[发明专利]半导体结构缺陷监测方法和装置

说明书

本公开提供了一种半导体结构缺陷监测方法和装置，涉及半导体技术领域。该半导体结构缺陷监测方法包括：获取所述电容柱与所述支撑结构的套刻精度偏移量；获取所述刻蚀膜层的刻蚀开口大小；确定所述套刻精度偏移量与所述刻蚀开口大小之间的对应关系；基于所述对应关系对半导体生产过程中的结构缺陷进行监测。解决了目前电容的缺陷监测效果较差的技术问题，达到了提高电容的缺陷监测效果的技术效果。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构缺陷监测方法和装置。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取内存)电容在制备过程中具有很大的高深宽比，在制备过程中很容易在电容底部产生残留物而影响电容最终的存储性能。但是由于电容具有很大的高深宽比，而这种残留物一般又存在于电容的底部，现有的缺陷监测设备很难直接检测到，目前主要通过电性测试或抛光等工艺处理后通过光学显微镜进行筛查，效率较低，且很容易对电容造成不可逆的损伤，增加检测成本。

因此，目前电容的缺陷监测效果较差。

发明内容

本公开提供了一种半导体结构缺陷监测方法、装置、存储介质和电子设备，进而提高电容的缺陷监测效果。

第一方面，本公开一个实施例提供了一种半导体结构缺陷监测方法，半导体结构包括前层结构与当层结构；其中，前层结构至少包括：电容柱、用于支撑电容柱的支撑结构与介质膜层；当层结构至少包括：刻蚀膜层；该方法包括：

获取电容柱与支撑结构的套刻精度偏移量；

获取刻蚀膜层的刻蚀开口大小；

确定套刻精度偏移量与刻蚀开口大小之间的对应关系；

基于对应关系对半导体生产过程中的结构缺陷进行监测。

在本公开一个可选实施例中，获取电容柱与支撑结构的套刻精度偏移量，至少包括：

获取前层结构的第一光学扫描图；

在第一光学扫描图中，基于支撑结构与电容柱的第一结构参数计算套刻精度偏移量。

在本公开一个可选实施例中，支撑结构包括位于电容柱顶部的第一支撑结构，以及位于电容柱本体的第二支撑结构；在第一光学扫描图中，基于支撑结构与电容柱的第一结构参数计算套刻精度偏移量，包括：

在第一光学扫描图中，基于第二支撑结构与电容柱的第一结构参数计算套刻精度偏移量。

在本公开一个可选实施例中，在第一光学扫描图中，基于支撑结构与电容柱的第一结构参数计算套刻精度偏移量，包括：

在第一光学扫描图中，基于支撑结构与电容柱的第一结构参数分别计算沿支撑结构轴向的水平套刻精度偏移量，与沿支撑结构径向的纵向套刻精度偏移量；

对水平套刻精度偏移量与纵向套刻精度偏移量进行加权计算，得到套刻精度偏移量。

在本公开一个可选实施例中，水平套刻精度偏移量的第一权重系数大于纵向套刻精度偏移量的第二权重系数。

在本公开一个可选实施例中，在第一光学扫描图中，基于支撑结构与电容柱的第一结构参数计算套刻精度偏移量，包括：

在第一光学扫描图中，基于支撑结构与电容柱的第一结构参数分别计算沿支撑结构轴向的水平套刻精度偏移量；

将水平套刻精度偏移量确定为套刻精度偏移量。

在本公开一个可选实施例中，获取刻蚀膜层的刻蚀开口大小，包括：

获取前层结构的第二光学扫描图；

在第二光学扫描图中，基于刻蚀膜层的第二结构参数计算刻蚀膜层的刻蚀开口大小。