[发明专利]半导体结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202310059942.6 申请日: 2023-01-16
公开(公告)号: CN116403960A 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 张任远 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/67
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 朱亦林
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造半导体结构的方法,包括:

通过取放工具将管芯朝向晶圆移动,所述取放工具包括以固定关系附接到所述取放工具的红外IR检测设备;

通过使用所述IR检测设备将所述管芯与所述晶圆对准,其中,将所述管芯朝向所述晶圆移动和将所述管芯与所述晶圆对准是同时执行的;以及

将所述管芯接合到所述晶圆。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述管芯包括第一对准标记,所述晶圆包括第二对准标记,并且将所述管芯与所述晶圆对准包括:

通过使用所述IR检测设备来获得所述第一对准标记与所述第二对准标记之间的位置关系;以及

使用处理单元基于所述位置关系来产生位置校正指令。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,将所述管芯与所述晶圆对准还包括:

基于从所述处理单元接收的所述位置校正指令,将所述管芯的位置调整到对准位置。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,将所述管芯接合到所述晶圆包括:

通过所述取放工具使所述管芯从所述对准位置与所述晶圆接触。

5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一对准标记和所述第二对准标记包括被配置为反射IR光的金属。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述管芯朝向所述晶圆移动包括:

以第一速度将所述管芯朝向所述晶圆移动,直到所述管芯处于与所述晶圆分开预定距离的预定位置;以及

以第二速度将所述管芯从所述预定位置朝向所述晶圆移动,所述第二速度小于所述第一速度。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,将所述管芯与所述晶圆对准在所述管芯到达所述预定位置时开始。

8.一种制造半导体结构的方法,包括:

提供包括第一红外IR检测设备的取放工具;

通过使用所述取放工具的所述第一IR检测设备,获得第一器件结构上的第一对准标记与第二器件结构上的第二对准标记之间的位置关系;以及

通过所述取放工具根据所述位置关系将所述第一器件结构与所述第二器件结构对准。

9.根据权利要求8所述的方法,还包括:将所述第一器件结构接合到所述第二器件结构。

10.一种半导体结构,包括:

管芯,包括第一对准标记;以及

封装衬底,接合到所述管芯并且包括第二对准标记,其中,所述第一对准标记和所述第二对准标记位于所述管芯和所述封装衬底之间的界面处。

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