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[发明专利]一种钛酸铋钠纳米线及其制备方法-CN201811310707.7在审
发明人：朱哲;李俊鹏;李超 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有条纹畴结构的高压电系数的钛酸铋钠纳米线。所述条纹畴沿钛酸铋钠纳米线的长度方向交替排列。本发明还公开了一种所述钛酸铋钠纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)配制钛酸铋钠前驱体溶液(2)水热合成钛酸铋钠纳米线。所述方法可制备得到具有规律条纹畴结构的钛酸铋钠纳米线。所述规律条纹畴结构可有效地提高钛酸铋钠纳米线的压电系数。
钛酸铋钠纳米线条纹畴结构制备前驱体溶液交替排列水热合成压电系数钛酸铋钠高压电有效地配制

[发明专利]一种钛酸铋钠纳米管及其制备方法-CN201910312901.7有效
发明人：朱哲;李俊鹏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠纳米管及其制备方法。所述钛酸铋钠纳米管具有条纹畴结构，所述条纹畴沿钛酸铋钠纳米管的长度方向交替排列，所述条纹畴的宽度为10‑50nm。规律条纹畴结构可有效地提高钛酸铋钠纳米管的压电系数，其高压电系数接近含铅的钙钛矿型材料。其制备方法，包括以下步骤：(1)配制钛酸铋钠前驱体溶液(2)抽旋法合成钛酸铋钠纳米管。所述方法可简单地制备尺寸可控和均匀壁厚的钛酸铋钠纳米管阵列。
一种钛酸铋钠纳米及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液、制备方法及其应用-CN202310516789.5在审
发明人：王卓;赵婷;易志辉;吴丹;薛颖;亢金腾;叶荣辉 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液、制备方法及其应用，按质量比计，包括聚偏氟乙烯溶液：二维钛酸铋钠粉体＝(4.7250‑6.6615)：(0.0087‑0.0261)；制备方法：将氧化铋、二氧化钛、无水碳酸钠、氯化钠、无水乙醇加入球磨罐中混合均匀后用去离子水洗涤、烘干、煅烧、冷却得到二维钛酸铋钠前驱体(NBT4)；将二维钛酸铋钠前驱体(NBT4)、二氧化钛、无水碳酸钠、氯化钠、无水乙醇混合均匀后去离子水洗涤、烘干、煅烧、冷却得到二维钛酸铋钠粉体；在聚偏氟乙烯溶液加二维钛酸铋钠粉体，磁力搅拌得到钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液；应用为：将钛酸铋钠/聚偏氟乙烯溶液采用流延法制备聚偏氟乙烯基二维钛酸铋钠复合材料；本发明工艺简单
一种钛酸铋钠聚偏氟乙烯溶液制备方法及其应用

[发明专利]用不同粒径KNN粉体制备铌酸钾钠-钛酸铋钠无铅压电复合厚膜的方法-CN201310128177.5有效
发明人：任巍;纪红芬;史鹏;吴小清;王玲艳;赵金燕 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L41/37 文献下载
摘要：用不同粒径KNN粉体制备铌酸钾钠-钛酸铋钠（KNN-BNT）无铅压电复合厚膜的方法，将硝酸铋的乙二醇甲醚溶液、乙酸钠溶液以及钛酸四正丁酯混合溶液在80-100℃下搅拌后冷却至室温，得到钛酸铋钠先驱体溶胶；将碳酸钾、碳酸钠以及五氧化二铌球磨均匀，然后干燥压片，再烧结成铌酸钾钠坯体；将铌酸钾钠坯体球磨，得到铌酸钾钠粉体；将铌酸钾钠粉体和钛酸铋钠先驱体溶胶混合后加入聚乙烯吡咯烷酮，球磨均匀并搅拌，得到稳定的混合浆料，重复旋涂工艺-热处理工艺，得到呈现纯钙钛矿相结构的铌酸钾钠-钛酸铋钠无铅压电复合厚膜。本发明能够有效降低厚膜的烧结温度，降低钠、铋元素的挥发，提高厚膜的介电、铁电、压电性能。
不同粒径 knn 体制备铌酸钾钠钛酸铋钠无铅压电复合方法

[发明专利]一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜的制备方法-CN201310660896.1有效
发明人：任巍;赵金燕;纪红芬;史鹏;吴小清;王玲艳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜的制备方法，属于压电材料制备技术领域。包括以下步骤：1）按照（1-x）Bi0.5Na0.5TiO3-xBaTiO3的化学计量比，制备微纳米级钛酸铋钠-钛酸钡粉体；2）按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；3）将钛酸铋钠-钛酸钡粉体分散到钛酸铋钠先驱体溶胶中，制备混合浆料；4）旋涂沉积钛酸铋钠先驱体溶胶-热处理-旋涂沉积混合浆料-热处理，制得单层复合膜；5）重复步骤4）直至制得厚度为1～20微米的钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜
一种钛酸铋钠钛酸钡复合压电制备方法

[发明专利]钛酸铋钠—钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN200610041830.4无效
发明人：张昌松;高峰;郭晨洁;田长生 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提出一种钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法，以替代传统的含铅系压电陶瓷。本发明以微晶模板钛酸铋与原始粉料、有机溶剂和粘结剂混合生成最终的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷，其中，织构陶瓷的微晶模板是用二氧化钛、氧化铋、氯化钠以及氯化钾生成形貌为片状的钛酸铋粉体，原始粉料包括碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛和氧化铋，经过球磨制浆、流延、叠压、热水等静压、切割、预烧及涂银工序，最终生成钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷。本发明的优点在于可以利用工厂现有的片式电子元件生产设备，同时整个过程完全符合环保要求，所制备出的钛酸铋钠－钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷其电性能已经达到压电陶瓷实用化要求。
钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法-CN201010127246.7无效
发明人：任巍;纪红芬;史鹏;王玲艳;闫兴伟;姚姗姗;陈晓峰;吴小清;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料中的压电厚膜的制备方法，公开了一种钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；(2)制备微纳米级铌酸钾钠粉体；(3)将微纳米级铌酸钾钠粉体与钛酸铋钠先驱体溶胶混合，其中铌酸钾钠的质量含量为40％～70％，制备混合浆料；(4)重复旋涂工艺-热处理工艺，得到钛酸铋钠和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜
一种钛酸铋钠铌酸钾钠复合压电制备方法

[发明专利]一种用于储能的钛酸铋钠/聚偏氟乙烯三层结构复合材料及其制备方法-CN201711288461.3在审
发明人：王卓;念雯雯;王添;肖雨佳;陈浩楠;王枭颖 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：本发明一种用于储能的钛酸铋钠/聚偏氟乙烯三层结构复合材料及其制备方法，通过球磨法制备钛酸铋钠颗粒粉体；取聚偏氟乙烯分成三份，分别溶于溶剂中，得到三份聚偏氟乙烯溶液；钛酸铋钠颗粒粉体分成两份，分别加入到两份聚偏氟乙烯溶液中，得到两份钛酸铋钠/聚偏氟乙烯原液；采用多层流延工艺，依次将钛酸铋钠/聚偏氟乙烯原液、聚偏氟乙烯溶液和钛酸铋钠/聚偏氟乙烯原液层叠流延于玻璃基板上。所得复合材料的中间层是纯的聚偏氟乙烯聚合物，上下两层是钛酸铋钠/聚偏氟乙烯复合层，通过向上下两层结构中添加介电陶瓷颗粒，通过极化强度和储能密度，中间层采用纯的聚偏氟乙烯聚合物来获得高的击穿场强。
钛酸铋钠聚偏氟乙烯聚偏氟乙烯溶液复合材料储能原液聚偏氟乙烯聚合物颗粒粉体三层结构中间层制备玻璃基板击穿场强介电陶瓷两层结构流延工艺球磨法制上下两层复合层极化溶剂多层流延

[发明专利]一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202011024601.8在审
发明人：庞东方;赵化愚 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，化学通式为[N‑(1‑x)(Na0.5Bi0.5)TiO钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：采用传统固相法制备钛酸铋钠基无铅压电陶瓷；将制备的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷置于氨气氛中，并在低温下进行保温处理，制得氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，氨气或脲提供氮源制得的氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的电致应变为0.52‑1.1％，矫顽场为25.54‑48.47kv/cm，适合于制造大应变无铅压电致动器。
一种掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠纳米管阵列及其制备方法和应用-CN201911334059.3有效
发明人：朱哲;徐雅婷;李俊鹏;刘志远;王苗 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠纳米管阵列及其制备方法和应用，所述钛酸铋钠纳米管阵列嵌于AAO模板中，同时露出AAO模板，其露出AAO模板的高度(露头高度)为10‑100nm；所述的具有一定露头高度的纳米管阵列可有效地提高金属其制备方法，包括以下步骤：(1)配制钛酸铋钠前驱体溶液(2)抽旋法合成钛酸铋钠纳米管阵列(3)采用NaOH溶液腐蚀钛酸铋钠纳米管/AAO模板复合结构。所述方法可高效地制备出具有一定露头高度的钛酸铋钠纳米管阵列。
一种钛酸铋钠纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]基于钛酸铜铋钠陶瓷的高介电常数复合材料及其制备方法-CN201610167687.7有效
发明人：苏艳丽 -专利权人：苏州大学张家港工业技术研究院;苏州大学
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钛酸铜铋钠陶瓷的高介电常数复合材料及其制备方法。本发明的基于钛酸铜铋钠陶瓷的高介电常数复合材料由钛酸铜铋钠陶瓷粉末、聚合物和纳米银粒子混合均匀后经热压成型制得；制备的基于钛酸铜铋钠陶瓷的高介电常数复合材料相对介电常数在1 KHz下可达138，在高储能电容器等领域具有广阔的应用前景
钛酸铜铋钠陶瓷高介电常数复合材料制备相对介电常数电容器纳米银粒子热压成型聚合物高储能应用

[发明专利]氧化钴纳米颗粒负载钛酸铋钠压电催化剂及其制备方法与应用-CN202310236896.2在审
发明人：刘代明;王飞 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化钴纳米颗粒负载钛酸铋钠压电催化剂及其制备方法与应用，属于压电催化制氢领域，取原料钛酸铋钠微米方块、电子牺牲剂、钴盐、去离子水，混合，避光搅拌，排出溶液内溶解的氧气；采用光氧化沉积的方法，使用氙灯进行光照预设时间，去离子水洗涤，干燥，得到氧化钴纳米颗粒负载钛酸铋钠压电催化剂，并将该催化剂用于压电催化分解水制氢；本发明采用氧化钴对钛酸铋钠微米方块进行表面修饰，两者之间的肖特基界面促进电荷分离，氧化钴与钛酸铋钠微米方块之间因电荷扩散形成内建场，有效地促进电荷迁移和分离，有效提高钛酸铋钠材料的载流子分离效率，大大提升其在压电催化产氢性能方面的应用前景。
氧化钴纳米颗粒负载钛酸铋钠压电催化剂及其制备方法应用

[发明专利]用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法-CN202310298484.1在审
发明人：吴家刚;吴肖骏;殷杰;文澜骥;吴超 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N30/06 文献下载
摘要：本发明涉及材料技术领域，公开了用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法。本发明通过对传统固相法合成的位于临界位置附近的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷进行交流电场的预极化操作，在遍历的钛酸铋钠基弛豫体中引诱出原生性的大尺寸的非遍历极性区域，降低场致应变过程中的成核势垒，显著增强电致应变效应本发明的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷通过简单处理后在60 kV/cm电场激励下的电致应变相比于初始状态存在明显的提升，具有比普通钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷更为优异的性能。
用于钛酸铋钠基弛豫铁电体应变增强方法

[实用新型]一种节能门铃-CN201720109808.2有效
发明人：肖志尧 -专利权人：肖志尧
申请日： 2017-02-05 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种节能门铃，包括按钮组件和用于产生发声信号的发声组件，所述按钮组件由极化方向一致的两片钛酸铋钠钾压电片和用于隔开两片钛酸铋钠钾压电片的柔性绝缘材料层组成；所述两片钛酸铋钠钾压电片相背的两个面之间通过导线一相连，两片钛酸铋钠钾压电片相对的两个面之间通过导线二相连；所述导线一和导线二中均接入有发声组件。该门铃利用压电材料的压电效应，不需电池供电，节约能源，且钛酸铋钠钾材料性能稳定寿命长，价格低廉，可普遍应用于生活中。
一种节能门铃

[发明专利]高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法-CN201510051148.2有效
发明人：翟继卫;李朋;沈波;李伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及高度择优取向钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法：(1)配置钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液；(2)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上溅射镍酸镧，并在700℃热处理30分钟；(3)将溅射有镍酸镧的基片清洗干净后烘干；(4)在步骤(3)获得的基片上，使用钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液逐层进行旋转涂覆得到所需厚度的薄膜；(5)将步骤(4)获得的薄膜在700℃进行退火处理120分钟，即得到高度择优取向的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜本发明制备的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜取向度高、低电场下具有较高的电致应变，较高的介电常数和较低的介电损耗，在高精度位移控制器和微型执行器等领域具有很好的实用前景。
高度择优取向钛酸铋钠钛酸钡压电薄膜制备方法

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