[实用新型]半导体封装装置有效
申请号: | 202222062556.6 | 申请日: | 2022-08-05 |
公开(公告)号: | CN217881497U | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 刘洪波;李文瑞;孙雪萍;郭金明 | 申请(专利权)人: | 苏州旭创科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 215127 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 装置 | ||
本申请公开了一种半导体封装装置,包括:基板,其上表面设有元件区域和屏蔽区域,所述屏蔽区域设置于所述元件区域的外周;电子元件,其对应设置于所述元件区域内,且电连接至所述基板;两个屏蔽件,设置于一个屏蔽区域内,且所述两个屏蔽件相对设置;以及多条屏蔽线,所述屏蔽线用于连接所述两个屏蔽件,且跨越所述电子元件。本申请可以避免电子元件受外部电磁波干扰的问题,以提升电磁干扰的屏蔽效果。
技术领域
本申请涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种半导体封装装置。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,大部分的电子产品均朝向小型化及高速化的目标发展,尤其是通信产业的发展已经普遍将通讯装置运用整合于各类电子产品,例如行动电话(Cell phone)、膝上型电脑(laptop)等。然而,上述的电子产品需要使用高频的射频芯片,且射频芯片可能相邻设置数字集成电路、数字信号处理器(Digital Signal Processor,简称DSP)或基带芯片(Base Band,简称BB),造成电磁干扰(Electromagnetic Interference,简称EMI)问题,因此必需进行电磁屏蔽(Electromagnetic Shielding)处理。
目前PAM4多模产品抑制电磁干扰的措施一般采用EMI金属屏蔽罩抑制电磁干扰,或者在模块内部贴装吸波材料抑制电磁干扰,采用这两种方式作为屏障层仍难以防止电磁干扰,特别是下一代单波100Gbps的应用,对电磁干扰的挑战更高。
因此,如何克服上述现有技术的问题,已成为目前业界亟待克服的难题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种半导体封装装置,以解决电子元件受外部电磁波干扰的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供一种半导体封装装置,其包括:基板,其上表面设有元件区域和屏蔽区域,所述屏蔽区域设置于所述元件区域的外周;电子元件,其对应设置于所述元件区域内,且电连接至所述基板;两个屏蔽件,设置于一个屏蔽区域内,且所述两个屏蔽件相对设置;以及多条屏蔽线,所述屏蔽线用于连接所述两个屏蔽件,且跨越所述电子元件。
进一步地,所述的半导体封装装置还包括:屏蔽连接件,其设置于所述两个屏蔽件之间的电子元件上;所述屏蔽线包括第一屏蔽线和第二屏蔽线,所述第一屏蔽线的一端连接至所述两个屏蔽件中的一个,所述第一屏蔽线的另一端连接至所述屏蔽连接件的一侧,所述第二屏蔽线的一端连接至所述两个屏蔽件中的另一个,所述第二屏蔽线的另一端连接至所述屏蔽连接件的另一侧。
进一步地,所述屏蔽件和所述屏蔽连接件均包括:绝缘层;以及金属屏蔽膜层,其设置于所述绝缘层上。
进一步地,所述绝缘层所采用的材质为氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、氧化锆陶瓷、碳化硅陶瓷中的一种。
进一步地,所述屏蔽件的高度为0.18-0.22mm;所述屏蔽连接件的高度为0.08-0.12mm;所述屏蔽件的高度小于或等于所述电子元件的高度。
进一步地,所述的半导体封装装置还包括:封装层,其设置于所述基板上,且包覆所述电子元件、所述屏蔽件以及所述屏蔽连接件。
进一步地,所述屏蔽线为金线和/或铝线。
进一步地,所述基板的上表面设有接地端子,所述接地端子电性连接至所述电子元件以及所述屏蔽件。
进一步地,所述基板内部设有接地端子,所述屏蔽件连接至所述接地端子。
进一步地,所述基板内部开设有一过孔,所述屏蔽件通过所述过孔连接至所述接地端子。
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