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[发明专利]一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用-CN201910863077.4有效
发明人：霍子伟;许积文;饶光辉;王华;孙亚兵;杨玲 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域，特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷，其元素组成为(1‑x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3)‑xCs2Nb4O11，x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成，尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下，实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3组分结合，获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明，本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3，储能效率可达45％，具有优良的储能性能。
一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法-CN201910666380.5有效
发明人：翟继卫;吴双昊;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜及制备方法，该压电薄膜的化学组成为(0.85‑x)Bi0.5Na0.5TiO3–0.15PbTiO3–xBiInO3，其中x为摩尔分数，x＝0～0.03，且不为0，采用金属有机物热分解法制备得到前驱体并涂覆在基片上。与现有技术相比，本发明制备的具有高逆压电系数的钛酸铋钠基低铅压电薄膜具有优异的压电性能，其逆压电系数达123.1皮米/伏。
具有压电系数钛酸铋钠基低铅薄膜制备方法

[发明专利]一种锆钛酸锶固溶改性钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法-CN202111012570.9在审
发明人：王之恒;戴中华;张凡博;狄紫依;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆钛酸锶固溶改性钛酸铋钠基陶瓷材料的制备方法，其化学组成为：(1‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑xSr(Ti0.5Zr0.5)O3,(其中0≦x≦0.25)。本发明的步骤包括：配料球磨、预烧、二次球磨、冷等静压法制片和烧结步骤，在冷等静压法制片步骤中将制得的原料粉压制成小薄片，制备出锆钛酸锶固溶改性的铁电储能陶瓷。本发明方法可以在维持较大最大极化强度的前提下，有效降低钛酸铋钠基陶瓷的剩余极化强度，使电滞回线变得“瘦细”，进而制得具有高储能密度的钛酸铋钠基铁电陶瓷材料。制得的储能陶瓷能够在较高的击穿场强(150kV/cm)下获得1.85J/cm3的可回收储能密度。特别地，在100kV/cm的电场条件下，在较宽的频率范围(1‑500Hz)和温度范围(40‑160℃)内，样品表现出优异的频率稳定性和温度稳定性(Wrec的变化小于±6％)。
一种锆钛酸锶固溶改性钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种深过冷快速凝固法制备焦绿石结构Bi2-CN202111060705.9在审
发明人：胡侨丹;胡以栋;杨帆;葛璇;卢温泉;李建国 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种深过冷快速凝固法制备焦绿石结构Bi2Ti2O7陶瓷的方法，包括以下步骤：将铋源和钛源混合后，研磨成粉末状配料，再将其压制成生坯，进行热处理后，得到样品，将样品置于悬浮容器中，并在悬浮容器底部持续通入Ar气，使样品悬浮于Ar气中，然后用CO2激光器将样品加热至熔化，待熔化的样品在Ar气中悬浮稳定后，停止加热，冷却后，即制得焦绿石结构Bi2Ti2O7陶瓷，本发明方法过程简单，无任何副产物，重复性好，制备的焦绿石结构Bi2Ti2O7块体材料纯度高，且制备原料配比的比例范围宽，不限于单一的配比。
一种过冷快速凝固法制备焦绿石结构 bi base sub

[发明专利]一种钛酸铋钠高温压电陶瓷的制备方法-CN202111000028.1在审
发明人：任鹏荣;王奕轲 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠高温压电陶瓷的制备方法，具体按以下步骤实施：将纯度大于98.5％的Bi2O3，Na2CO3，TiO2和Fe2O3按照化学计量比称量，使得BNT与BiFeO3的摩尔比为70:30～40:60；将步骤1中的各组分加入行星球磨机中，并用酒精为介质进行球磨，球磨混合后取出，然后将混合后的浆料干燥得到掺杂BiFeO3的BNT粉体；将粉体通过等静压技术压制成圆片；将圆片烧结制得陶瓷片；将陶瓷片打磨、抛光后用无水乙醇洗涤；将洗涤后的陶瓷片置于淬火炉中进行淬火处理，随后进行风冷至室温，即得钛酸铋钠高温压电陶瓷。本发明制备的钛酸铋钠高温压电陶瓷压电性能和高温压电性能优异。
一种钛酸铋钠高温压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种高储能钛酸钡基介质材料及其制备方法-CN201811004852.2有效
发明人：郝华;蒋雪雯;刘韩星;吕佳浩;谢娟;曹明贺;尧中华 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能钛酸钡基介质材料及其制备方法：该材料的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBi(Mg1/2Zr1/2)O3，其中x=0.02~0.20，包括以下步骤：（1）以BaCO3、TiO2、Bi2O3、MgO、ZrO2为原料，根据化学式剂量比配料；（2）使用湿法球磨将原料球磨混合均匀，烘干，在马弗炉中预烧得到陶瓷粉体；（3）将预烧粉体球磨、烘干、造粒、压制成陶瓷生坯；（4）将生坯排胶、烧结得到陶瓷样品。该方法制备工艺简单，成本低，无铅无污染，所制备的储能介质陶瓷材料具有高放电储能密度0.31~1.45J/cm3和较高的击穿强度82~191kV/cm。
一种高储能钛酸钡介质材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米极化结构的B位局域高熵陶瓷材料、制备方法及其应用-CN202111024647.4在审
发明人：蒲永平;张磊;陈敏;彭鑫;王博;李欣 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的具有纳米极化结构的B位局域高熵介电陶瓷、制备方法及应用，其化学计量式为(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaMg1/6Zn1/6Nb1/3Ta1/3O3((1‑x)NBT‑xBMZNT)，或者(Na0.5Bi0.5)1‑xBaxTi1‑x(Mg1/6Zn1/6Nb1/3Ta1/3)xO3。(NBBTMZNT)，x≤0.3。通过固相法制备纯相的NBT和BMZNT，然后通过二次球磨，过筛，冷等静压和烧结得到陶瓷样品。不但具有纳米级别的极化结构，而且制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，成为替代铅基陶瓷材料用作高端工业应用材料在技术和经济上兼优的重要候选材料。
一种纳米极化结构局域陶瓷材料制备方法及其应用

[发明专利]基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器及其制备方法-CN202110793639.X在审
发明人：赵烨;朱立鹏;郝喜红;孟祥俊;李雍 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器及其制备方法，涉及弛豫铁电厚膜材料技术领域，所述的基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器由介质层和内电极组成，所述的介质层采用的原料为(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xSr1‑0.15yBiyTiO3粉体；其中，(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xSr1‑0.15yBiyTiO3中的x和y为摩尔数，0.38≤x≤0.56，0≤y≤0.2。本发明提供的基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器将能量存储与电卡制冷集成至单一材料，缩小集成电路体积及质量，以此来同步实现能量存储与电卡制冷，解决现今储能电容器因热效应导致服役寿命缩短的问题。本发明提供的基于能量存储与电卡制冷的多层陶瓷电容器同时实现了高储能密度4.5J/cm3与宽温区(33‑103℃)、大电卡(ΔT＝2.5℃)。
基于能量存储制冷多层陶瓷电容器及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠织构陶瓷的制备方法-CN202110709294.5在审
发明人：魏丹丹;李文轩;于银山;孔庆霞 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸铋钠织构陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1：采用固相法合成陶瓷基体粉末；S2：采用两步熔盐法合成片状模板晶粒；S3：将步骤S1得到的基体粉末和步骤S2得到的模板晶粒混合；S4：对步骤S3得到的混合粉体进行造粒，将造粒后的颗粒装入模具中并压制成为陶瓷生坯；S5：将步骤S4所得的陶瓷生坯进行排胶、烧结，得到织构陶瓷。该方法工艺简单、易于操作、成本低廉，节约实验成本与设备投入，能制备出织构度较高且压电性能优良的织构陶瓷。
一种钛酸铋钠织构陶瓷制备方法

[发明专利]高储能密度的钛酸铋钠基电介质薄膜及其制备方法和应用-CN201810171649.8有效
发明人：翟继卫;陈盼;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及高储能密度的钛酸铋钠基电介质薄膜及其制备方法和应用，组成为Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3‑xSrZrO3，其制备方法为溶胶凝胶法，按照化学计量比配置前驱体溶液，随后滴至洗净的Pt/Ti/SiO2/Si基片上旋转涂覆，依次经过150℃‑350℃‑700℃热处理，重复上述旋转镀膜以及热处理工艺，直至膜厚达到500～600nm，并且还可以在薄膜上使用溅射工艺制备金属上电极。与现有技术相比，本发明制备的高储能密度薄膜电容器具有优异的储能性能，其储能密度为25J/cm3，储能效率为79.16％，温度稳定性良好。
高储能密度钛酸铋钠基电介质薄膜及其制备方法应用

[发明专利]具有多铁性能的五层层状结构的钛铁钴酸锶铋陶瓷材料及其制备方法-CN201810974109.3有效
发明人：卢玉溪;孙慧;陈小兵 -专利权人：扬州大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多铁性能的五层层状结构的钛铁钴酸锶铋陶瓷材料及其制备方法，该方法用溶胶凝胶自燃烧法，将钛源、锶源、铋源、铁源、钴源按摩尔比在硝酸溶液中混合，加入适量络合剂柠檬酸，得到澄清溶胶；将溶胶油浴搅拌及恒温干燥制成干凝胶；将干凝胶加热并保温制得粉体，将粉体经预合成、压片、烧结，得到化学式为SrxBi6‑xFe1‑x/2Co1‑x/2Ti3+xO18的五层层状结构的钛铁钴酸锶铋多铁陶瓷材料，制得的产品在室温下具有良好铁电性和铁磁性。该工艺合理高效，样品制备温度远远低于现行固相烧结工艺的制备温度，降低了能耗，非常便于产业化生产。
具有性能层状结构钛铁钴酸锶铋陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201910025697.0有效
发明人：杨玲;许积文;窦闰镨;周昌荣;王华;袁昌来 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1‑y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1‑x(W0.5Mg0.5)xO3‑yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。
兼具压电性能陶瓷及其制备方法

[发明专利]高铁电稳定性兼具超快速充放电、高储能效率的钛酸铋钠基陶瓷材料及制备方法-CN202110852777.0在审
发明人：杨祖培;王家辉;彭战辉;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种高铁电稳定性兼具超快速充放电、高储能效率的钛酸铋钠基陶瓷材料及制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xCaTiO3，式中x代表CaTiO3占总物质量的摩尔比，x的取值为0.1～0.25。该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、压片、无压密闭烧结等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高，所得陶瓷材料具有高的铁电稳定性(频率稳定性和循环稳定性)、极低的剩余极化强度，兼具极高的储能效率以及充放电表现，实用性强，易于生产，是一种性能优良的无铅铁电陶瓷，是在脉冲功率材料系统领域内的一种新型备选材料。
高铁电稳定性兼具快速放电高储能效率钛酸铋钠基陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种窄带隙钛酸铋钠-镍钛酸钡铁电材料及其制备方法和用途-CN201811312517.9有效
发明人：郭益平;肖鸿源 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供一种窄带隙钛酸铋钠‑镍钛酸钡铁电材料及其制备方法和用途，所述铁电材料的通式为(1‑x)(Na0.5Bi0.5)TiO3‑xBa(Ti0.5Ni0.5)O2.5；其中，x的取值范围为0.01~0.09。本发明提供的窄带隙高压电的铁电材料，能够同时实现对光、热和机械能的采集和响应，可以应用在多能量采集和多功能传感等器件中；在近红外光下具有较大的光响应电流，可以应用在红外探测器和光通讯器件等领域中。
一种窄带隙钛酸铋钠钛酸钡材料及其制备方法用途

[发明专利]铋基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法-CN201811180655.6有效
发明人：周佳骏;童兴野;宋岷蔚;刘红;方敬忠 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开一种铋基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，涉及电子陶瓷与元器件技术领域，用于储能电容器应用的相关领域。该材料的化学成分符合通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3+x SrTiO3+ywt％Nb2O5，采用传统的陶瓷制备工艺合成。通过Nb的加入，使得陶瓷的晶粒尺寸得到细化，击穿场强提高。本发明制作的陶瓷元件，在E＝13kV/mm的直流电场下，可以获得Wrec～1.8J/cm3的储能密度，能量效率η可以达到80％；同时，该材料的储能性能的温度稳定性良好。
铋基无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法