[发明专利]一种半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 202210785556.0 | 申请日： | 2022-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN114843176B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陶磊;周成;程挚;蔡明洋;王厚有 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 吴向青 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上形成多个零位对准标记，且所述零位对准标记位于切割道上；
在所述衬底上形成图案化光阻层，所述图案化光阻层覆盖所述零位对准标记和部分所述衬底；
以所述图案化光阻层为掩膜，对所述衬底植入离子，形成掺杂区；
在所述衬底上沉积隔离层，且所述隔离层覆盖所述掺杂区；
对所述掺杂区进行高温退火；以及
在对所述掺杂区进行高温退火后，移除所述隔离层，在所述衬底上形成外延层，且所述外延层覆盖所述零位对准标记；
其中，在所述衬底上沉积隔离层的方法为：使用正硅酸乙酯分解形成隔离层，且所述隔离层的厚度为1000埃~4000埃。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构的制造方法还包括：在所述衬底上形成垫氧化层，且所述垫氧化层的厚度为80埃~500埃。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述隔离层的步骤包括：
将带有所述垫氧化层的所述衬底放置在反应腔内；
预设反应腔的温度和压力；以及
向反应腔内通入正硅酸乙酯和含氧气体，所述正硅酸乙酯和所述含氧气体反应生成二氧化硅，并沉积在所述垫氧化层表面。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述含氧气体为氧气或臭氧。
5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，向所述反应腔内通入正硅酸乙酯和含氧气体时，同时向所述反应腔内通入氮气。
6.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述掺杂区包括第一类型掺杂区和第二类型掺杂区，且所述半导体结构的制造方法包括以下步骤：
在所述零位对准标记和部分所述垫氧化层上形成第一光阻层；
以所述第一光阻层为掩膜，向所述衬底中植入第一类型离子，形成第一类型掺杂区；
在所述垫氧化层上形成第一隔离层，并对第一类型掺杂区进行高温退火；
在所述零位对准标记和部分所述垫氧化层上形成第二光阻层；
以所述第二光阻层为掩膜，向衬底中植入第二类型离子，形成第二类型掺杂区；以及
在所述垫氧化层上形成第二隔离层，并对所述第二类型掺杂区进行高温退火。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对所述掺杂区进行高温退火时，高温退火的温度为1000℃~1250℃，高温退火的时间为80min~200min。
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