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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种颗粒硅生产方法和系统-CN202111286752.5在审
发明人：陈其国;郭晓晖;兰天石;刘辉 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C01B33/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒硅生产方法，包括以下步骤：以来自硅粉源的硅粉、氯化氢源的氯化氢、四氯化硅源的四氯化硅和氢气源一的氢气作为原料，进行氯氢化反应得到粗三氯氢硅源；将粗三氯氢硅源纯化分离；将来自三氯氢硅源的三氯氢硅经歧化反应得到粗二氯二氢硅源；将粗二氯二氢硅源分离；将来自二氯二氢硅源中二氯二氢硅进行歧化反应得到粗硅烷源；将粗硅烷源纯化分离；将来自硅烷气源的硅烷气和氢气混合，硅烷气发生非均相沉积生成产品颗粒硅源一。本发明还公开一种颗粒硅生产系统。本发明提供的一种颗粒硅生产方法和系统，能够对歧化反应副产物进行循环利用，提高原料利用率；同时能够有效降低颗粒硅的氢浓度和颗粒硅中的硅粉，从而进一步提高产品质量。
一种颗粒生产方法系统

[实用新型]一种工业硅生产用局部散热高效生产装置-CN202122501531.7有效
发明人：王章伟;张毅;张肇钦 -专利权人：新疆宇硅科技有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业硅生产用局部散热高效生产装置，包括锭模和箱体，所述箱体的内表面活动设有活动板，所述活动板的数量为两个，且两个所述活动板对称设置在所述箱体的内部，所述锭模位于所述箱体的内部且位于两个所述活动板之间，所述活动板的内部设有冷却腔体，所述冷却腔体的内部设有冷却管，所述冷却管的两端分别设有进水管和出水管，本实用新型通过设置锭模与箱体，锭模放置在箱体的内部，对锭模起到保温作用，通过在箱体内部设置活动板，活动板的内部分别设有冷却腔体，并在冷却腔体内部设置冷却管，将锭模吊装至箱体的内部后，移动活动板与锭模接触，并将冷却水通入冷却管内部，即可对锭模进行快速散热。
一种工业生产局部散热高效装置

[发明专利]一种低成本去除冶金硅中杂质硼的方法-CN201910614564.7有效
发明人：黄仕华;周理想;陈达;丁月珂;芮哲 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本的去除冶金硅中杂质硼的方法，采用高温热氧化法首先在冶金硅表面生长二氧化硅薄层，其次通过热处理方式，调控杂质硼在二氧化硅/硅界面处的分凝，以及调控杂质硼过饱和析出、富集并偏析至硅晶界处，使得冶金硅内部的杂质硼扩散到二氧化硅/硅界面附近，然后去除二氧化硅，最后采用化学湿法酸处理，达到去除杂质的目的。本发明提出的新方法的总杂质去除率大于96％，杂质硼去除率大于93％，具有总杂质和硼杂质去除效率高、工艺流程短、生产成本低、污染小等特点，很容易在产业化上进行推广应用。
一种低成本去除冶金杂质方法

[实用新型]多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉-CN202120553402.X有效
发明人：石何武;汪绍芬;石涛;杨永亮;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉，包括盘体，所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组；和多个电极基座组，多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上，每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座，其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置，一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧，其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。通过进气口组和还原尾气出口组的设置，使得多晶硅还原炉内的温度场均匀，从而不仅可以有利于硅棒的沉积，从而改善硅棒的表面质量。
多晶还原底盘组件以及

[实用新型]还原炉用硅芯、硅芯组件及还原炉-CN202121553022.2有效
发明人：尹杏;刘帆;尚保卫;陈辉;张邦洁;张巧红;李珂;万烨 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种还原炉用硅芯、硅芯组件及还原炉，属于多晶硅生产技术领域，包括轴体，所述轴体包括第一轴段、第二轴段、第三轴段，所述第一轴段连接在所述第二轴段的第一端，所述第三轴段连接在所述第二轴段的第二端，所述第一轴段的横截面积大于所述第二轴段的横截面积，所述第三轴段的横截面积大于所述第二轴段的横截面积。本实用新型在不降低与电极连接的强度的同时，还能够减小硅芯截面在多晶硅棒中的截面占比，进而可减小硅芯杂质对多晶硅品质的影响。
还原炉用硅芯组件

[实用新型]一种金属硅粉生产用提纯设备-CN202121734482.5有效
发明人：徐国舫 -专利权人：新疆杰荣硅业有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属硅粉生产用提纯设备，包括操作柜和罐体，所述操作柜的表面设置有散热口，所述散热口的正前方设置有框架，所述框架的内侧固定有吸湿板，所述吸湿板的内部等距离贯穿开设有多个连通槽，所述连通槽与散热口相对应，所述操作柜的表面相对于框架的两侧对称固定有两个固定板；通过设计的框架和吸湿板，可以对通过连通槽和散热口进入装置内部的空气进行吸湿处理，避免过多的水汽进入操作柜的内部，对内部的零部件造成破坏，影响装置的使用寿命，通过设计的固定板、卡板、托板、挡板、限位槽，方便对框架和吸湿板进行安装。
一种金属硅生产提纯设备

[发明专利]提高多晶硅纯度的方法-CN202111444978.3在审
发明人：高召帅;张天雨;田新;王海豹 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了提高多晶硅纯度的方法。该方法在进行还原工序之前包括：对还原炉和硅芯进行预处理，其中，所述预处理过程包括：(1)将硅芯置于还原炉中，并对所述还原炉进行抽真空处理，以便去除还原炉内的空气；(2)向所述还原炉内通入氢气，以便对所述硅芯进行还原处理；(3)向所述还原炉内通入氢气和含氯气体的混合气，以便去除所述还原炉内的三五族杂质。该方法不仅工艺简单，还可以同时去除硅芯表面和还原炉内腔面及其附件设备表面吸附的杂质，能够使硅芯附近沉积的硅料三五族杂质含量降低到与远离硅芯位置的硅料三五族杂质含量相同的水平，达到显著提高硅料产品的产率与纯度的效果。
提高多晶纯度方法

[发明专利]一种硅芯焊接用反光罩及制备方法-CN202111221720.7在审
发明人：吴晓涛;黄仁忠;兰海明;王帅;王高民;褚欣 -专利权人：江苏广研新材料技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了本发明涉及一种硅芯焊接用反光罩及制备方法。所述涂层系银涂层，所述方法为采用冷喷涂技术制备高反射涂层。所述涂层的厚度为50‑200微米，制作成本低，涂层强度高，涂层孔隙率低。该涂层耐机械冲击和高温，反射光线效率高，使用寿命长，可以有效的提高反光罩对高温光的聚焦能力，提高聚焦点的温度，大幅度降低涂层制备的费用。
一种焊接反光制备方法

[发明专利]用于生产多晶硅的方法-CN201980096495.3在审
发明人： P·伯尼施;P·菲拉尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于生产多晶硅的方法，包括：将含有氢气和硅烷和/或卤代硅烷的反应气体通入气相沉积反应器的反应空间中，其中该反应空间包括至少一根细丝棒，借助于电流通过对该细丝棒进行加热，并将硅沉积在该细丝棒上，以形成多晶硅棒。在此为了确定硅棒的形态，首先根据式(I)确定硅棒的第一电阻值R1，其中U＝硅棒两端之间的电压，I＝电流强度，并且根据式(II)确定硅棒的第二电阻值R2，其中ρ＝硅的电阻率，L＝硅棒的长度，A＝硅棒的横截面积，并且根据比值R1/R2计算出形态系数M，其中以M具有0.8至2.5的值的方式来控制沉积。(I)(II)
用于生产多晶方法

[实用新型]一种金属硅半成品通氧精炼装置-CN202122135898.1有效
发明人：董保艳;卢万兆;杨绍刚;段春跃 -专利权人：腾冲市阳邦硅业有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属硅半成品通氧精炼装置，涉及通氧精炼技术领域，包括：精炼壳和过滤箱，所述精炼壳内固定设置有出液管，所述精炼壳通过出液管与过滤箱内部连通，所述出液管内固定设置有阀门，所述精炼壳内固定连接有进气管，所述精炼壳的顶部固定连接有注液管，所述注液管与精炼壳内部连通，本实用新型中，通过混合组件中三个搅拌刀具之间的配合，可将精炼壳内部的上层溶液与下层溶液充分混合，这将使进气管注入氧气时，精炼壳内部每处溶液的含氧量相接近，并使其氧化反应效率保持相同，与现有技术中的金属硅半成品通氧精练装置相比，提高了金属硅半成品的通氧精炼效果，有助于金属硅半成品的通氧精炼装置的使用。
一种金属硅半成品精炼装置

[实用新型]一种低污染金属硅提纯后处理装置-CN202122137871.6有效
发明人：董保艳;卢万兆;杨绍刚;段春跃 -专利权人：腾冲市阳邦硅业有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低污染金属硅提纯后处理装置，涉及金属硅提纯后处理技术领域，包括罐体，所述罐体的顶部设有进料口，所述罐体的底部设有出料口，所述出料口上安装有阀门，所述罐体的顶壁上设有延伸至罐体内部的搅拌机构，所述罐体的外壁设有与罐体内部相连通的取样机构，所述搅拌机构包括搅拌轴、搅拌杆和搅拌电机，所述搅拌轴转动连接在罐体的内顶壁上，所述搅拌轴上等距安装有多个搅拌杆，本实用新型中，通过设置的取样机构能够对罐体内部的原料进行取样，进而能够快速检测搅拌过程中原料的混合均匀情况以及是否符合处理要求，无需额外取样设备，结构简单，取样方便，提高了工作效率。
一种污染金属硅提纯处理装置

[发明专利]硅棒的保护结构体及硅棒的制造方法-CN202080043636.8在审
发明人：阪井纯也;川口一博 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明的保护结构体能够确认硅棒的翻倒状况并进行反应器的打开作业。保护结构体(200)包括：第一框体(201)，具有包围容纳硅棒(110)的反应器(100)的底板(101)周围的形状；及保护壁面(204)，从第一框体(201)向竖直上方延伸，形成硅棒(110)的容纳空间(210)，且保护壁面(204)具有网状结构。
保护结构制造方法

[发明专利]多晶硅的制造方法-CN202080045736.4在审
发明人：阪井纯也 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明的多晶硅棒(13)的制造方法减少所生成的多晶硅棒的粗细偏差。本发明的多晶硅棒(13)的制造方法是于在多个同心圆上配置了硅芯线(7)的钟罩(5)内，在硅芯线(7)中流通电流而使多晶硅生长，其以在配置于所述多个同心圆中的某同心圆上的硅芯线(7)中流通的电流值大于在配置于比该同心圆更内侧的同心圆上的硅芯线(7)中流通的电流值的方式，控制在所述硅芯线中各自流通的电流值。
多晶制造方法

[实用新型]还原炉的炉筒冷却装置及多晶硅还原装置-CN202120860141.6有效
发明人：彭建涛;茅陆荣;许晟;陈宏伟;马宁 -专利权人：森松（江苏）重工有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本申请提出一种还原炉的炉筒冷却装置及多晶硅还原装置，所述还原炉的炉筒冷却装置包括：夹套，所述夹套包围所述还原炉的炉筒，在所述夹套和所述炉筒之间形成冷却空间，进口，所述进口设置于所述夹套，用于向所述冷却空间通入传热介质；以及出口，所述出口设置于所述夹套，用于将吸收了热量的传热介质排出所述冷却空间，所述进口位于所述出口的上方，所述传热介质为气体，所述传热介质在所述冷却空间自上向下流动。通过采用上述技术方案，可以使用气体作为传热介质对还原炉的炉筒进行冷却，同时对气体进行加热，被加热的气体容易被利用，从而降低还原炉的能耗，节约能源。
还原冷却装置多晶

[发明专利]棒状体、夹具、拆卸方法及硅棒的制造方法-CN202080043634.9在审
发明人：川口一博 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明的棒状体(10)在将与底板(101)共同形成反应器(100)的盖(103)从形成反应器(100)的底板(101)提起并从底板(101)拆下时使用，具有：第一部位(11)，插入配置在底板(101)的周围的底板侧孔(102a)中；以及第二部位(12)，插入配置在盖(103)的周围与底板侧孔(102a)相向的位置处的盖侧孔(104a)中。
棒状体夹具拆卸方法制造

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