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[发明专利]一种无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法-CN201911248704.X有效
发明人：姜胜林;沈孟;张光祖 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种能量密度及温度稳定性提高的无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法。其为在陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3中引入SiO2纳米颗粒后获得，其中x为原子比，0≤x≤0.25；且SiO2纳米颗粒占陶瓷材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaZrxTi1‑xO3的质量百分数不大于0.2％。在热释电陶瓷晶界位置中引入SiO2纳米颗粒，使其形成SiO2三维网络结构，加快复合陶瓷的热传递，从而提升了复合陶瓷的能量密度及其温度稳定性。
一种无铅热释电复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种利用功能团掺杂诱导BNT-BT基无铅负电卡材料的制备方法-CN202010981809.2在审
发明人：彭彪林;梁国闯 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用功能团掺杂诱导BNT‑BT基无铅负电卡材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种利用功能团掺杂诱导BNT‑BT基无铅负电卡材料的制备方法，是按照(1‑z){(1‑x)BNT‑xBT}‑z{(1‑y)BT‑yBMT}化学计量比称量所得原料，在无水乙醇的介质下球磨制备混合浆料；烘干所得产品，制得原料粉体；将所得原料粉体预压成型后进行煅烧，得到煅烧块体；将所得煅烧块体球磨；所得产品烘干、过筛；将所得产品压制成直径为5‑10mm、厚度为1‑2mm的样品后冷等静压制成样品胚体；得到的样品胚体烧结、等却至室温之后打磨成厚度为500‑1000um的薄片，即得。本发明制备方法可以通过改变改变功能团掺杂比例调控陶瓷材料的结构和电卡性能，是一种方便快捷的制备技术。
一种利用功能掺杂诱导 bnt bt 基无铅负电材料制备方法

[发明专利]一种高极性无铅铁电半导体陶瓷及制备方法-CN201710331201.3有效
发明人：周昌荣;许积文;黎清宁;袁昌来;曾卫东;杨玲;陈国华 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。
一种极性铅铁半导体陶瓷制备方法

[发明专利]一种(Bi1/2-CN201711072282.6有效
发明人：朱满康;郭志华;位秋梅;赵海燕;郑木鹏;侯育冬 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种(Bi1/2K1/2)TiO3基二元无铅压电陶瓷及其制备，属于压电陶瓷领域。所用的原料为Bi2O3,K2CO3,TiO2,Sb2O3和MnCO3，实现了无铅陶瓷的制备。该体系在800‑900℃进行煅烧，1040‑1070℃进行烧结Bi(Mg2/3Sb1/3)O3的加入，成功了提高了KBT的压电性能，在准同型相界(MPB)x＝1.5％附近，退极化温度Td＝200℃，d33＝104pC/N。在传感器，致动器,滤波器等方面具有巨大的应用潜力。
一种 bi base sub

[发明专利]一种无铅反铁电体陶瓷及其制备方法-CN201711317865.0有效
发明人：蒲永平;张磊 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的无铅反铁电体陶瓷材料，其化学计量式为0.775NBT‑0.225BSN‑xwt%MgO。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将MgO添加到0.775Na0.5Bi0.5TiO3‑0.225BaSnO3中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到0.775Na0.5Bi0.5TiO3‑0.225BaSnO3‑xwt%MgO(0.775NBT‑0.225BSN‑xwt%MgO)陶瓷样品。本发明提供的0.775NBT‑0.225BSN‑xwt%MgO无铅反铁电体陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种新的无铅的储能材料基体。
一种无铅反铁电体陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高温巨电致应变陶瓷材料及其制备方法-CN201911155670.X有效
发明人：岳振星;卞帅帅;骆宇;郭蔚嘉;陈雨谷 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温用巨电致应变陶瓷材料，其以Bi0.5Na0.5TiO3和Bi0.1Na0.7NbO3为基体，化学组成成分为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBi0.1Na0.7NbO3，其中x＝0.05‑0.2，对应x＝0.1的陶瓷材料在185℃达到单极应变最大值1.6％左右，其与目前最大的单晶的应变数值相当，超出目前的含铅或无铅的压电陶瓷，具有优异的性能。并且，其电致应变曲线具有较小的滞后性，线性度较好，可以较为精确地通过相应的电场控制材料的应变数值，有望在高温压电材料领域如汽车的电控汽油喷射系统以及高温压电致动器或马达等领域中得到应用，并且可用于高温下的精确控制致动系统。
一种高温巨电致应变陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法-CN201911154752.2有效
发明人：沈孟;姜胜林;张光祖 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。
一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度方法

[发明专利]一种大电致应变的无铅BNT-BT基体系陶瓷-CN201711071198.2有效
发明人：朱满康;位秋梅;李玲;郑木鹏;侯育冬 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种大电致应变的无铅BNT‑BT基体系，属于无铅铁电陶瓷材料领域。化学通式(1‑x)(Bi1/2Na1/2)TiO3‑xBaTiO3‑yBa(Zn1/3Nb2/3)O3，x＝0.06‑0.09，0y≤0.02，采用两步法准备样品，首先以ZnO或(MgCO3)4.Mg(OH)2.5H2O与Nb2O5结合制备ZnNb2O6(MgNb2O6)。之后再以Na2CO3、BaCO3、TiO2、Bi2O3及ZnNb2O6(MgNb2O6)为原料，制备三元无铅铁电陶瓷。获得了大电致应变，可以满足微位移器件对材料的要求。
一种大电致应变 bnt bt 基体陶瓷

[发明专利]一种掺杂LaMnO3-CN201810145065.3有效
发明人：王春明;王茜 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂LaMnO3的钛酸铋铁（Bi5Ti3FeO15）复合高温压电陶瓷及其制备方法，所述高温压电陶瓷以钛酸铋铁为基体，掺杂的LaMnO3包覆在钛酸铋铁基体的表面；所述复合高温压电陶瓷组成由以下通式表示：(1‑x)Bi5Ti3FeO15‑xLaMnO3，与现有技术相比，本发明制备的高温压电陶瓷材料能够显著提高压电性能，并有效的保持温度稳定性，利用此类陶瓷元件组装成的压电传感器，可以在高温下的使用，能够广泛应用于高温测量、探测及自动控制领域。
一种掺杂 lamno base sub

[发明专利]一种无铅弛豫反铁电陶瓷储能材料及其制备方法-CN201811143060.3有效
发明人：李景雷;李飞;杨帅;刘金凤;徐卓;张树君 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅弛豫反铁电陶瓷储能材料及其制备方法，化学式为(1‑x‑y)(Na0.5Bi0.5)TiO3–x(Sr0.7Bi0.2)TiO3–yMe2O3，其中，Me为La、Sm及Dy中的一种或两种，x及y表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7，0.01≤y≤0.2，该材料具有储能密度较高、储能效率高及弛豫化特点，并且制备方法简单。
一种无铅弛豫反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅低损耗高储能密度陶瓷材料及其制备方法-CN201710771078.7有效
发明人：杨海波;闫非;林营 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种无铅低损耗高储能密度陶瓷材料及其制备方法，首先按照化学式(1‑x)SrTiO3‑x(0.95Bi0.5Na0.5TiO3‑0.05BaAl0.5Nb0.5O3)进行配料，其中x表示摩尔分数，且0.1≤x≤0.8；经球磨、干燥后获得原料粉体；将获得的原料粉体加入粘合剂进行造粒，陈腐24～48小时后，压制成片，排胶处理后在1225～1350℃下烧结，即可得到无铅低损耗高储能密度陶瓷材料。本发明的陶瓷材料制备工艺简单、稳定，适合工业化生产，其介电损耗低、储能特性优良，基于电滞回线计算的储能密度在1.40～1.89J/cm3之间，储能效率在72～97％之间。
一种无铅低损耗高储能密度陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种氮、铌酸钾双掺杂无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202010730046.4在审
发明人：钟日城 -专利权人：杭州肄康新材料有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮、铌酸钾双掺杂无铅压电陶瓷及其制备方法，所述压电陶瓷经过球磨煅烧合成,(Bi0.5Na0.5)TiO3‑BaTiO3合成原料为：Bi2O3、Ba2CO3、Na2CO3、TiO2，KNbO3合成原料为：K2CO3、Nb2O5，氮源为：CH4N2O、CH4N2S，通过调节铌酸钾、氮合成原料比例，将N、KNbO3引入具有四方结构的(Bi0.5Na0.5)TiO3‑BaTiO3中，利用结构相似性，保持热稳定的压电性能，促进BNT基组合物的铁电和压电性能，本发明所制备的双掺杂无铅压电陶瓷具有稳定的晶格结构和铁电有序有助于压电的出色热稳定性，为(Bi0.5Na0.5)TiO3‑BaTiO3基压电陶瓷性能提升提供了一种新的解决办法。
一种铌酸钾双掺杂压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种无铅高储能密度和宽温稳定陶瓷材料及其制备方法-CN201710773858.5有效
发明人：杨海波;闫非;林营 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种无铅高储能密度和宽温稳定陶瓷材料及其制备方法，向Bi(0.5‑x)Lax(Na0.82K0.18)0.5Ti0.96Zr0.02Sn0.02O3粉体中加入粘合剂，进行造粒，陈腐后于200～250MPa下压片，再进行排胶处理得到试样生坯，将试样生坯烧结成瓷，得到无铅高储能密度和宽温稳定陶瓷材料。本发明的陶瓷材料制备工艺简单、稳定，适合工业化生产，其储能特性优良。基于电滞回线计算，该陶瓷材料在室温下的储能密度在0.85～1.95J/cm3；储能效率在65～85％，电容值在较宽的温度范围内的变化率小于±15％，表现出优异的储能特性和温度稳定性，适用于较宽的工作温度、频率范围和应用领域。
一种无铅高储能密度稳定陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米立方体铁电材料的制备方法-CN201810292934.5有效
发明人：方必军;张琦蕙;孙建建;吴盾;杜庆柏;丁建宁 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于铁电多功能材料领域，一种纳米立方体铁电材料的制备方法，包括两步水热反应过程：(1)在低温条件下形成BNT‑Er/Yb晶核，再在高温超临界条件下制备纳米籽晶Na0.5Bi0.5‑x(Er/Yb)xTiO3(BNT‑Er/Yb)；(2)在中温超临界条件下自组装制备纳米立方体铁电材料Na0.5Bi0.5‑x(Er/Yb)xTiO3(BNT‑Er/Yb)，式中Er与Yb的原子数量比为1/1‑1/10，其中x＝0‑0.05。通过两步水热反应自组装制备纳米立方体铁电材料，避免了传统固相法的高温煅烧，得到纳米立方体铁电材料，呈现增强的荧光和热释电性能，有望在LED照明、红外气体传感器等领域应用。
一种纳米立方体材料制备方法

[发明专利]一种利用构建离子对获得大应变小滞后的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法-CN202010519389.6在审
发明人：李伟力;曹文萍;费维栋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种利用构建离子对获得大应变小滞后性的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法，它涉及无铅压电陶瓷领域。本发明要解决现有铁电陶瓷应变滞后性严重的问题。本发明陶瓷制备：a)利用固相球磨法制备施主(Nb2O5)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.75Sr0.25Ti(1‑x)O3‑0.5xNb2O5陶瓷粉体；b)在850～950℃温度下预烧粉体；c)将粉末冷压成片，在1140℃‑1160℃温度下烧结成致密陶瓷。本发明通过在准同型相区的0.75BNT‑0.25ST陶瓷进行施主掺杂，在陶瓷晶格内形成Ti3+‑Nb5+离子对，利用离子对形成偶极矩使畴翻转可逆制备出应变大滞后小的铁电陶瓷，本发明应用于无铅铁电陶瓷领域。
一种利用构建离子对获得变小滞后钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法