[发明专利]半导体结构及其制造方法在审

申请号：	202310059942.6	申请日：	2023-01-16
公开（公告）号：	CN116403960A	公开（公告）日：	2023-07-07
发明（设计）人：	张任远	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/68	分类号：	H01L21/68;H01L21/67
代理公司：	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258	代理人：	朱亦林
地址：	中国台***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体结构及其制造方法
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【说明书】：

本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种制造半导体结构的方法包括以下操作：通过取放工具将管芯朝向晶圆移动，取放工具包括以固定关系附接到取放工具的红外(IR)检测设备；通过使用IR检测设备将管芯与晶圆对准，其中，将管芯朝向晶圆移动和将管芯与晶圆对准是同时执行的；以及将管芯接合到晶圆。

技术领域

本公开总体涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

集成电路的制造通常涉及将管芯接合到晶圆或封装衬底。在典型的接合工艺中，接合头拾取管芯，然后将管芯放置在晶圆或封装衬底上。在多个管芯被放置在晶圆或封装衬底上之后，执行回流工艺，使得管芯与晶圆或封装衬底接合。需要很好地控制在晶圆或封装衬底上放置管芯的准确性，以保持接合工艺的良率。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：通过取放工具将管芯朝向晶圆移动，所述取放工具包括以固定关系附接到所述取放工具的红外IR检测设备；通过使用所述IR检测设备将所述管芯与所述晶圆对准，其中，将所述管芯朝向所述晶圆移动和将所述管芯与所述晶圆对准是同时执行的；以及将所述管芯接合到所述晶圆。

根据本公开的另一方面，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供包括第一红外IR检测设备的取放工具；通过使用所述取放工具的所述第一IR检测设备，获得第一器件结构上的第一对准标记与第二器件结构上的第二对准标记之间的位置关系；以及通过所述取放工具根据所述位置关系将所述第一器件结构与所述第二器件结构对准。

根据本公开的又一方面，提供了一种半导体结构，包括：管芯，包括第一对准标记；以及封装衬底，接合到所述管芯并且包括第二对准标记，其中，所述第一对准标记和所述第二对准标记位于所述管芯和所述封装衬底之间的界面处。

附图说明

在结合附图阅读时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方面。应注意的是，根据行业的标准实践，各种特征没有按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚起见，各个特征的尺寸可能被任意地增大或缩小了。

图1A至图1F是根据本公开的一些实施例的制造半导体结构的方法的中间阶段的示意图。

图2A至图2K是根据本公开的一些实施例的对准标记的布置的俯视图。

图3A是根据本公开的一些实施例的对准标记的布置的俯视图。

图3B至图3D是根据本公开的一些实施例的对准标记的布置的示意图。

图4是根据本公开的一些实施例的制造半导体结构的方法的一个或多个中间阶段的示意图。

图5是根据本公开的一些实施例的制造半导体结构的方法的一个或多个中间阶段的示意图。

图6A是根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面图。

图6B是根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面图。

图6C是根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面图。