100目筛，在34‑38MPa下压成圆片素坯，然后将素坯在585‑595℃排胶后升温至1000‑1100℃保温3‑4h，得毛坯陶瓷片；将陶瓷片双面打磨、清洗后印刷上银浆，并在550‑570℃下保温45‑55min，冷却即得。该方法制得的Sm掺杂的无铅介电储能陶瓷具有较低的交、直流电导率及良好的绝缘性，在介电储存方面具有潜在的优势。
介电储能陶瓷掺杂的无铅保温陶瓷片球磨素坯制备直流电导率聚乙烯醇无水乙醇氧化锆球成圆片绝缘性潜在的上银浆粘接剂烘干毛坯目筛排胶下压打磨冷却清洗储存印刷