[发明专利]半导体结构缺陷监测方法和装置

权利要求书

1.一种半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，

半导体结构包括前层结构与当层结构；其中，所述前层结构至少包括：电容柱、用于支撑电容柱的支撑结构与介质膜层；所述当层结构至少包括：刻蚀膜层；所述方法包括：

获取所述电容柱与所述支撑结构的套刻精度偏移量；

获取所述刻蚀膜层的刻蚀开口大小；

确定所述套刻精度偏移量与所述刻蚀开口大小之间的对应关系；

基于所述对应关系对半导体生产过程中的结构缺陷进行监测。

2.根据权利要求1所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述获取所述电容柱与所述支撑结构的套刻精度偏移量，至少包括：

获取所述前层结构的第一光学扫描图；

在所述第一光学扫描图中，基于所述支撑结构与所述电容柱的第一结构参数计算所述套刻精度偏移量。

3.根据权利要求2所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述支撑结构包括位于所述电容柱顶部的第一支撑结构，以及位于所述电容柱本体的第二支撑结构；所述在所述第一光学扫描图中，基于所述支撑结构与所述电容柱的第一结构参数计算所述套刻精度偏移量，包括：

在所述第一光学扫描图中，基于所述第二支撑结构与所述电容柱的第一结构参数计算所述套刻精度偏移量。

4.根据权利要求3所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述在所述第一光学扫描图中，基于所述支撑结构与所述电容柱的第一结构参数计算所述套刻精度偏移量，包括：

在所述第一光学扫描图中，基于所述支撑结构与所述电容柱的第一结构参数分别计算沿所述支撑结构轴向的水平套刻精度偏移量，与沿所述支撑结构径向的纵向套刻精度偏移量；

对所述水平套刻精度偏移量与所述纵向套刻精度偏移量进行加权计算，得到所述套刻精度偏移量。

5.根据权利要求4所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述水平套刻精度偏移量的第一权重系数大于所述纵向套刻精度偏移量的第二权重系数。

6.根据权利要求3所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述在所述第一光学扫描图中，基于所述支撑结构与所述电容柱的第一结构参数计算所述套刻精度偏移量，包括：

在所述第一光学扫描图中，基于所述支撑结构与所述电容柱的第一结构参数分别计算沿所述支撑结构轴向的水平套刻精度偏移量；

将所述水平套刻精度偏移量确定为所述套刻精度偏移量。

7.根据权利要求1所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述获取所述刻蚀膜层的刻蚀开口大小，包括：

获取所述前层结构的第二光学扫描图；

在所述第二光学扫描图中，基于所述刻蚀膜层的第二结构参数计算所述刻蚀膜层的所述刻蚀开口大小。

8.根据权利要求1所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述膜层应力、所述套刻精度偏移量与所述刻蚀开口大小的数量均为多个，所述确定所述套刻精度偏移量与所述刻蚀开口大小之间的对应关系，包括：

对多个所述套刻精度偏移量与多个所述刻蚀开口大小进行数据拟合，生成关于所述套刻精度偏移量与所述刻蚀开口大小的拟合函数，得到所述对应关系。

9.根据权利要求8所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，各所述套刻精度偏移量与各所述刻蚀开口大小均是针对半导体结构中同一位置点重复确定得到。

10.根据权利要求1所述的半导体结构缺陷监测方法，其特征在于，所述基于所述对应关系对半导体生产过程中的结构缺陷进行监测，包括：

获取待测半导体当前结构的当前套刻精度偏移量；

根据所述对应关系与当前套刻精度偏移量确定所述待测半导体对应的目标刻蚀开口大小范围；

基于所述目标刻蚀开口大小范围对所述待测半导体进行缺陷监控。