专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装以及包括半导体封装的电子设备-CN202310158839.7在审
  • 崔允硕;沈钟辅;姜熙烨;赵圣恩 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-15 - 2023-10-27 - H01L23/31
  • 公开了一种半导体封装,包括:封装衬底,具有在封装衬底的顶表面处的第一安装区域和第二安装区域;第一半导体芯片,设置在第一安装区域上;第二半导体芯片,设置在第二安装区域上;中介层衬底,设置在第二安装区域上,并覆盖第二半导体芯片;多个导电连接器,从中介层衬底的底表面延伸到封装衬底的顶表面,并与第二半导体芯片横向地间隔开;以及第三半导体芯片,在中介层衬底的顶表面上。第一半导体芯片的顶表面与封装衬底的顶表面之间的第一距离大于中介层衬底的顶表面与封装衬底的顶表面之间的第二距离。
  • 半导体封装以及包括电子设备
  • [发明专利]半导体封装-CN202210924659.0在审
  • 赵恩晧;金知晃;沈钟辅 - 三星电子株式会社
  • 2022-08-02 - 2023-04-18 - H01L23/46
  • 一种半导体封装,包括:第一半导体芯片;第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片上;芯片连接端子,被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片;底部填充层,设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间,并且围绕芯片连接端子;竖直多孔结构,填充在竖直方向上穿过第一半导体芯片、第二半导体芯片和底部填充层的多个竖直冷却通道的空间,并且具有多个冷却孔;以及冷却流体,被提供给竖直多孔结构的多个冷却孔以在多个竖直冷却通道内部流动。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN202210724273.5在审
  • 任忠彬;金知晃;沈钟辅;朴镇右 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-23 - 2023-04-04 - H01L23/498
  • 一种半导体封装件包括:第一封装基板,具有分别包括多个第一下表面焊盘和多个第一上表面焊盘的下表面和上表面;第二封装基板,具有分别包括多个第二下表面焊盘和多个第二上表面焊盘的下表面和上表面,其中,所述多个第二上表面焊盘包括位于所述第二封装基板的上表面处的所有上表面焊盘;半导体芯片,设置在所述第一封装基板和所述第二封装基板之间并且附接到所述第一封装基板上;以及多个金属芯结构,将所述多个第一上表面焊盘中的一些第一上表面焊盘连接到所述多个第二下表面焊盘中的一些第二下表面焊盘并且不与所述多个第二上表面焊盘中的任何第二上表面焊盘垂直交叠,每个所述金属芯结构具有金属芯。
  • 半导体封装
  • [发明专利]包括支撑焊球的半导体封装-CN202210400948.0在审
  • 李姃炫;金东旭;朴桓必;沈钟辅 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-14 - 2022-11-04 - H01L23/498
  • 一种半导体封装,包括:第一衬底;所述第一衬底上的第一半导体器件;第一模塑层,覆盖所述第一半导体器件;所述第一模塑层上的第二衬底;支撑焊球,介于所述第一衬底与所述第二衬底之间,并且与所述第一衬底或所述第二衬底电学断开,其中,所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置;以及衬底连接焊球,被设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间,以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底,其中,所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度,并且所述核具有等于或大于所述第一高度的第二高度。
  • 包括支撑半导体封装
  • [发明专利]半导体封装结构、半导体封装件和堆叠半导体封装件-CN202210387423.8在审
  • 任忠彬;金知晃;沈钟辅 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-13 - 2022-11-04 - H01L23/498
  • 提供了半导体封装结构、半导体封装件和堆叠半导体封装件,所述半导体封装结构包括:封装基板;半导体芯片,所述半导体芯片位于所述封装基板上并且电连接到所述封装基板;中介基板,所述中介基板位于所述封装基板和所述半导体芯片上方,其中,所述中介基板包括从所述中介基板的下表面向里凹入的腔,其中,至少从俯视图看,所述半导体芯片设置在所述腔内;以及粘合层,所述粘合层设置在所述腔的内部和外部,其中,所述粘合层形成在所述半导体芯片的上表面和侧表面上,或者形成在所述半导体芯片的所述侧表面上。
  • 半导体封装结构堆叠
  • [发明专利]具有堆叠封装结构的半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202111051857.2在审
  • 李姃炫;金知晃;沈钟辅 - 三星电子株式会社
  • 2021-09-08 - 2022-06-10 - H01L25/065
  • 提供了一种具有堆叠封装(PoP)结构的半导体器件和一种制造该半导体器件的方法,其中,实现了封装基板之间的精细节距,减小了封装件的总高度,并且提高了可靠性。该半导体器件包括:第一封装基板,包括第一主体层和第一钝化层;第一半导体芯片,位于第一封装基板上;第二封装基板,位于第一封装基板上,第二封装基板包括第二主体层和第二钝化层;第一连接构件,在第一半导体芯片的外部位于第一封装基板上;以及间隙填充物,填充在第一封装基板与第二封装基板之间,其中,第一封装基板包括第一沟槽,第二封装基板包括第二沟槽,并且第一半导体芯片设置在第一沟槽与第二沟槽之间。
  • 具有堆叠封装结构半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体封装-CN202111053547.4在审
  • 金东暤;金知晃;朴桓必;沈钟辅 - 三星电子株式会社
  • 2021-09-08 - 2022-06-03 - H01L25/16
  • 提供了一种半导体封装,包括:下封装,所述下封装包括下基板和下半导体芯片;中介层基板,在所述下封装上并且具有穿透所述中介层基板的多个孔;热辐射结构,所述热辐射结构包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部;以及导热层,在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN202111307675.7在审
  • 金东暤;金知晃;朴桓必;沈钟辅 - 三星电子株式会社
  • 2021-11-05 - 2022-05-27 - H01L25/16
  • 提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:第一基板,所述第一基板包括第一绝缘层、位于所述第一绝缘层中的接地图案以及第一导电图案;第一半导体芯片,所述第一半导体芯片布设在所述第一基板的上表面上;球阵列结构,所述球阵列结构沿着所述第一半导体芯片的周边布设在所述第一基板的所述上表面上,并且电连接到所述接地图案;和屏蔽结构,所述屏蔽结构布设在所述第一半导体芯片的所述上表面上,并且与所述球阵列结构的所述上表面接触。所述球阵列结构具有闭环形状,并且包括焊料球部分和连接相邻的所述焊料球部分的连接部分。所述焊料球部分的最大宽度大于所述连接部分在与所述连接部分的延伸方向垂直的方向上的宽度。
  • 半导体封装及其制造方法
  • [发明专利]制造半导体封装的方法-CN201710513118.8有效
  • 金知晃;沈钟辅;韩相旭;赵汊济;张根豪 - 三星电子株式会社
  • 2017-06-29 - 2021-06-15 - H01L25/065
  • 本发明公开了一种制造半导体封装的方法,该方法包括:形成至少两个部分封装芯片叠层,每个部分封装芯片叠层包括每个包含多个基板通孔(TSV)的至少两个半导体芯片,并包括围绕所述至少两个半导体芯片的侧表面的第一模制层;以及在垂直于封装基板的顶表面的方向上在封装基板上顺序地安装所述至少两个部分封装芯片叠层,使得所述至少两个部分封装芯片叠层包括第一部分封装芯片叠层和直接连接到第一部分封装芯片叠层的第二部分封装芯片叠层。
  • 制造半导体封装方法

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