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[发明专利]一种利用太阳能电池废旧玻璃提纯多晶硅废料的方法-CN202210593958.0在审
发明人：李佳艳;潘迪;闫霜;孙岩;李鹏廷;姜大川;谭毅 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于太阳能废弃组件回收利用领域，具体涉及一种利用太阳能电池废旧玻璃提纯多晶硅废料的方法。所述方法包括以下步骤：(1)获取晶硅废料备用；(2)获得玻璃碎渣；(3)将玻璃碎渣与辅料混匀得到精炼渣；(4)将晶硅废料和精炼渣按照一定质量比放入坩埚中，精炼渣与晶硅废料的质量比为1‑10:1；(5)将盛有晶硅废料和精炼渣的坩埚放入高温炉内，设置高温炉工作温度为1450℃‑1700℃，保温0.5‑5h，进行保温精炼1‑5次，随后分离硅渣两相。本发明的方法可以直接利用玻璃碎渣作为精炼渣主要成分，使用操作方便，大大提高非金属夹杂物的去除率，改善多晶硅品质，本发明方法硅纯度为2N‑6N，其中夹杂物低于1％。
一种利用太阳能电池废旧玻璃提纯多晶废料方法

[发明专利]一种用于多晶硅生产的氢气循环系统-CN202110231088.8有效
发明人：司文学;汤传斌;张升学;杨永亮;万烨;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本申请提供一种用于多晶硅生产的氢气循环系统。该氢气循环系统包括：第一氢气循环子系统，与第一氢气循环子系统中的第一氢气储存装置相连接的第一氢气纯化装置；与所述第一氢气纯化装置相连接的第二氢气循环子系统。本申请的氢气循环系统适用于太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、区熔级多晶硅共存的生产，可以为太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、区熔级多晶硅的生产分别提供满足不同要求的氢气源。
一种用于多晶生产氢气循环系统

[发明专利]一种用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈和方法-CN202010026452.2有效
发明人：张桂芳;姜琦;严鹏;周春晖;漆鑫;杨清荣;刘宇;杨睿潇;邓贵先;易兵 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈和方法，属于电磁悬浮熔炼技术领域。该用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈，电磁悬浮线圈包括上端线圈和下端线圈；下端线圈与上端线圈为反向串联绕制，绕匝间距为0.5～1.0mm；所述上端线圈为1～2匝，内径为16～22mm；所述下端线圈为3～5匝，内径为16～22mm；所述两个上、下端线圈之间的间距为10～15mm；所述绕制线圈的材料采用直径为4～6mm的空心铜导管，绕制线圈的悬浮样品质量为0.6～1.0g，悬浮样品初始位置为两个线圈之间的间距中心位置下5～10mm。本发明通过改变电磁悬浮线圈的结构特性，使半导体材料冶金级硅快速升温，促使冶金级硅的电导率急剧上升，使其达到感应加热及悬浮精炼条件。
一种用于冶金电磁悬浮处理线圈方法

[发明专利]一种晶体硅切割废料浆处理装置-CN201810253153.5有效
发明人：张余庆 -专利权人：张余庆
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅切割废料浆处理装置，包括废料回收箱本体，所述废料回收箱本体上设有固液分离机构，所述固液分离机构设有卡扣、小孔隔网、小孔、隔网、液体储存箱，所述废料回收箱本体一侧设有固体酸洗机构，所述废料回收箱本体一侧设有烘干机构，所述烘干机构设有烘干箱、热量传递筒、温度感应器一，所述废料回收箱本体一侧设有熔炼机构，所述熔炼机构设有真空感应炉、熔炼放置台、金属导体、电磁感应器、抽气管、抽气机、温度感应器二、温度控制器，所述废料回收箱本体一侧设有凝固机构，所述废料回收箱本体一侧设有自发电机构，所述废料回收箱本体一侧设有控制器。本发明的有益效果是，结构简单，实用性强。
一种晶体切割废料处理装置

[发明专利]一种从切割废浆液中回收硅粉资源化的方法-CN202210193530.7在审
发明人：郭策 -专利权人：上海峻岗环保科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种从切割废浆液中回收硅粉资源化的方法，包括以下步骤：步骤1：先对切割废浆液进行预处理，得到含杂微硅粉；步骤2：先将切割废浆液中产生的含杂微硅粉导入干燥床进行干燥，得到粗粉；步骤3：然后对步骤2中所得的粗粉进行筛分，得到粗粉和细粉；步骤4：将步骤3中所得的细粉导入微粉储罐，然后导入C2‑C4反应器反应，然后得到SiC粉体产品；步骤5：将步骤3中所得的粗粉分别导入单晶产品炉和多晶产品炉。本发明中从切割废浆液中回收硅的方法，硅粉回收率较高，同时提高了硅粉单体的含量，并且回收的硅粉可用作太阳能硅片的原料，该方法适于工业中推广应用。
一种切割浆液回收资源方法

[发明专利]一种硅片切割废料回收制备高纯硅的方法-CN202110244826.2有效
发明人：马文会;杨时聪;魏奎先;邓小聪 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片切割废料回收制备高纯硅的方法，属于硅资源高值化再生利用技术领域。本发明基于硅片切割废料中高纯硅含量高、表面氧化和金属杂质富集表面的特点，提出硅片切割废料“真空熔炼精炼‑真空定向铸锭提纯”直接制备高纯硅的方法，即以新鲜硅片切割废料为原料，在隔氧或惰性气体下进行预处理，在真空条件下将硅片切割废料熔化、扒渣、精炼，再进行硅熔体的真空定向铸锭提纯，得到纯度6N级以上的高生硅产品。本发明所得的纯度6N级以上的高生硅产品可以直接或者兑掺用于单晶拉制与铸造单/多晶硅晶体生长，具有设备要求简单、无需添加剂、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产的优势。
一种硅片切割废料回收制备高纯方法

[发明专利]一种多晶硅还原炉-CN202210541740.0在审
发明人：卫敏;张天巍 -专利权人：卫敏
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅还原炉技术领域，具体为一种多晶硅还原炉，包括炉体，所述炉体的下端靠近两侧的位置均固定连接有出料管，所述炉体的下端内壁固定连接有底座，所述底座的上端插接有硅棒，所述炉体的下端位于两个出料管之间的两侧位置均固定连接有进气管，所述炉体的上端固定连接有排气管，所述炉体的内部设有刮除机构，所述刮除机构包括横杆，所述横杆固定连接于排气管的内壁，所述横杆的上端转动连接有扇叶，所述扇叶的外壁下端转动连接有皮带，可以持续的对硅棒表面还原生成的多晶硅刮除，避免在硅棒的表面堆积影响硅棒的发热能力，提高了硅的还原反应能力，使生成物的质量更纯，提高了该装置的实用性。
一种多晶还原

[发明专利]一种多晶硅生产工艺的余热回收系统及工艺-CN202210820685.9在审
发明人：郭宏新;吴维涛;陈飞;何松;袁文兵;刘丰;沈恒 -专利权人：江苏中圣高科技产业有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种多晶硅生产工艺的余热回收系统及工艺，其特征在于，所述的系统包括汽化器（1）、混合器（2）、过热器（3）、多晶硅还原炉（4）以及撬装余热回收装置（9），所述汽化器（1）的管程进口通过管道与三氯氢硅气源（5）联通，所述汽化器（1）的壳程进口与所述过热器（3）的壳程出口联通，所述混合器（2）的进口与所述汽化器（1）的管程出口通过第一氢气管道（6）与氢气气源（7）联通；所述过热器（3）的管程进口与所述混合器（2）的出口联通，所述过热器（3）的管程出口与所述多晶硅还原炉（4）的一个进口相联通，所述多晶硅还原炉（4）的另一进口通过第二氢气管道（8）与氢气气源（7）相联通，所述多晶硅还原炉（4）的一个出口与所述撬装余热回收装置（9）的内管进口联通。本发明有利于降低能耗和生产成本。
一种多晶生产工艺余热回收系统工艺

[实用新型]一种多晶硅生产系统中的排残装置-CN202221454249.6有效
发明人：苏明;陈奇;芦涛;闵巨龙;杜康;蒙伟 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅生产系统中的排残装置，包括：排残管路，包括主管路，主管路上设有废液入口和废液出口。排残管路的主管路上设置有排残加压泵、换热器以及过滤单元，排残加压泵用于将废液从废液入口吸入排残管路，换热器位于排残加压泵的下游。过滤单元包括第一过滤器和第二过滤器，第一过滤器位于废液入口和排残加压泵之间，第二过滤器位于换热器与废液出口之间。主管路的一段为U型管道，U型管道设置于换热器与废液出口之间，U型管道的入口和出口处于第一水平面，U型管道的底部处于第二水平面，第一水平面高于第二水平面，第二过滤器设置于U型管道的底部。本排残装置能够有效地过滤废液中的固体杂质，以避免排残管路堵塞。
一种多晶生产系统中的装置

[实用新型]一种增大多晶硅还原炉反应效率的系统-CN202220812697.2有效
发明人：徐凯;何敬敬;赵长森;牛强;韩婷婷 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司;鄂尔多斯市西金矿冶有限责任公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了增大多晶硅还原炉反应效率的系统，涉及多晶硅工业生产领域，包括粗馏塔内的低沸物料，进入到高低沸一级塔，并经高低沸一级塔、一级塔冷凝器、一级回流罐和回流一级泵处理后，分为两路分别进入到反歧化反应器和杂质吸附塔，经过杂质吸附塔的精制二氯二氢硅最终进入到还原炉内；进入到高低沸二级塔再次精馏，高低沸二级塔塔顶排出三氯氢硅给一级塔再沸器加热，再通过二级塔冷凝器和二级回流罐，由回流二级泵打入到三氯氢硅储罐中；高低沸二级塔塔釜的物料再次进入到粗馏塔内进行分离。本实用新型将高低沸塔排出的粗二氯二氢硅充分利用，将其中用于还原炉中的提前通过杂质吸附塔得到精制二氯二氢硅。
一种增大多晶还原反应效率系统

[发明专利]一种颗粒硅除氢装置-CN202210636031.0在审
发明人：胡动力;章金兵 -专利权人：浙大宁波理工学院
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒硅除氢装置，它涉及颗粒硅除氢技术领域；所述微波烘烤炉内腔的底部固定安装有布气板，且微波烘烤炉的内腔盛装有颗粒硅，所述进气管穿过微波烘烤炉的底板与布气板保持连通，所述微波烘烤炉的顶板上固定安装有抽气管；本发明采用微波加热，通过磁控管振荡器发出的微波穿透颗粒硅，迅速加热，使得内部的温度高，脱氢效果好。同时在加热过程中冲入一定的纯氧、臭氧等强氧化剂，能够与吸附在颗粒硅孔洞内部的氢置换，同时与多余的氢反应，产生水蒸气溢出来。
一种颗粒装置

[发明专利]一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法-CN202210377628.8在审
发明人：邢鹏飞;魏冬卉;孔剑;庄艳歆;金星;冯忠宝;高波;尹华意 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法，按以下步骤进行：(1)高硅废料烘干后作为原料；准备造渣剂；(2)开启熔炼炉，将原料和造渣剂放入熔炼炉内进行造渣精炼，全部熔化后形成熔体；(3)完成造渣精炼后，将熔体出炉浇入模具中静置分层，或在熔炼炉内静置分层，硅熔体/硅合金熔体冷凝后形成高纯硅/硅合金。本发明的方法实现了晶体硅的金刚线切割废料高效的回收利用，减少了废料对环境的污染，实现了高温熔炼和精炼除杂合二为一。
一种用高硅废料造渣精炼生产高纯合金方法

[发明专利]一种工业硅降铁除磷的方法-CN202110126691.X有效
发明人：伍继君;何乾;马文会;魏奎先;陈正杰;雷云;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业硅降铁除磷的方法，属于冶金工业技术领域。本发明将工业硅细磨得到工业硅粉，工业硅粉置于酸溶液中搅拌反应除铁，清洗烘干得到低铁工业硅粉，低铁工业硅粉置于配有等离子体炬的真空感应炉内，真空条件下，感应加热工业硅粉至熔融态得到熔融硅，将电弧诱导的等离子体射流引导至熔融硅表面进行化学冶炼，等离子体射流搅动熔融硅产生高温点，使磷挥发从熔融硅中逸出得到低磷熔融硅，低磷熔融硅随炉冷却至室温得到硅锭，去除硅锭表面的浮渣，得到低磷工业硅。本发明方法的工艺、设备简单，操作方便，对原料的普适性高，除磷效果好。
一种工业硅降铁方法

[发明专利]一种回收太阳能级硅金刚线切割废料的方法-CN202110526430.7有效
发明人：黄柳青;罗学涛;彭昊;王时超;胡浩渊;魏明星;何儒斌;郭琳 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于光伏固废循环回收领域，具体涉及一种回收太阳能级硅金刚线切割废料的方法，包括：1)将金刚线切割粉进行清洗、干燥处理，获得初步净化的干燥粉末；2)将净化后的粉末与镁粉、氯化钠按质量比1：(0、0.01～0.05)：0.25～0.5混合，同时添加适量粘结剂进行研磨混合，并将研磨后的粉末压制成坯体；3)将压制坯体掩埋入切割粉中并通入惰性气体，在惰性气体气氛下对掩埋入切割粉中的坯体进行高温烧结，得到陶瓷片；4)用盐酸与氢氟酸配置成的酸洗液对烧结陶瓷片进行酸洗并干燥，制得高纯硅片；本发明开发了一种节能环保的废料回收再利用方法，可实现光伏废料循环利用，经本方法处理后的金刚线切割粉氧含量可降至1‑3％，硅回收率高于85％，纯度可达90‑96％。
一种回收太阳能级金刚切割废料方法

[发明专利]一种利用切割废硅粉快速制备硅纳米线的方法及应用-CN202110244799.9在审
发明人：王志;陆继军;刘俊昊;公旭中;钱国余 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用切割废硅粉快速制备硅纳米线的方法，属于二次资源利用的技术领域。该方法是以光伏产业晶体硅切割废硅粉为硅源，石墨烯为基底，通过高温快速热冲击过程在石墨烯基底上快速制备硅纳米线。所述的制备方法包括以下步骤：(1)将切割废硅粉与石墨烯粉末按一定比例混合制成均匀分散的悬浊液；(2)将混合悬浊液进行抽滤制备滤膜；(3)将滤膜在还原气氛中进行加热预还原部分脱除石墨烯中的官能团；(4)将预还原后的滤膜进行电致热冲击制备石墨烯负载的硅纳米线。将获得的石墨烯负载硅纳米线的薄膜用于锂离子电池负极时，具有高的硅含量、良好的电化学循环稳定性。本发明通过快速热冲击的方法将切割废硅粉制备成硅纳米线并用于锂离子电池负极材料，方法简单、绿色、制备过程快，易于实现切割废硅粉的高值化回收利用。
一种利用切割废硅粉快速制备纳米方法应用