[发明专利]半导体元件装配用基板及其制造方法和半导体器件无效
申请号: | 98804590.7 | 申请日: | 1998-04-30 |
公开(公告)号: | CN1253662A | 公开(公告)日: | 2000-05-17 |
发明(设计)人: | 福富直树;若岛喜昭;直之进;木田明成 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 元件 装配 用基板 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
1、一种在半导体元件装配用基板上形成凹部,把半导体元件装配到该凹部内之后,用密封树脂进行密封的半导体器件,其特征是:
上述半导体元件装配用基板具备沿该基板表面和上述凹部的基板壁面配置的布线,
上述布线由下述部分构成:与在上述凹部开口一侧的该基板表面上设置的外部连接端子连接的外部连接端子部分,与上述所装配的半导体元件连接的内部连接端子部分,以及上述外部连接端子部分与上述内部连接端子部分之间的布线部分,
上述布线埋入到上述基板表面和上述凹部的基板壁面内,
上述内部连接端子部分位于上述凹部内。
2、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:上述凹部的基板壁面具备向该凹部的底面方向延伸的在规定倾斜角度范围内的倾斜。
3、权利要求2所述的半导体器件,其特征是:上述凹部的基板壁面的倾斜角度处于5~40度的范围内。
4、权利要求2所述的半导体器件,其特征是:上述凹部的基板壁面倾斜构造的高度G及其水平距离L之比L/G在1.5<L/G<10的范围内。
5、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:上述凹部由凸型冲压成型的办法构成。
6、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:上述凹部形成多个台阶。
7、权利要求5所述的半导体器件,其特征是:在上述凹部内,还设有用来收容半导体元件的半导体元件收容部分,该部分是用对该凹部进一步进行锪孔加工的办法形成的。
8、权利要求7所述的半导体器件,其特征是:上述锪孔加工后的半导体元件收容部分的深度比应该装配的半导体元件的厚度还大。
9、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:位于该基板表面上的上述外部连接端子部分与上述凹部内的上述内部连接端子部分的台阶高度在0.05mm以上。
10、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:装配到上述凹部内的半导体元件的端子和上述内部连接端子部分进行金属丝键合连接。
11、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:面朝下地把半导体元件的端子直接连接到上述内部连接端子部分上。
12、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:上述布线设于除上述凹部的拐角部分之外的壁面区域上。
13、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:上述凹部在该基板的主平面的大体上的中心位置处形成,
在上述凹部内,把半导体元件装配为使得对于该半导体元件装配用基板的厚度方向,大体上变成为中央。
14、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:在上述凹部内把半导体元件偏移装配为对于该基板的厚度方向,从中央偏移该基板的厚度的30%以内。
15、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:上述凹部在底面区域上具备可以收容多个元件的宽广度的同时,还形成有布向上述多个元件的布线,在该凹部内装配多个半导体元件和无源元件。
16、权利要求1所述的半导体器件,其特征是:上述布线是利用完全由金属构成的,可进行拉伸加工的布线构成体形成的布线,
上述可进行拉伸加工的布线构成体具有如下的多层构造:至少含有具有构成上述布线的第1金属层,和作为载体层起作用的第2金属层。
17、一种具备用来装配半导体元件的凹部的半导体元件装配用基板,其特征是:上述半导体元件装配用基板具备沿该基板表面和上述凹部的基板壁面配置的布线,
上述布线由下述部分构成:与在上述凹部开口一侧的该基板表面上设置的外部连接端子连接的外部连接端子部分,与上述所装配的半导体元件连接的内部连接端子部分,和上述外部连接端子部分与上述内部连接端子部分之间的布线部分,
上述布线埋入到上述基板表面和上述凹部的基板壁面内,
上述内部连接端子部分位于上述凹部内。
18、权利要求17所述的半导体元件装配用基板,其特征是:使上述凹部的深度,比将要装配的半导体元件的厚度小,
相对该半导体元件装配用基板的厚度方向,从中央部分把上述凹部的底面锪孔加工成应该装配的该半导体元件的厚度的0.5到2.5倍的范围内的深度。
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