[实用新型]芯片封装单元及由其所堆叠形成的封装结构有效
| 申请号: | 202221835814.3 | 申请日: | 2022-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN219017640U | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
| 发明(设计)人: | 于鸿祺;林俊荣;古瑞庭 | 申请(专利权)人: | 华东科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/782;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
| 地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 单元 堆叠 形成 结构 | ||
1.一种芯片封装单元,其特征在于,该芯片封装单元具有一第一表面及一第二表面相对于该第一表面,该芯片封装单元包含:
一芯片,其具有一第三表面、一第四表面及至少一第一侧边,该第三表面上设有至少一晶垫及至少一芯片保护层,该第四表面相对于该第三表面;
一第一重布线层,其位于该芯片的该第三表面上,该第一重布线层由该第三表面依序包含至少一第一介电层、至少一凸块、至少一第三介电层、至少一第一导接线路及至少一第二侧边;其中每一该第一介电层对应地覆盖设于该芯片的该第三表面上,且具有一表面及至少一凹槽,每一该凹槽与该芯片的每一该晶垫位置对应;其中每一该凸块设于每一该第一介电层的每一该凹槽内,且每一该凸块电性连接地设于该芯片的每一该晶垫上;其中每一该第三介电层设于每一该第一介电层的该表面上,且具有一表面;其中每一该第一导接线路设于每一该第一介电层的该表面上并与每一该凸块电性连接,且具有对外露出的一表面;
一第二重布线层,其位于该芯片的该第四表面上,该第二重布线层由该第四表面依序包含至少一第二介电层、至少一第二导接线路及至少一第三侧边;其中每一该第二介电层对应地覆盖设于该芯片的该第四表面上,且具有一表面;其中每一该第二导接线路设于每一该第二介电层的该表面上,且具有对外露出的一表面;及
至少一第一电路层,每一该第一电路层电性连接地设于每一该第一导接线路与每一该第二导接线路之间,且每一该第一电路层位于该芯片的每一该第一侧边、该第一重布线层的每一该第二侧边及该第二重布线层的每一该第三侧边上;
其中该芯片得通过每一该第一导接线路或每一该第二导接线路向外电性连接;
其中该芯片封装单元更是由一晶圆上进行一切割作业所分别切割形成,该晶圆具有一第七表面及一第八表面相对于该第七表面;其中该晶圆上具有多个该芯片封装单元阵列地相邻排列,相邻两个该芯片封装单元之间具有一切割区,每一该切割区上具有由该第七表面轴向贯穿至该第八表面的至少一导通孔,每一该导通孔位于每一该芯片封装单元的该芯片的每一该第一侧边、该第一重布线层的每一该第二侧边及该第二重布线层的每一该第三侧边的外缘处,每一该导通孔内包含有一轴向连接线路,且各轴向连接线路与每一该芯片封装单元的每一该第一导接线路及每一该第二导接线路电性连接;其中该切割作业为切割工具沿着该晶圆的每一该切割区切割该晶圆,每一该切割区上在切割后形成一宽径小于每一该切割区的切割道,且每一该切割道形成的同时将一部分的每一该导通孔及一部分的每一该轴向连接线路一同切除,未被切除的一部分的每一该轴向连接线路连同未被切除的一部分的每一该导通孔保留在每一该芯片封装单元的外缘处并以此构成每一该芯片封装单元的每一该第一电路层。
2.如权利要求1所述的芯片封装单元,其特征在于,该第一重布线层进一步包含至少一第一保护层,每一该第一保护层设于每一该第一导接线路的该表面上。
3.如权利要求1所述的芯片封装单元,其特征在于,该第二重布线层进一步包含至少一第二保护层,每一该第二保护层设于每一该第二导接线路的该表面上。
4.如权利要求1所述的芯片封装单元,其特征在于,该第一重布线层进一步包含至少一第五介电层,每一该第五介电层设于每一该第三介电层的该表面上,每一该第五介电层具有至少一第一开口供每一该第一导接线路对外露出。
5.如权利要求1所述的芯片封装单元,其特征在于,该第二重布线层进一步包含至少一第四介电层,每一该第四介电层设于每一该第二介电层的该表面上,每一该第四介电层具有至少一第二开口供每一该第二导接线路对外露出。
6.如权利要求4所述的芯片封装单元,其特征在于,该第一重布线层进一步包含至少一第一锡球,每一该第一锡球设于每一该第五介电层的每一该第一开口上。
7.如权利要求5所述的芯片封装单元,其特征在于,该第二重布线层进一步包含至少一第二锡球,每一该第二锡球设于每一该第四介电层的每一该第二开口上。
8.如权利要求1所述的芯片封装单元,其特征在于,该晶圆上的每一该导通孔的孔径进一步大于每一该切割道的宽径。
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