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[实用新型]一种底盘绝缘的还原炉-CN202123253410.1有效
发明人：孙惺惺;单晋;王丝雨 -专利权人：江苏双良新能源装备有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种底盘绝缘的还原炉，属于多晶硅生产技术的技术领域。它包括炉筒和底盘，所述炉筒和底盘之间设置有垫片，并通过法兰连接；所述底盘上安装有电极导电装置；所述底盘上一侧设置有进气管，另一侧设置出气管；所述炉筒和底盘之间的法兰螺栓孔内设置有绝缘套管；所述炉筒和底盘之间的法兰螺栓外侧设置有绝缘垫，所述绝缘垫设置于连接法兰的螺母与法兰盘中间；所述底盘法兰和炉筒法兰之间还设置有绝缘环。本实用新型的一种底盘绝缘的还原炉，炉筒与底盘绝缘，可以快速分析出是炉筒部件问题还是底盘问题，及时调整工艺操作且结构合理，制造过程不繁琐。
一种底盘绝缘还原

[发明专利]一种采用多组硅芯组件组合生长多晶硅棒的方法-CN202210174297.8在审
发明人：刘朝轩 -专利权人：洛阳市自动化研究所有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种采用多组硅芯组件组合生长多晶硅棒的方法，涉及人工晶体领域，本发明无需直接拉制大直径硅芯，只需拉制常规直径的硅芯，然后由硅芯组合成硅芯组件，通过将至少两组硅芯组件并列组合后形成“Π”形的整体导电回路，在实现增大整体导电回路表面积的同时，还达到了多晶硅棒快速生长的技术诉求，本发明具有操作简单、生产效率高以及使用成本低等特点，特别适合在多晶硅领域大面积推广和应用。
一种采用多组硅芯组件组合生长多晶方法

[实用新型]石墨夹头结构及还原炉-CN202123407500.1有效
发明人：邹仁苏;杨涛 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨夹头结构及还原炉，涉及多晶硅生产技术领域，主要目的是避免石墨夹头传热太快导致的在夹头与硅棒结合处沉积的多晶硅量不足，出现的电流过载,局部高温熔融而倒棒的问题。本实用新型的主要技术方案为：石墨夹头结构，其包括：底座和夹头体；底座设有下端凹槽和上端凹槽，底座位于下端凹槽和上端凹槽之间的部分设有贯通孔道，用于连通下端凹槽和上端凹槽，底座通过下端凹槽套接于底盘电极，底座的轴侧设有环形槽；夹头体的下端插接于上端凹槽，夹头体的上端设有硅芯孔槽，夹头体位于硅芯孔槽下方的部分设有中心孔道，中心孔道对应于贯通孔道。
石墨夹头结构还原

[发明专利]一种还原炉保温结构、多晶硅还原炉及工作方法-CN202111243549.X有效
发明人：丁建宁;李绿洲;胡宏伟;董旭;江瑶瑶;曹晓婷;程广贵 -专利权人：江苏大学;常州大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及保温结构技术领域，尤其涉及一种还原炉保温结构，从内至外依次包括：均流板、缓冲板和炉壁；均流板包括若干均匀分布的第一孔位，且内部围设成反应区；缓冲板包括若干均匀分布的第二孔位，且与均流板之间形成均流区；炉壁包括内壁和外壁，二者间形成环形腔体，环形腔体一侧底部设置有入口，另一侧顶部设置有出口，内壁与缓冲板之间形成缓冲区；其中，原料气体自缓冲区流入还原炉内，且自反应区流出还原炉。本发明中提供了一种能够对反应区内的温度进行有效保温的还原炉保温结构，目的在于确保反应区内温度场的平衡，从而有效保证最终多晶硅产品的质量。本发明中还请求保护一种多晶硅还原炉及工作方法，具有同样的技术效果。
一种还原保温结构多晶工作方法

[发明专利]硅粉回收方法和硅粉回收装置-CN201510542262.5有效
发明人：藤田敦史;吉田干;内田正喜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：提供硅粉回收方法和硅粉回收装置，有效地回收去除了水分的硅粉。使硅吸附板(32)和硅通过限制板(33d)接触从使磨石(103d)与硅晶片(S)抵接来进行加工的加工装置(100)排出的包含硅粉(P)的废液(L)，并对它们通电而使硅粉附着于带正电的硅吸附板。接着，将硅吸附板从废液提起，从硅吸附板刮取并回收包含附着于硅吸附板的硅粉和废液的硅溶液(SF)。接着，利用干燥单元(6)使从硅吸附板刮取的硅溶液的水分干燥。
回收方法装置

[实用新型]电极以及包括该电极的多晶硅还原气相沉积炉-CN202123413046.0有效
发明人：严钧;许倍强;李志文;唐立星 -专利权人：山东豪迈机械制造有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种用于多晶硅还原气相沉积炉的电极，电极包括电极本体，在电极本体中设置有气体管道。一种包括该电极的多晶硅还原气相沉积炉中设置有硅芯组件，硅芯组件包括第一本体、第二本体和连接在第一本体和第二本体之间的连接部，第一本体和第二本体均为空心管状的，且连接有上述电极，冷却气体可通过电极的气体管道进入中空的第一本体和/或第二本体内部。上述电极和包括该电极的多晶硅还原气相沉积炉能够提高硅的生长速率，并且还减少能耗。
电极以及包括多晶还原沉积

[实用新型]还原炉钟罩密封结构及还原炉-CN202123264168.8有效
发明人：丁建 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种还原炉钟罩密封结构及还原炉，涉及多晶硅还原炉技术领域，主要目的是避免拆炉倒棒和人员踩踏对底盘垫片造成损坏。本实用新型的主要技术方案为：还原炉钟罩密封结构，其包括：底盘垫片和钟罩法兰体；所述底盘垫片的上表面径向宽度大于所述底盘垫片的下表面径向宽度；所述钟罩法兰体的下端面设有安装槽，所述安装槽的径向尺寸吻合于所述底盘垫片的径向尺寸，用于将所述底盘垫片嵌设于所述安装槽内。
还原炉钟罩密封结构

[发明专利]硅料处理方法和硅料处理装置-CN202111680716.7在审
发明人：韩伟;邓浩;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种硅料处理方法和硅料处理装置。所述硅料处理方法具体包括：将硅料装入炉体内的坩埚内；采用加热器将硅料加热至第一预设温度；将导气管从炉体外伸入炉体内的坩埚；通过导气管向坩埚内通入反应气体，反应气体至少包括含卤气体，以使含卤气体与硅料中金属杂质反应，反应时间为第一预设时长；将导气管抽出坩埚，切入硅棒拉制工步。本申请实施例中，在硅棒拉制之前，可以先用含卤气体与硅料中的金属杂质充分反应，提高硅料的纯度，从而，可以提升后续的晶棒拉制工步中得到的硅棒的品质。而且，由于处理后的硅料无需进行清洗和转运即可直接切入后续的拉晶工序，避免新的杂质引入，硅料处理的工艺较为简单且效率较高。
处理方法装置

[实用新型]一种变径的多晶硅还原炉钟罩-CN202123253617.9有效
发明人：孙惺惺;王丝雨 -专利权人：江苏双良新能源装备有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种变径的多晶硅还原炉钟罩，属于多晶硅生产的技术领域。它包括内筒体和夹套筒体，所述内筒体和夹套筒体的底部设置有设备法兰，所述内筒体设置在夹套筒体的内部；所述内筒体包括小端内筒体，所述小端内筒体通过内筒斜锥与大端内筒体相连，所述大端内筒体顶部设置内封头；所述夹套筒体包括小端夹套筒体，所述小端夹套筒体通过夹套斜锥与大端夹套筒体相连，所述大端夹套筒体顶部设置夹套封头。本实用新型的一种变径的多晶硅还原炉钟罩，它在底盘不变的情况下扩大了罩体结构，给硅棒带来了更多的生长空间。
一种多晶还原炉钟罩

[实用新型]一种48对棒多晶硅还原炉-CN202123067048.9有效
发明人：蔺彦东;崔学伟;刘晓;黄锦;胡崇刚;李永明 -专利权人：开原化工机械容器有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种48对棒多晶硅还原炉，多个所述硅棒呈依次12、18、24、36个排布，所述还原炉的内壁一侧通过支架固接有温度传感器，所述还原炉的一侧连通有观察孔，所述观察孔的一侧贴合有双层真空玻璃。本实用新型涉及多晶硅还原炉技术领域，通过硅棒、观察孔和温度传感器之间的配合，该装置可将实际电耗降低在45kwh/kg·S i以下，电耗指标达到了国际先进水平，使用者只需要通过双层真空玻璃观察即可，使用者可取下螺栓将双层真空玻璃进行更换，并便于对温度传感器进行养护，解决了现有装置在进行工作时耗电量过大，达不到国家发改委要求的指标，并且也不便于了解还原炉内部的温度的问题，使用方便。
一种 48 多晶还原

[实用新型]一种36对棒多晶硅还原炉-CN202123067049.3有效
发明人：崔学伟;蔺彦东;林艳玲;刘鑫;张威;李永明 -专利权人：开原化工机械容器有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种36对棒多晶硅还原炉，所述曲管的外壁与方壳的上方固定连接，所述曲管的底部连通有水泵，所述水泵的输入端贯穿冷却水套的外壁。本实用新型涉及多晶硅还原炉技术领域，通过曲管、方壳和水箱之间的配合，该装置采用正六边形的方式进行布置，提高了冷却效果，并且温度传感器可监测方壳内部水的温度，如果过高，可控制电磁阀打开将温度过高的水进行收集使用，实现了余热回收，同时潜水泵也可将水箱内部的水抽入到方壳内部进行冷却使用，解决了现有装置在进行工作时能源损耗过高，无法达到国家发改委规定的要求，并且还原炉整体冷却效果差，无法快速的将炉内的温度降低的问题，提高了工作效率。
一种 36 多晶还原

[发明专利]硅块清洗方法和应用-CN201810937517.1有效
发明人：秦榕;曹文海;李永红;张永辉;张永良;刘虎;孟海生;安生虎;刘生章;高鹏;危胜 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅块清洗方法和应用，属于硅块清洗技术领域。本发明提供了一种硅块清洗方法，包括依次进行的酸洗、漂洗、冷浸泡和热浸泡；其中，酸洗所用的酸液包括硝酸和氢氟酸，所述酸洗依次在硝酸比例梯度增加的三种酸液中进行，第一次酸洗所用的酸液为硝酸：氢氟酸＝9‑11:1v/v。本发明清洗方法利用硝酸比例梯度增加的三种酸液依次对硅块进行酸洗，优化了硅块清洗工艺，提高了硅料酸洗效率和产品质量，缓解了单一配比酸液池清洗造成的酸洗不均匀、出现酸斑和色差、表金属杂质含量高和金属杂质含量波动大的技术问题。
清洗方法应用

[发明专利]一种用于工业硅炉外精炼脱铁和钛的渣剂-CN202210074170.9在审
发明人：龙潇;罗文波;陈发楼;吕钧;徐向军;郑小宁;龙绍檑;王家贤 -专利权人：贵州理工学院
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于工业硅炉外精炼脱铁和钛的渣剂，用以达到精炼脱铁及钛的目的。本发明涉及的一种用于工业硅炉外精炼脱铁和钛的渣剂特征成分(质量分数)如下：5％CEO15％；4％CaF215％；40％SiO260％，Li2O、Na2O、MgF2三种组分中的一种或两种或三种构成组合体，5％该组合体25％，且满足Li2O10％，Na2O17％，MgF28％；2％C18％；BO5％；Fe2O3+MNo1％；其余为杂质。本发明所述的渣剂用于工业硅炉外精炼，配合硅包吹气精炼，可在不影响精炼脱铝、钙的基础上，显著降低原燃料带入工业硅中的铁和钛含量，且不影响精炼工艺的稳定性。
一种用于工业硅炉外精炼

[发明专利]多晶硅还原气相沉积方法-CN202111670110.5在审
发明人：严钧;许倍强;李志文;唐立星 -专利权人：山东豪迈机械制造有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种使用气相沉积炉进行的多晶硅还原气相沉积方法，该方法包括对气相沉积炉的所述第一电极和所述第二电极通电，以将气相沉积炉的硅芯加热到气相沉积反应温度，并且经由所述喷嘴将混合工艺气体喷入所述炉膛中。其中，该气相沉积炉的电极中设有贯穿电极延伸的气体通道。在多晶硅沉积过程中，通过该气体通道将附加气体通入硅芯内部。其中，附加气体包括氢气。该多晶硅还原气相沉积方法能够提高硅的生长速率，并且还减少能耗。
多晶还原沉积方法

[发明专利]一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置-CN202010949460.4有效
发明人：王丽 -专利权人：内蒙古东立光伏电子有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置，包括壳体，所述壳体内设置有反应室，所述反应室的下侧固定设置有加热器，所述壳体的上壁设置有与反应室对应的开口，所述壳体上转动设置有密封盖，所述密封盖与开口对应设置，所述反应室内放置有料筒，且所述反应室的侧壁上滑动设置有环形板，所述环形板上开设有与料筒对应的通孔。本发明通过反应产生的CO2带来的压强变化推动熔融物从T型槽进入料筒，使得固态物料留在加热器上进行加热熔融，有效的解决了由于SiO2固体容易漂浮在熔融物上导致难以受热的问题，使得SiO2充分受热熔融，大大提高了熔融反应的效率，且能够快速的将得到的粗硅从反应室内取出，方便后续提纯使用。
一种用于太阳能电池高纯多晶提纯装置