[发明专利]包括支撑焊球的半导体封装在审
申请号: | 202210400948.0 | 申请日: | 2022-04-14 |
公开(公告)号: | CN115295522A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 李姃炫;金东旭;朴桓必;沈钟辅 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯;李敬文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 支撑 半导体 封装 | ||
一种半导体封装,包括:第一衬底;所述第一衬底上的第一半导体器件;第一模塑层,覆盖所述第一半导体器件;所述第一模塑层上的第二衬底;支撑焊球,介于所述第一衬底与所述第二衬底之间,并且与所述第一衬底或所述第二衬底电学断开,其中,所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置;以及衬底连接焊球,被设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间,以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底,其中,所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度,并且所述核具有等于或大于所述第一高度的第二高度。
相关申请的交叉引用
本申请要求2021年5月3日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0057298的优先权,其公开整体合并于此以作参考。
技术领域
本公开涉及半导体封装,具体涉及包括支撑焊球的半导体封装。
背景技术
半导体封装是包含一个或多个半导体器件或集成电路的金属、塑料、玻璃或陶瓷壳体。传统上,半导体封装包括印刷电路板(PCB)和半导体芯片管芯,该半导体芯片管芯安装在PCB上并且使用接合线或凸块电连接至PCB。正在进行许多研究以增加半导体封装的可靠性和耐用性。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种具有增加的可靠性的半导体封装。
根据本发明构思的实施例,一种半导体封装,可以包括:第一衬底;所述第一衬底上的第一半导体器件;第一模塑层,覆盖所述第一半导体器件;所述第一模塑层上的第二衬底;支撑焊球,介于所述第一衬底与所述第二衬底之间,并且与所述第一衬底或所述第二衬底电学断开,其中,所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置;以及衬底连接焊球,被设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间,以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底,其中,所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度,并且所述核具有等于或大于所述第一高度的第二高度。
根据本发明构思的实施例,一种半导体封装,可以包括:第一衬底;第一半导体器件,所述第一半导体器件设置在所述第一衬底上并具有第一侧壁和第二侧壁,当在平面图中观察时所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此正交,其中,所述第一侧壁和所述第二侧壁分别平行于第一方向和第二方向;所述第一半导体器件上的第二衬底;以及内焊球,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间以包围所述第一半导体器件,其中,所述内焊球包括:第一内焊球,所述第一内焊球靠近所述第一半导体器件的所述第一侧壁布置以形成平行于所述第一方向的m行;以及第二内焊球,所述第二内焊球靠近所述第一半导体器件的所述第二侧壁布置以形成平行于所述第二方向的n列,n大于m,并且所述第一内焊球中的离所述第一侧壁最远的至少一个内焊球包括设置在其中的核。
根据本发明构思的实施例,一种半导体封装,可以包括:第一衬底;所述第一衬底上的第一半导体器件;下填充层,在所述第一半导体器件与所述第一衬底之间;模塑层,覆盖所述第一半导体器件;所述模塑层上的第二衬底;支撑焊球,介于所述第一衬底与所述第二衬底之间,并且与所述第衬底或所述第二衬底电学断开,其中,所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置;以及衬底连接焊球,被设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间,以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底,其中,所述支撑焊球接触所述第一衬底的顶表面或所述第二衬底的顶表面,所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度,所述核具有大于所述第一高度的第二高度,并且所述第二高度和所述第一高度之差是10μm至50μm。
附图说明
图1是示出根据本发明构思的实施例的半导体封装的平面图。
图2是沿图1的线A-A′截取的截面图。
图3A、图3B、图3C、图3D和图3E是均示出图2的部分‘P1’的放大截面图。
图4示出根据本发明构思的实施例的核的各种形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210400948.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。