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[发明专利]一种太阳能级多晶硅生产装置-CN202011234230.6有效
发明人：张建敏 -专利权人：内蒙古东立光伏电子有限公司
申请日： 2020-11-07 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅生产装置，涉及太阳能生产设备技术领域，包括还原炉，还原炉的顶部和底部分别设置有炉盖和基座，炉盖的顶部设置有视镜和出口，基座的顶部安装有多组硅棒，硅棒的底部安装有电加热器，还原炉的内壁设置有容腔，容腔的一侧连接有进气环管，进气环管的底部连接有多组盘管。本发明通过从进料口排入的SiHCl3，SiHCl3从进料管中分配到不同的储仓中，使每个进气管内部的气流更加均匀地注入，进行进气管的预热，H2从进气环管中进入到盘管中，使不同高度的还原炉内部充满H2，使SiHCl3在喷出到还原炉中时，与喷出的H2进行混合，使SiHCl3和H2可以充分反应，更好地配合SiHCl3进行还原。
一种太阳能级多晶生产装置

[实用新型]多晶硅还原炉-CN202120443526.2有效
发明人：吴锋;黄金发;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了多晶硅还原炉。该多晶硅还原炉包括：炉体；以及炉顶，所述炉顶设在所述炉体的顶部，所述炉顶的内表面设有热反射涂覆层。该多晶硅还原炉的炉顶内表面设有热反射涂覆层，由此，可以有效地将热量反射至硅棒顶部，从而提高硅棒顶部的温度，使该部分硅棒的温度与硅棒整体一致，对该部分硅棒的沉积起到积极作用，进而有效提高产品的良率。
多晶还原

[实用新型]一种颗粒硅生产系统-CN202122655243.7有效
发明人：陈其国;郭晓晖;兰天石;刘辉 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C01B33/039 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种颗粒硅生产系统，包括氢氯化装置，所述氢氯化装置与精馏装置一连接，所述精馏装置一分别与歧化装置一和歧化装置二连接，所述歧化装置一与精馏装置二连接，所述精馏装置二与所述歧化装置二连接，所述歧化装置二与精馏装置三连接，所述精馏装置三分别与所述歧化装置一、歧化装置二和流化床装置连接，所述流化床装置与脱粉装置连接，所述脱粉装置与脱氢装置连接。本实用新型提供的一种颗粒硅生产系统，能够对歧化反应副产物进行循环利用，提高原料利用率；同时能够有效降低颗粒硅的氢浓度和颗粒硅中的硅粉，从而进一步提高产品质量。
一种颗粒生产系统

[发明专利]电子级多晶硅还原炉及多晶硅的生产方法-CN201710904159.X有效
发明人：高召帅;李钊;吴锋;于跃;吴鹏 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级多晶硅还原炉，还原炉包括底盘和罩在底盘上的炉体，底盘上设有多对电极、多个喷嘴和至少一个排气口，多个喷嘴按由内向外半径依次增大的n层同心圆分层排列；喷嘴为直管；同心圆半径从小至大依次为第1喷嘴层、……第n喷嘴层，位于第1喷嘴层上的喷嘴出口方向与底盘垂直，位于其余喷嘴层的喷嘴出口方向朝向还原炉垂直中心线且与底盘成75～85度夹角。本发明还公开了一种多晶硅生产方法。喷嘴新的排列方式，有效保证了还原炉内气体和温度分布均匀，降低了炉体内的流动死区和局部高温区；并严格控制原料气摩尔比例及硅棒生长温度。本发明可以将爆米花料比例控制在0～10％，还原电耗在50～65Kw*h/Kg Si。
电子多晶还原生产方法

[发明专利]一种可降低纳米硅负极材料遇水氧化提高电化学性能的方法-CN202010991725.7在审
发明人：温广武;张俊亭;王桢 -专利权人：山东硅纳新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池负极材料的制备技术领域，具有提供一种降低纳米硅负极材料遇水氧化提高电化学性能的方法。该方法按以下步骤进行：将纳米硅材料分散在去离子水中，加入一定比例的混合酸，一定转速搅拌，搅拌1‑6 h后，水洗、抽滤至弱酸性或中性，随后进行100‑300℃鼓风干燥，即得到遇水不氧化电化学性能较好的纳米硅负极材料。该方法操作简单，易于操作，能够降低在硅碳负极制备过程中纳米硅的氧化问题，从而能够使材料发挥出更好的电化学性能。
一种降低纳米负极材料氧化提高电化学性能方法

[发明专利]一种激光维持等离子体制备多晶硅的方法及系统-CN202110668865.5有效
发明人：何良雨;刘彤 -专利权人：何良雨
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：为克服现有气液沉积法法生成的多晶硅中杂质含量高的问题，本发明提供了一种激光维持等离子体制备多晶硅的方法，包括以下操作步骤：获取硅源气体；采用多束激光束交汇，在交汇点形成等离子体反应区，将硅源气体和可选择的其他参与反应的原料气体导入等离子体反应区反应生成多晶硅，沉降收集多晶硅。同时，本发明还提供了一种激光维持等离子体制备多晶硅的系统。本发明提供的激光维持等离子体制备多晶硅的方法和系统能够有效减少由于气液沉积反应器本身材质或由于加热装置的接触而引入杂质的风险，提高制备的多晶硅的纯度。
一种激光维持等离子体制备多晶方法系统

[实用新型]一种大间距高致密率多晶硅还原炉-CN202122200007.6有效
发明人：陈绍林 -专利权人：云南通威高纯晶硅有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大间距高致密率多晶硅还原炉，属于多晶硅生产技术领域，包括底盘和设在底盘上方的炉筒，底盘上设有尾气出孔、硅棒环和喷嘴环，底盘中心位置设有中心喷嘴，中心喷嘴直径为8‑18mm，硅棒环和喷嘴环间隔设置，同一圈硅棒环上，任意相邻两个硅棒之间的间距为240‑300mm，喷嘴环上的边缘喷嘴直径为7‑14mm，边缘喷嘴的直径小于中心喷嘴的直径。本实用新型中同一圈硅棒环上的棒间距增大，同时中心设置一较大口径的中心喷嘴，炉内热场得到优化，多晶硅沉积速率提高10~40%，生产效率大幅提高，还原电耗较现有炉型低4~8%。
一种间距致密多晶还原

[发明专利]一种硅料的处理装置和硅料的处理方法-CN202111674694.3在审
发明人：邓浩;韩伟;董升;李侨 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种硅料的处理装置和硅料的处理方法，硅料的处理装置包括：用于带动硅料沿预设传送路径运动的运输机构，以及，沿预设传送路径依次设置的处理腔和清洗机构，其中，处理腔内设有加热机构，加热机构用于调节处理腔内的温度，处理腔内还设有用于输入反应气体的进气口，反应气体至少包括含卤气体；在加热机构将处理腔内的温度调节至第一预设温度的情况下，进气口可向处理腔通入反应气体，以使反应气体中的含卤气体与硅料中的金属杂质反应，清洗机构用于清洗反应后的硅料。本发明实施例中，可以避免使用大量的化学试剂，节省硅料处理的成本，降低环保压力，且处理装置可处理尺寸不同的硅料。
一种处理装置方法

[发明专利]多晶硅析出用硅芯线及其制造方法-CN202080054422.0在审
发明人：阪井纯也;贺藤诚司;镰田诚;惠本美树 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明的问题在于，在呈门型形状的多晶硅析出用硅芯线中，进一步高度地降低接合角部的表面金属浓度。一种多晶硅析出用硅芯线，其特征在于，所述多晶硅析出用硅芯线为由一对垂直棒部与连接这一对垂直棒部的各上端的横架部构成的呈门型形状的、用于使多晶硅析出的硅芯线，所述垂直棒部与横架部的端部彼此通过焊接而接合，其接合角部的表面金属浓度为1ppbw以下，特别是铁的浓度为0.2ppbw以下，铬的浓度为0.1ppbw以下，镍的浓度为0.05ppbw以下，以及钛的浓度为0.2ppbw以下。
多晶析出用硅芯线及其制造方法

[发明专利]多晶硅棒及其制造方法-CN202080056738.3在审
发明人：纸川敬充;惠本美树;浅野卓也 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种有效地降低了多晶硅内部所含的重金属的浓度的多晶硅棒及其制造方法。在多晶硅棒的制造方法中，在对由硅的棒状体构成的芯线进行通电的同时，向所述反应器内供给多晶硅析出用原料气体，使多晶硅在所述芯线的表面气相沉积，在多晶硅棒的制造方法中，在从将所述芯线的表面洁净化后到将所述芯线设置于反应器内的期间，将所述硅芯线置于洁净度被调整为通过ISO14644－1定义的等级4～6的气氛下，由此能得到距所述芯线与在所述芯线的表面析出的多晶硅的界面2mm的区域中的、铁和镍的总金属浓度以元素换算计为40pptw以下的多晶硅棒。
多晶及其制造方法

[发明专利]一种高温高压碳硅分离工艺及装置-CN202210008361.5有效
发明人：徐建均;周同义 -专利权人：南通友拓新能源科技有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压碳硅分离工艺及装置，将多晶硅碳头料加热，在碳头料表面生成一层SiO2层；在多晶硅碳头料表面喷射冷水,使多晶硅碳头料表面发生皲裂；在多晶硅碳头料表面喷射腐蚀液；采用去离子水对分离后的多晶硅碳头料清洗，并进行多晶硅和石墨筛选分离。本发明通过将多晶硅碳头料加热后再喷射冷水急冷从而使碳头料发生皲裂，从而为腐蚀液提供了便利的反应通道，使腐蚀液更容易渗入碳头料内，加速了反应时间，从而大大降低了多晶硅碳头料在腐蚀液中的浸润时间，提高了多晶硅碳头料的硅碳分离的效率和效果。
一种高温高压分离工艺装置

[实用新型]一种多晶硅还原炉高效智能化拆棒装置-CN202120974634.2有效
发明人：张华芹;程佳彪;占时友 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2021-05-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉高效智能化拆棒装置，所述多晶硅还原炉高效智能化拆棒装置包括绕若干还原炉设置的固定物，所述固定物上设有轨道，所述轨道上活动连接有可与轨道发生相对位移的机械臂安装台，所述机械臂安装台连接有用于机械臂安装台在轨道上移动的驱动装置，所述机械臂安装台上设置有机械臂，所述机械臂连接有用于夹持硅棒的夹具，所述机械臂连接有用于驱动机械臂智能化拆棒的驱动系统。本实用新型提供的多晶硅还原炉高效智能化拆棒装置，通过机械臂取棒达到成本上的大幅降低，同时该装置可使用驱动系统和/或驱动装置操作及定位，极大节省操作时间，提升取棒效率效果。
一种多晶还原高效智能化装置

[实用新型]一种湿氧提纯工业硅的顶吹装置-CN202122681298.5有效
发明人：伍继君;王启亮;马文会;徐敏;魏奎先;陈正杰;颜恒维 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿氧提纯工业硅的顶吹装置，属于工业硅提纯技术领域。该顶吹装置，包括炉体、湿氧供给装置和保护气装置，炉体的中心为加热腔体，加热腔体中心设置有镁砂坩埚，镁砂坩埚的中心设置有刚玉坩埚，湿氧供给装置与进气管的顶端连通，进气管的底端向下插设在刚玉坩埚内。本实用新型不仅能够提高实验效率，降低实验成本，且装置结构简单，成本低；吹气管采用顶部吹气的方式，气流直接吹入样品内部充分氧化，提高了氧化效率。
一种提纯工业顶吹装置

[实用新型]一种多晶硅还原炉的硅芯结构-CN202122770813.7有效
发明人：聂陟枫;王亚君;戴恩睿;郭崎均;王晨;宋玉敏;郭婷婷;王海;谢刚 -专利权人：昆明学院
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉的硅芯结构，硅芯为空心结构，在多晶硅还原炉内竖直安装两个空心的硅芯，两个竖直的空心硅芯通过卡合连接方式分别安装在底座上，底座的形状与硅芯形状对应，且底座为半实心结构，即上部分为空心结构，下部分为实心结构，两个竖直的空心硅芯的下部分别进入底座内，两个竖直安装的硅芯的顶部还设有一根中空的横硅芯，中空的横硅芯的两端分别与两个竖直硅芯的顶部连接；本实用新型通过将原实心硅芯设置为空心硅芯，中空硅芯用料少，且可以提升运行效率，并增加底座及横硅芯强化了各硅芯之间连接的牢固性，且接触更好，安装快捷，确保硅芯不会发生倾斜。
一种多晶还原结构

[发明专利]硅材料提纯装置及方法-CN202111664417.4在审
发明人：朱业胜;姜承法;吴旭宏;董志远 -专利权人：万向新元科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅材料提纯装置及方法，提纯装置包括提炼炉、坩埚、真空机组、冷却系统及加热系统；坩埚设于提炼炉的内部，真空机组与提炼炉连通，加热系统设置于坩埚上，冷却系统设置于坩埚的下方。提纯方法包括将待处理的硅料自加料口放入至下料仓，并关闭料仓口；启动真空机组对提炼炉内抽真空；将硅料自下料仓的下料管道导送至坩埚内的承托座上；启动加热系统的电磁感应线圈和引燃环，并将硅料加热至熔融状态；关闭电磁感应线圈，并利用提拉装置将引燃环提升至坩埚的外部；启动水冷装置，并利用下拉装置对熔融的硅料进行下移，冷却至硅锭；停止真空机组抽真空，并给提炼炉内充气，打开炉门，取出硅锭。本发明能够有效节省硅料。
材料提纯装置方法