[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，包括：

于一基板之上设置一芯片结构，其中该芯片结构具有一倾斜侧壁，该倾斜侧壁与一垂直方向成一锐角，该垂直方向垂直于该芯片结构的一主表面，且该锐角介于约12度至约45度之间；以及

形成一保护层以围绕该芯片结构。

2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，更包括：切割一半导体晶圆以获得该芯片结构。

3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其中是以一切割刀来切割该半导体晶圆，且该切割刀沿着自该切割刀的一边缘朝向该切割刀的一较内部分的方向而逐渐变厚。

4.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，更包括：

使用一第一切割刀切割该半导体晶圆的一较上部分以形成延伸到该半导体晶圆中的一沟槽，其中该第一切割刀沿着从该第一切割刀的一边缘朝向该第一切割刀的一较内部分的方向逐渐变厚；以及

使用一第二切割刀切割该半导体晶圆的一较下部分以加深该沟槽，其中第二切割刀的一边缘部分和一较内部分大抵彼此一样厚。

5.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，更包括：

使用一第一切割刀切割该半导体晶圆的一较上部分以形成延伸到该半导体晶圆中的多个沟槽，其中该第一切割刀沿着从该第一切割刀的一边缘朝向该第一切割刀的一较内部分的方向逐渐变厚；以及

使用一第二切割刀切割该半导体晶圆的一较下部分以加深所述沟槽，其中该第二切割刀的一边缘部分和一较内部分大抵彼此一样厚。

6.一种封装结构，包括：

一芯片结构，位于一重布线结构之上，其中该芯片结构具有一倾斜侧壁，该倾斜侧壁与一垂直方向成一锐角，该垂直方向为垂直于该芯片结构的一主表面的方向，该锐角为从大约12度到大约45度的范围；以及

一保护层，位于该重布线结构之上，其中该保护层围绕该芯片结构。

7.如权利要求6所述的封装结构，其中该芯片结构具有一第一侧区、一第二侧区及一转角区，该转角区连接该第一侧区与该第二侧区，该芯片结构于该第一侧区中具有一第一倾斜侧壁，且该芯片结构在该转角区具有一第二倾斜侧壁。

8.如权利要求7所述的封装结构，其中该第一倾斜侧壁比该第二倾斜侧壁更陡峭。

9.如权利要求6所述的封装结构，更包括一第二芯片结构，位于该重布线结构之上，且被该保护层包围，其中该第二芯片结构比该芯片结构还宽，该第二芯片结构具有一第二倾斜侧壁，该第二倾斜侧壁与该垂直方向成一第二锐角，且该第二芯片结构的该第二锐角大于该芯片结构的该锐角。

10.一种封装结构，包括：

一芯片结构，位于一重布线结构之上，其中该芯片结构具有一正面、一背面以及连接该正面和该背面的一侧壁，且该正面和该背面具有不同的宽度；以及

一保护层，位于该重布线结构之上，其中该保护层围绕该芯片结构。