[发明专利]一种半导体结构的制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体结构的制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成多个零位对准标记；在所述衬底上形成图案化光阻层，所述图案化光阻层覆盖所述零位对准标记和部分所述衬底；以所述图案化光阻层为掩膜，对所述衬底植入离子，形成掺杂区；在所述衬底上沉积隔离层，且所述隔离层覆盖所述掺杂区；以及对所述掺杂区进行高温退火。通过本发明提供的一种半导体结构的制造方法，可提高半导体结构的质量。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

背景技术

功率器件芯片通常可分为具有外延层的芯片以及没有外延层的芯片。当具有外延层的集成芯片在制成时，在外延层沉积之前定义出离子植入的区域，并在衬底中植入离子，以形成掺杂区。在形成掺杂区后，需要对掺杂区进行高温退火处理。但在高温退火时，植入的离子易扩散出来，进而影响半导体集成器件的质量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构的制造方法，通过本发明提供的半导体结构的制造方法，可提高半导体结构的质量。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成多个零位对准标记；

在所述衬底上形成图案化光阻层，所述图案化光阻层覆盖所述零位对准标记和部分所述衬底；

以所述图案化光阻层为掩膜，对所述衬底植入离子，形成掺杂区；

在所述衬底上沉积隔离层，且所述隔离层覆盖所述掺杂区；以及

对所述掺杂区进行高温退火。

在本发明一实施例中，在所述衬底上沉积隔离层的方法为：使用正硅酸乙酯分解形成隔离层。

在本发明一实施例中，所述隔离层的厚度为1000埃~4000埃。

在本发明一实施例中，所述半导体结构的制造方法还包括：在所述衬底上形成垫氧化层，且所述垫氧化层的厚度为80埃~500埃。

在本发明一实施例中，形成所述隔离层的步骤包括：

将带有所述垫氧化层的所述衬底放置在反应腔内；

预设反应腔的温度和压力；以及

向反应腔内通入正硅酸乙酯和含氧气体，所述正硅酸乙酯和所述含氧气体反应生成二氧化硅，并沉积在所述垫氧化层表面。

在本发明一实施例中，所述含氧气体为氧气或臭氧。

在本发明一实施例中，向所述反应腔内通入所述正硅酸乙酯和所述含氧气体时，同时向所述反应腔内通入氮气。

在本发明一实施例中，所述掺杂区包括第一类型掺杂区和第二类型掺杂区，且所述半导体结构的制造方法包括以下步骤：

在所述零位对准标记和部分所述垫氧化层上形成第一光阻层；

以所述第一光阻层为掩膜，向所述衬底中植入第一类型离子，形成第一类型掺杂区；

在所述垫氧化层上形成第一隔离层，并对第一类型掺杂区进行高温退火；

在所述零位对准标记和部分所述垫氧化层上形成第二光阻层；

以所述第二光阻层为掩膜，向衬底中植入第二类型离子，形成第二类型掺杂区；以及

在所述垫氧化层上形成第二隔离层，并对所述第二类型掺杂区进行高温退火。