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[发明专利]一种用微硅粉为原料制备工业硅精炼渣剂的方法-CN202210125150.X在审
发明人：龙潇;罗文波;吕钧;陈发楼;郑小宁;徐向军;龙绍檑;汪建锋 -专利权人：贵州理工学院
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种用微硅粉为原料制备工业硅精炼渣剂的方法，能达到有效利用低品级微硅粉，提高金属硅总收得率和精炼效率的目的。本发明涉及的一种用微硅粉为原料制备工业硅炉外精炼添加剂的方法如下：称取一定质量的微硅粉，以0.8‑1.2倍重量加入水及微硅粉质量2％‑7％的组合体得到混合物，该组合体由羧甲基纤维素钠、黄原胶、硅酸钠中的至少一种至两种组成，且羧甲基纤维素钠4％，黄原胶3％，硅酸钠6％。在前述混合物中加入微硅粉质量3％‑7％的低铁水泥熟料及2％‑5％的萤石，并对混合后料浆进行球磨，球磨时间大于20分钟，得到均匀料浆。将均匀料浆喷雾烘干造粒，烘干温度300‑350℃，得到堆积密度小于1g/cm3的多孔空心添加剂。
一种用微硅粉原料制备工业精炼方法

[发明专利]多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块-CN201580044611.9有效
发明人：祢津茂义;星野成大;冈田哲郎;齐藤弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
多晶制造反应炉装置方法以及

[实用新型]一种高纯硅提纯生产用分凝装置-CN202123379578.7有效
发明人：朱广彬 -专利权人：徐州凌云硅业股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型涉及高纯硅加工设备技术领域，且公开了一种高纯硅提纯生产用分凝装置，包括分凝设备主体，所述分凝设备主体的外壁固定连接有支撑板，所述支撑板的上表面固定连接有保温炉，所述保温炉的顶端内壁固定连接有螺纹管，所述螺纹管的内壁螺纹连接有外螺纹环，所述外螺纹环的上表面固定连接有保温盖，所述保温盖的上表面开设有进料孔，所述保温盖的下表面固定连接有石墨坩埚。本实用新型使高纯硅提纯生产用分凝装置具有同时熔化两批次硅粉的能力，有效缩短后一批次高纯硅提纯的时间，进而能够有效提高分凝装置提纯高纯硅的效率和便捷性，以及使分凝装置具有分凝产品快速冷却的能力，并提高工作人员操作的安全性。
一种高纯提纯生产用分凝装置

[发明专利]一种氮化-净化去除冶金硅中硼杂质的方法-CN202110038313.6有效
发明人：张立峰;李亚琼;任英;杨文;罗艳;姜东滨;音正元 -专利权人：北京科技大学;燕山大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种氮化‑净化去除冶金硅中硼杂质的方法，属于冶金材料领域。本发明向冶金级硅熔体中加入氮化剂，氮化剂的加入可将硅熔体中的硼杂质转化为氮化物颗粒，而后对氮化后的硅熔体施加电磁力将氮化物颗粒向硅熔体周围聚集，再将硅熔体和氮化物颗粒进行强制冷却并分离，并利用上述分离出的富含氮化物颗粒的多晶硅生产氮化硅；由于氮化物颗粒与硅熔体之间存在明显的导电率差异，因此在电磁力的作用下，氮化物颗粒会富集至熔体周围，从而实现硼杂质和硅熔体的有效分离；此外，将富含氮化物颗粒的多晶硅粉碎，加入氯化铵并在流动性N2气氛下氮化处理得到氮化硅产物；利用富含氮化物的多晶硅，实现资源的高效利用，提高技术经济性。
一种氮化净化去除冶金硅中硼杂质方法

[发明专利]一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺-CN202010586038.7有效
发明人：吴剑荣 -专利权人：吴剑荣
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，属于半导体技术领域，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。
一种基于快速合成技术单晶硅高效回收工艺

[发明专利]一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统-CN202210141190.3有效
发明人：万烨;刘见华;严大洲;赵宇;陈辉;郭树虎;赵雄;常欣;张园园 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提出一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产工艺及生产系统，通过开发吸附络合‑高效精馏三氯氢硅纯化技术制备电子级三氯氢硅，以电子级三氯氢硅为原料进一步制备电子级二氯二氢硅，开发光催化反应‑高效精馏纯化技术制备光纤四氯化硅，并以光纤四氯化硅为原料进一步制备电子级正硅酸乙酯。本发明以高纯区熔级多晶硅制造为中心，将物料流进行内循环和再利用，实现副产物的减量化和资源化，形成协同产品链，发挥协同效应，对公辅系统进行集成，相关产品制造装置实现共享，减少装置数量和系统投资。
一种高纯多晶衍生物生产工艺生产系统

[发明专利]利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法-CN201811624760.4有效
发明人：高忙忙;强璐;高昂;赵旭;祁雪燕;梁森;李海波 -专利权人：宁夏大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法为配置提纯原料，将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料；将提纯原料倒入反应炉中，通入氩气和氢气的混合气体，氩气与氢气的体积比为100:4，以将反应炉中的空气排出；按照8℃/min的速度提高反应炉的温度，直至反应炉中的温度升高至1450℃，并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体，以使反应炉维持惰性的气体环境；提纯原料在1450℃的条件下保温2h，然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃，然后自然冷却至室温；对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理，具体为提纯原料在室温时，按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上，然后保温5～25min；自然冷却至室温，然后酸洗得到提纯后的多晶硅。
利用固态提高合金提纯多晶收率方法

[发明专利]多晶硅还原炉控温系统及工艺-CN201910338874.0有效
发明人：陈宏伟;许晟;李振星 -专利权人：森松(江苏)重工有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉控温系统及工艺，该多晶硅还原炉控温系统包括氢气预热器、混合器、汽化过热器和还原炉，氢气预热器壳程的预热氢气出口与混合器的进气口连通，混合器的气液混合物出口与汽化过热器的气液混合物进口连通，汽化过热器的混合气体出气口连通还原炉的进气口，还原炉的尾气出口与汽化过热器的尾气进口连通，汽化过热器的尾气出口连通氢气预热器的管程尾气进口。上述的多晶硅还原炉控温系统具有设备成本低、还原炉单炉操作灵活性高、混合气体进炉温度调节简单及时、温度调节上限高，且还原热量回收利用率高的有益效果。相应地，本发明还提供了一种多晶硅还原炉控温工艺。
多晶还原炉控温系统工艺

[实用新型]一种硅微粉提纯装置-CN202220278936.0有效
发明人：陈姗姗 -专利权人：连云港华威硅微粉有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅微粉提纯装置，包括浮料收集箱、酸洗筒、提纯罐和沉淀料收集罐，所述提纯罐的一侧居上处设有浮料收集箱，所述浮料收集箱与酸洗筒通过连接管连接，所述提纯罐的底部镶嵌在沉淀料收集罐上，所述沉淀料收集罐的内部设有可侧向抽出的滤水板。该实用新型的提纯罐体积设置小巧，且提纯罐的一侧设有箍架，通过箍架可以对酸洗筒进行安装固定，且提纯罐的一侧靠上位置处设有浮料收集箱，在浮料收集箱的一侧设有吸料管，通过吸料管可以插入到罐体内，可以大范围吸收上浮料，效率较高，且浮料收集箱与酸洗筒通过连接管连接，两者组合使用，避免外接设备提纯，可以使罐体进行一体式提纯，占地面积小，需求外接较多管道，便于安装拆卸。
一种硅微粉提纯装置

[发明专利]多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅-CN202080069173.2在审
发明人：石川浩一 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明降低所要制造的多晶硅的杂质浓度。多晶硅(S1)的制造装置(1)具备：反应器(10)，反应器(10)容纳硅析出用的原料气体(G1)；供给配管(20)，供给配管(20)形成供给流道，供给流道包括流入原料气体(G1)并且形成于反应器(10)中的流入口(111)，供给流道用于将原料气体(G1)供给至反应器(10)内；以及过滤器(30)，过滤器(30)设置于供给流道中，并且将混入至原料气体(G1)中的杂质去除。
多晶制造装置方法

[发明专利]一种从铝硅铁合金提取工业硅的方法-CN202011266119.5在审
发明人：魏存弟;徐少南;程妍;佐婧 -专利权人：内蒙古君成科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种从铝硅铁合金提取工业硅的方法，步骤为：(1)将铝硅铁合金投入中频炉内进行高温熔炼，得到铝硅铁合金熔融体；(2)将熔融体在模具中进行浇铸，控制降温速度和时间，让合金相析出、长大，得到一级铝硅铁合金块；(3)将一级铝硅铁合金块装入带加热装置的超重力离心装置内，高温加热，使铁相熔融而初晶硅仍保持固态，启动离心机，在超重力作用下，熔体通过多孔滤板实现分离，熔液经冷却凝固后得到脱氧剂用铝硅铁合金，熔渣为工业硅。本发明具有原料来源广、生产成本低、能耗低的特点，实现了高纯度工业硅的有效分离，尤其酸洗后的纯度可达冶金级乃至多晶硅级工业硅，易于实现产业化应用。
一种铁合金提取工业方法

[实用新型]一种多晶硅质量测试炉夹头结构-CN202123398062.7有效
发明人：丁建 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅质量测试炉夹头结构，涉及多晶硅设备技术领域，主要目的是提供一种能够更加牢固的固定硅芯，并且提高导电性能的一种多晶硅质量测试炉夹头结构。本实用新型的主要技术方案为：一种多晶硅质量测试炉夹头结构，包括：夹头本体，夹头本体的顶部具有第一插孔，用于插入硅芯，夹头本体的侧面具有至少两个安装螺纹孔，第一插孔与每个安装螺纹孔相互连通，夹头本体的下部具有第一电极孔，用于插入电极本体；固定部件，固定部件为多个，每个固定部件螺纹连接于其中一个安装螺纹孔，固定部件的一端顶接于硅芯。本实用新型主要用于连接和固定硅芯和电极本体。
一种多晶质量测试夹头结构

[实用新型]一种多晶硅还原炉视镜装置-CN202123200805.5有效
发明人：杨明财;宗冰;丁小海;王生红;任长春 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅还原炉视镜装置，属于多晶硅技术领域，包括还原炉本体、喷嘴以及透镜。透镜安装在还原炉本体上，还原炉本体上设置有氢气通道，氢气通道设置在透镜的附近，氢气可以通过该氢气通道被送入到还原炉本体内。氢气沿氢气通道进入还原炉本体时，能够改变还原炉本体内透镜附近的流场，可以防止还原炉本体内产生的气体和硅粉通过返混到达透镜玻璃的表面，从而保证还原炉本体在运行过程中透镜表面的洁净，进而保证硅棒表面温度测量的准确性，以更好的控制多晶硅生产条件。
一种多晶还原炉视镜装置

[实用新型]多晶硅还原炉-CN202123072376.8有效
发明人：李宇辰;马辉;吉红平;王琳;胡西军;郭光伟;韩玲;王秀菊;童占忠;李勇明;祁永双 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请提供一种多晶硅还原炉，涉及多晶硅生产设备技术领域。多晶硅还原炉包括底盘、钟罩、电极和硅芯，钟罩罩设在底盘上形成容纳腔室，电极外部包裹有绝缘部件，绝缘部件插设于底盘；电极具有两个，硅芯为偶数个且个数不小于四；硅芯均设于容纳腔室内，偶数个硅芯包括第一硅芯和两个第二硅芯，第二硅芯与电极连接，底盘连接有绝缘构件，第一硅芯安装于绝缘构件，两个第二硅芯的上端分别通过第一横梁与其中一个第一硅芯的连接并能够实现导电，相邻两个第一硅芯的下端均通过第二横梁连接并能够实现导电，以使得偶数个硅芯能够构成一个电流回路。其能够减小因电极周围的绝缘部件被击穿后而导致的停炉情况的发生几率。
多晶还原

[实用新型]多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉-CN202123024414.2有效
发明人：李宇辰;马辉;胡西军;吉红平;王琳;施光明;郭光伟;李勇明;童占忠;祁永双;韩玲;王秀菊 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请提供一种多晶硅还原炉的硅芯结构、多晶硅还原炉，多晶硅生产设备技术领域。多晶硅还原炉的硅芯结构，包括平行且间隔设置的第一硅芯和第二硅芯，第一硅芯和第二硅芯均包括轴向方向的第一端和第二端，第一硅芯和第二硅芯的第一端用于与多晶硅还原炉的底盘上的电极连接，第二端连接有至少两根横梁，横梁的两端分别与第一硅芯和第二硅芯连接，至少两根横梁沿第一硅芯的轴向方向依次分布，且相邻两根横梁在第一硅芯的轴向方向具有间隙。其能够改善硅芯上下端温度的不均匀性，有利于形成上下直径及致密度一致的硅棒。
多晶还原结构