[实用新型]插入件及半导体封装结构

说明书

本申请提供了插入件(interposer)及半导体封装结构，该插入件以第二线路结构(基于引线框架形成)为基础，分别在两侧形成第一线路结构(利用Substrate制程得到的)和第三线路结构(利用Fan out制程得到的)，利用上述三种线路结构间的结合中确定出适合的组合，实现电性可靠性高、成本低。进一步地，将插入件中的第一线路结构与基板结合、第三线路结构与电子元件接合，得到本申请提供的半导体封装结构。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及插入件及半导体封装结构。

背景技术

FOSUB(Fan-Out结合Substrate)结构是通过粘合层将重布线层(Fan-Out)和基板(Substrate)结合，再通过导通孔(Via)联通重布线结构与基板之间的电性通道。

然而，在利用激光(Laser)形成导通孔会利用溅镀和电镀制程，不仅所费不赀、成本高。当重布线结构需要达到一定厚度时，除了成本增加之外，由于高深宽比(AspectRatio，AS)导通孔内部容易出现缺陷，不易达到较高的可靠性及均匀导电度，电性良率难也以达到要求，进而影响封装结构的品质。

实用新型内容

第一方面，本申请提供了一种插入件，包括：

第一线路结构；

第二线路结构，设于所述第一线路结构之上；

第三线路结构，设于所述第二线路结构之上，所述第三线路结构的线路密度大于所述第一线路结构的线路密度，所述第三线路结构的线路密度大于所述第二线路结构的线路密度。

在一些可选的实施方式中，还包括：

模封层，设于所述第二线路结构和所述第三线路结构之间。

在一些可选的实施方式中，所述第二线路结构包括导通孔和线路层。

在一些可选的实施方式中，所述模封层包覆所述导通孔。

在一些可选的实施方式中，所述模封层的上表面与所述导通孔的上表面齐平。

在一些可选的实施方式中，所述导通孔的材料与所述线路层的材料相同。

在一些可选的实施方式中，所述导通孔与所述线路层是一体成型的。

在一些可选的实施方式中，所述线路层的侧边呈弧状内凹。

在一些可选的实施方式中，所述第一线路结构的金相结构与所述第三线路结构的金相结构不同，所述第三线路结构的金属晶粒结构呈扁平状。

第二方面，本申请提供了一种半导体封装结构，包括：

基板、电子元件以及如第一方面所述的插入件，所述基板与所述插入件的第一线路结构结合，所述电子元件与所述第三线路结构结合。

在一些可选的实施方式中，所述基板与所述插入件之间的电连接件为焊点或贯穿所述插入件的通孔。

为了解决FOSUB结构中多层重布线结构成本高、导通孔良率低、市场供应不足的技术问题，本申请提供了一种插入件(interposer)，以第二线路结构(基于引线框架形成)为基础，分别在两侧形成第一线路结构(利用Substrate制程得到的)和第三线路结构(利用Fan out制程得到的)，利用上述三种线路结构间的结合中确定出适合的组合，实现电性可靠性高、成本低。进一步地，将插入件中的第一线路结构与基板结合、第三线路结构与电子元件接合，得到半导体封装结构。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是根据本申请提供的插入件的一个实施例的结构示意图；