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[发明专利]一种具有束腰状电滞回线的高储能铁酸铋基陶瓷材料及其制备方法-CN202311029595.9在审
发明人： 蒲永平;张金波;张磊;潘乔 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过多维度调控获得具有束腰状电滞回线的高储能铁酸铋基陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的化学通式为：(0.6‑x)BiFeO3‑0.4SrTiO3‑xNaNbO3，其中x表示摩尔百分比，0＜x≤0.10；其制备方法包括：按照化学通式中各原料的化学计量比将原料混合，经过配料、球磨、烘干、过筛、等静压成型、致密化烧结等固相烧结工艺，本发明提供的陶瓷材料具有束腰状的电滞回线，表现出类反铁电特性(高的饱和极化强度Pmax和低的剩余极化强度Pr)，获得优异的储能密度和效率，并且本发明的制备工艺简单，易于大规模生产，材料成本低，绿色环保，为制备取代高储能的铅基类反铁电陶瓷材料提供了新方法。
一种具有束腰状电滞回线高储能铁酸铋基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种通过氧空位调控具有超低损耗和高绝缘电阻率的巨介电陶瓷及其制备方法-CN202210807443.6有效
发明人： 蒲永平;张贤;王博;张金波;宁亚婷;上阳超;鲁翔 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种通过氧空位调控具有超低损耗和高绝缘电阻率的巨介电陶瓷及其制备方法，其配方化学计量式为Sr1‑xErxTiO3，x＝0,0.002,0.006,0.008,0.010,0.012,0.014，其中x为摩尔质量百分比。由经球磨煅烧粉碎后所得的SrTiO3粉体和Er2O3粉体混合球磨烘干后制得。具有巨介电、超低损耗、高电阻率、制备工艺简单和环境友好等优点。
一种通过空位调控具有损耗绝缘电阻率巨介电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高介电高击穿钛酸锶陶瓷的制备方法-CN202210233072.5有效
发明人： 蒲永平;欧阳涛;吉佳敏;周世昱 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电高击穿钛酸锶陶瓷的制备方法，属于陶瓷材料制备技术领域。该制备方法包括：制备钛酸锶陶瓷坯体；将所述钛酸锶陶瓷坯体加热至1000～1150℃，并在1000～1150℃的温度下保温30min；对保温后的所述钛酸锶陶瓷坯体的两端施加强度为250V/cm的恒压电场，直至发生闪烧，然后控制电流密度增大至10～30mA/mm2并继续闪烧，30～120S后结束闪烧，即得高介电高击穿钛酸锶陶瓷。本发明提供的制备方法通过在短时间的高温预热后进行控制电压、电流密度等工艺参数的闪烧烧结，明显缩短了烧结时间并降低了烧结温度，而且在保持高致密化的情况下抑制了陶瓷的晶粒生长，实现了钛酸锶陶瓷的介电和击穿特性的提高。
一种高介电高击穿钛酸锶陶瓷制备方法

[发明专利]具有优异储能性能的KNNSB弛豫玻璃陶瓷材料及其制备方法-CN202310437693.X在审
发明人： 蒲永平;蒿毓鑫 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明公开了具有优异储能性能的KNNSB弛豫玻璃陶瓷材料及其制备方法，制备方法包括步骤：步骤1、将25～35mol Na2CO3、5～10mol K2CO3、35～40mol Nb2O5、20～25mol SiO2和1～5mol BaCO3混合均匀，得到混合物A；步骤2、将混合物A加入已预热至1150～1250℃的坩埚内，接着升温至1450℃并保温使混合物A完全熔融至无气泡产生，得到熔体，然后将熔体倒入已预热至200℃的铜模具，待成型后得到产物B；步骤3、将产物B快速转移至已提前升温至500～600℃的退火炉中并保温，随炉冷却后，得到玻璃样品；步骤4、将玻璃样品放入马弗炉，以5℃/min的升温速率自室温升温至700℃～1100℃并保温使玻璃样品晶化，随炉冷却后，得到KNNSB弛豫玻璃陶瓷材料，提高了玻璃陶瓷材料的击穿场强和储能密度。
具有优异性能 knnsb 玻璃陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种具有高内建电场的光催化剂及其制备方法-CN202210025813.0有效
发明人： 蒲永平;吉佳敏;欧阳涛;周世昱 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01J23/18 文献下载
摘要：本发明公开一种具有高内建电场的光催化剂及其制备方法，首先制备具有高表面活性的(Na0.5Bi0.5)0.3Ba0.7TiO3光催化剂，然后将其置于自制极化装置中，通过改变外加电场的大小实现光催化剂中内电场的调控，得到具有高光催化效率的(Na0.5Bi0.5)0.3Ba0.7TiO3粉体材料；可实现低极化电场作用下，光催化剂效率的大幅度提高，且制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，可实现具有高内建电场的铁电光催化材料的大量生产；本发明制得的(Na0.5Bi0.5)0.3Ba0.7TiO3光催化剂，拥有较大自发极化强度的同时，具有较低的矫顽场，在外场作用下易于极化，进而拥有较强的内建电场。
一种具有高内建电场光催化剂及其制备方法

[发明专利]用于储能电容器的钙钛矿型高熵氧化物陶瓷及其制备方法-CN202310423734.X在审
发明人： 蒲永平;宁亚婷;张金波;张贤;上阳超;吴春辉 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了用于储能电容器的钙钛矿型高熵氧化物陶瓷及其制备方法，化学通式为(5Me)(2Me*)O3，其中：Me为金属元素Na、Sr、Bi、Ca或Ba，且各金属元素的摩尔百分比为5％～35％；Me*为过渡金属元素Ti以及Nb、Sb或Hf；制备方法包括：1、称取BaCO3、Na2CO3、SrCO3、CaCO3、Bi2O3、TiO2、HfO2、Nb2O5和Sb2O3混合，得到混合物A；2、将混合物A研磨后，移入马弗炉，以2‑5℃/min的升温速率自室温升温至825‑900℃下进行煅烧，待自然冷却后，依次研磨、过筛和压制成型，得到陶瓷生坯，接着将陶瓷生坯移入气氛炉内，在氧气气氛下，以2‑5℃/min的升温速率自室温升温至1175‑1260℃下进行烧结，待自然冷却后得到钙钛矿型高熵氧化物陶瓷，具有高的储能密度和储能效率。
用于电容器钙钛矿型高熵氧化物陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种等距直齿磨盘齿型设计方法、系统及计算机存储介质-CN202210975628.8有效
发明人：刘欢;蒲永平;董继先;郭西雅;乔丽洁;王博 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种等距直齿磨盘齿型设计方法、系统及计算机存储介质，方法包括：确定最优目标净切向力值；根据最优目标净切向力值确定磨区当量磨齿总长度目标值；根据磨区当量磨齿总长度目标值确定单组磨齿总长度目标值；确定单组磨齿总长度实际值；比较单组磨齿总长度目标值和单组磨齿总长度实际值，根据比较结果确定齿型参数；确定磨区当量磨齿总长度实际值；比较磨区当量磨齿总长度实际值和磨区当量磨齿总长度目标值，根据比较结果对齿型参数进行调整。本发明针对特定的磨浆过程，以保证浆料质量、降低磨浆能耗为目标，采用经验与理论相结合的方法，可实现等距直齿磨盘齿型参数的参数化、个性化设计，提高等距直齿磨盘设计的灵活性及便捷性。
一种等距磨盘设计方法系统计算机存储介质

[发明专利]含Bi3+-CN202211676518.8在审
发明人： 蒲永平;蒿毓鑫 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含Bi3+的Na2O‑K2O‑Nb2O5‑SiO2玻璃陶瓷光催化材料及其制备方法，包括如下步骤：1、按照摩尔比x：(35‑x)：5：40：20分别取Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、Nb2O5和SiO2混合均匀，得到混合物，其中x＝1、2、3或4；2、将混合物加入已预热至1150～1250℃的坩埚内，继续加热使混合物熔融，并保温至无气泡，将熔体倒入已预热至200℃的模具中使其成型；3、待步骤2的熔体成型后，快速转移至退火炉中，以5℃/min的升温速率自室温升温至500～600℃并保温，随炉冷却后，得到玻璃样品；4、将玻璃样品放入马弗炉中，以5℃/min的升温速率自室温升温至700℃并保温，随炉冷却后，得到含Bi3+的Na2O‑K2O‑Nb2O5‑SiO2玻璃陶瓷光催化材料，具有优异的光催化性能。
bi base sup

[发明专利]含NaNbO3-CN202211676176.X在审
发明人： 蒲永平;蒿毓鑫 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含NaNbO3和Na0.9K0.1NbO3的铁电玻璃陶瓷光催化材料的制备方法，包括如下步骤：1、将30～35mol Na2CO3、5～10mol K2CO3、35～40mol Nb2O5和20～30mol SiO2混合均匀，得到混合物；2、将混合物加入已预热至1150～1250℃的坩埚内，继续加热使混合物熔融，并保温至无气泡，将熔体倒入已预热至200℃的模具中使其成型；3、待步骤2的熔体成型后，快速转移至退火炉中，以5℃/min的升温速率自室温升温至500～600℃并保温，随炉冷却后，得到玻璃样品；4、将玻璃样品放入马弗炉中，以5℃/min的升温速率自室温升温至700℃并保温，随炉冷却后，得到含NaNbO3和Na0.9K0.1NbO3的铁电玻璃陶瓷光催化材料，具有优异的光催化性能。
nanbo base sub

[发明专利]一种钛酸铋钠基无铅反铁电陶瓷材料及制备方法-CN202310102049.7在审
发明人：刘畅;张皓然;高攀;蒲永平 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠基无铅反铁电陶瓷材料及制备方法，属于材料制备领域。该陶瓷材料的原料为Bi2O3、Na2CO3、TiO2、SrCO3、MgO、SnO2，将Bi2O3、Na2CO3、TiO2、SrCO3、MgO、SnO2与锆球石和去离子水混合，依次进行球磨、烘干、过筛后压制成试样，在空气中一定温度保温3小时，随炉冷却，磨片，最后涂覆电极浆料即可，制得钛酸铋钠基无铅反铁电陶瓷材料。本发明方法制备的钛酸铋钠基无铅反铁电陶瓷材料具有明显的弛豫现象，制备工艺简单、环保、制作成本低、介电常数大，介电损耗小、具有优异的高温稳定性和明显的频率色散，应用广泛，在脉冲功率系统中具有优异的应用。
一种钛酸铋钠基无铅反铁电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种压电杀菌陶瓷材料及制备方法-CN202310056395.6在审
发明人： 蒲永平;陈敏;张磊;商晶;上阳超;杨勇强 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种压电杀菌陶瓷材料及制备方法，其化学式为Na1‑2xMgxNbO3。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将MgO添加到NaNbO3中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压、烧结和极化得到Na1‑2xMgxNbO3陶瓷样品。本发明提供的Na1‑2xMgxNbO3陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种新的压电杀菌陶瓷材料。
一种压电杀菌陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种具有高转变场的无铅反铁电陶瓷及制备方法-CN202310057745.0在审
发明人： 蒲永平;陈敏;张磊;商晶;上阳超;杨勇强 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种具有高转变场的无铅反铁电陶瓷材料，其化学式为(1‑x)NaNbO3‑xBi2/3HfO3。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法，将Bi2/3HfO3添加到NaNbO3中，通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压、烧结得到(1‑x)NaNbO3‑xBi2/3HfO3陶瓷样品。本发明提供的(1‑x)NaNbO3‑xBi2/3HfO3陶瓷材料制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，提供了一种新的无铅反铁电陶瓷材料。
一种具有转变无铅反铁电陶瓷制备方法

[发明专利]具有高储能密度和高储能效率的中熵陶瓷材料及其制备方法-CN202310152648.X在审
发明人： 蒲永平;宁亚婷;张金波;张贤;上阳超 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高储能密度和高储能效率的中熵陶瓷材料及其制备方法，包括步骤：1、依据化学式(Ba0.6Na0.2Bi0.2)TiO3和NaNbO3，按照金属原子的摩尔比取Na2CO3、Bi2O3、BaCO3和TiO2混合，得到混合物A；取Na2CO3和Nb2O5混合，得到混合物B；2、将混合物A和混合物B分别球磨、烘干，将混合物A置于马弗炉中，升温至850‑875℃并保温，得到(Ba0.6Na0.2Bi0.2)TiO3；将混合物B置于马弗炉中升温至825‑850℃并保温，得到NaNbO3粉体；3、将(Ba0.6Na0.2Bi0.2)TiO3和NaNbO3进行混合，得到混合物C，将混合物C球磨、烘干、过筛和压片，得到(1‑x)(Ba0.6Na0.2Bi0.2)TiO3‑xNaNbO3；4、将(1‑x)(Ba0.6Na0.2Bi0.2)TiO3‑xNaNbO3置于高温箱式炉中，在氧气气氛下，升温至1145‑1165℃并保温，得到具有高储能密度和高储能效率的中熵陶瓷材料。
具有高储能密度效率陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种Sm掺杂储能线性电介质陶瓷材料及其制备方法-CN202211434463.X在审
发明人： 蒲永平;张旭晴 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sm掺杂储能线性电介质陶瓷材料及其制备方法，方法包括步骤：1、按照化学式(Ca0.5Sr0.5)1‑1.5xSmxTiO3分别取SrTiO3、CaCO3、TiO2和Sm2O3粉体混合均匀并进行球磨，烘干后得到混合粉体；2、将混合粉体置于反应釜中，先以5℃/min的速率自室温升温至1200℃并保温，再以5℃/min的速率降温至500℃，随炉冷却到室温，得到块状固体；3、先将块状固体粉碎，再进行球磨、烘干，过筛后得到(Ca0.5Sr0.5)1‑1.5xSmxTiO3粉体；4、将(Ca0.5Sr0.5)1‑1.5xSmxTiO3粉体倒入模具中预压、脱模后得到生胚，生胚成型后得到陶瓷样品；5、将陶瓷样品置于箱式炉内烧结，得到(Ca0.5Sr0.5)1‑1.5xSmxTiO3线性电介质陶瓷材料，其中x为Sm的摩尔百分比，且0x≤0.15，不仅提高了陶瓷材料的储能密度，而且制备方法简单、成本低。
一种 sm 掺杂线性电介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷、制备方法及其应用-CN202111219826.3在审
发明人：王大伟;周世昱;蒲永平;张倩雯;于淑慧;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷及其制备方法，属于无机非金属材料领域。该陶瓷组成为：(1‑x)ABO3‑xA’B’O3，其中，ABO3选自BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、BiFeO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3、(Bi0.5K0.5)TiO3、NaNbO3和(K0.5Na0.5)NbO3中的至少一种，A’选自Ba、Sr、Ca、Bi、Na、K中的至少一种，B’选自Zn、Mg、Al、Fe、Co、Mn、Sn、Zr、Hf、Ti、Nb、Ta中的至少5种；所述高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷中的多元阳离子高熵钙钛矿氧化物以A’B’O3的形式进入铁电相ABO3。本发明以固相合成法，通过球磨、干燥、粉碎、细磨过筛、干压成型等步骤后，经过烧结制备得到钙钛矿陶瓷。本发明制备的高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷具有良好的介电性能，可应用于电容器等领域。
一种高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷制备方法及其应用

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