[发明专利]贯穿孔结构的制作方法、半导体结构及封装结构

权利要求书

1.一种贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底；

对所述基底进行第一刻蚀，形成第一通孔；以及

对所述基底进行第二刻蚀，在所述第一通孔底部形成第二通孔，所述第二通孔的纵截面呈长方形，所述第二通孔的横截面尺寸大于所述第一通孔顶部的横截面尺寸。

2.根据权利要求1所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，所述基底上还形成有绝缘层；对所述基底进行第一刻蚀之前，还包括：对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露出所述基底的第三通孔，所述第一通孔位于所述第三通孔的底部，且所述第三通孔的纵截面呈长方形，所述第三通孔的横截面尺寸等于所述第一通孔顶部的横截面尺寸。

3.根据权利要求1所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，所述第一通孔顶部的横截面尺寸小于所述第一通孔底部的横截面尺寸，且所述第二通孔的横截面尺寸等于所述第一通孔底部的横截面尺寸。

4.根据权利要求1所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀与所述第二次刻蚀均采用干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺包含多组依次循环进行的刻蚀处理、钝化处理以及底部清除处理；

所述刻蚀处理的步骤包括：刻蚀所述基底，在所述基底内形成凹槽；所述钝化处理的步骤包括：在所述凹槽的底部和侧壁形成钝化层；所述底部清除处理的步骤包括：去除所述凹槽底部的所述钝化层。

5.根据权利要求4所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蚀中，后一次刻蚀处理的反应时间大于前一次刻蚀处理的反应时间。

6.根据权利要求4所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，所述第二次刻蚀中，后一次刻蚀处理的反应时间等于前一次刻蚀处理的反应时间。

7.根据权利要求2所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，对所述绝缘层进行刻蚀至暴露出所述基底之后，所述制作方法还包括：继续对部分厚度的所述基底进行刻蚀以形成位于所述绝缘层与部分基底内的所述第三通孔。

8.根据权利要求7所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，在平行于所述基底的方向上，所述第一通孔的顶部侧壁与底部侧壁在平行于所述基底上的方向上的距离大于所述第三通孔至所述器件的距离。

9.根据权利要求1所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第一通孔与所述第二通孔内填满导电材料。

10.根据权利要求9所述的贯穿孔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：对所述基底远离所述第一通孔的一面进行减薄，至暴露出所述第二通孔内的所述导电材料。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括贯穿孔；所述基底具有相对的第一表面和第二表面；

所述贯穿孔包含第一通孔与位于所述第一通孔底部的第二通孔；所述第二通孔的纵截面呈长方形，所述第二通孔的横截面尺寸大于所述第一通孔顶部的横截面尺寸。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一通孔顶部的横截面尺寸小于所述第一通孔底部的横截面尺寸，且所述第二通孔的横截面尺寸等于所述第一通孔底部的横截面尺寸。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述基底设置有器件，所述器件具有一排除区域，所述第一通孔至所述器件的最短距离为第一距离，所述第一距离大于或等于所述排除区域要求的最小距离。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，所述第二通孔至所述器件的最短距离为第二距离，所述第二距离大于或等于所述排除区域要求的最小距离。