[发明专利]多层叠板、半导体封装及半导体封装的制造方法

权利要求书

1.一种多层叠板，具有再分布层，所述再分布层通过倒装芯片绑定将芯片安装在所述多层叠板上，所述多层叠板包括：

上绝缘层；

下导体层，所述下导体层位于所述上绝缘层的下方，并且包括多个第一下导体部；

上导体层，所述上导体层位于所述下导体层与所述上绝缘层之间并且包括多个第一上导体部以及多个第二上导体部；以及

下绝缘层，所述下绝缘层位于所述下导体层与所述上导体层之间，

其中，所述多个第一上导体部中的每一个包括从所述上绝缘层的孔暴露的第一焊盘，

其中，所述多个第二上导体部中的每一个包括从所述上绝缘层的孔暴露的第二焊盘，

其中，所述第一焊盘的至少一部分在所述下绝缘层的孔内与所述第一下导体部直接接触，

其中，所述第二焊盘位于所述下绝缘层的任意孔的外侧，并且

其中，所述第二焊盘的顶表面高于所述第一焊盘的顶表面。

2.根据权利要求1所述的多层叠板，

其中，所述下导体层包括多个第二下导体部，并且

其中，所述下绝缘层的一部分介于所述第二焊盘与所述第二下导体部之间。

3.根据权利要求2所述的多层叠板，其中，所述第二焊盘的面积大于所述第一焊盘的面积。

4.根据权利要求2所述的多层叠板，其中，所述第二焊盘位于所述第一焊盘和所述第二焊盘的阵列的外端上。

5.根据权利要求2所述的多层叠板，其中，所述多个第二上导体部中的每一个在从所述第二焊盘延伸的部分被所述上绝缘层覆盖，并且从所述第二焊盘延伸的所述部分在所述下绝缘层的孔内与所述第二下导体部接触。

6.根据权利要求1所述的多层叠板，其中，所述第一焊盘所位于的所述下绝缘层的所述孔的宽度大于或等于所述第一焊盘的厚度的两倍。

7.一种半导体封装，包括：

半导体芯片；

根据权利要求1所述的多层叠板；以及

焊料凸块，所述焊料凸块将所述半导体芯片的一侧与所述第一焊盘和所述第二焊盘绑定。

8.一种半导体封装的制造方法，包括：

制造包括多个第一焊盘和多个第二焊盘的多层叠板；

制备包括多个第一焊料凸块和多个第二焊料凸块的芯片；

在所述多个第二焊料凸块与所述多个第二焊盘接触的状态下将所述多个第二焊料凸块回流焊接；

在将所述多个第二焊料凸块回流焊接之后，在所述多个第一焊料凸块与所述多个第一焊盘接触的状态下将所述多个第一焊料凸块回流焊接；

将所述多个第一焊料凸块与所述多个第一焊盘绑定；以及

将所述多个第二焊料凸块与所述多个第二焊盘绑定，

其中，制造所述多层叠板包括：

形成下导体层；

在所述下导体层的上方形成下绝缘层；

在所述下绝缘层的上方形成上导体层；以及

在所述上导体层的上方形成上绝缘层，

其中，所述下导体层包括多个第一下导体部，

其中，所述上导体层包括多个第一上导体部和多个第二上导体部，

其中，所述多个第一上导体部中的每一个包括从所述上绝缘层的孔暴露的第一焊盘，

其中，所述多个第二上导体部中的每一个包括从所述上绝缘层的孔暴露的第二焊盘，

其中，所述第一焊盘的至少一部分在所述下绝缘层的孔内与所述第一下导体部直接接触，

其中，所述第二焊盘位于所述下绝缘层的任意孔的外侧，并且

其中，所述第二焊盘的顶表面高于所述第一焊盘的顶表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一焊盘的顶表面与所述第二焊盘的顶表面之间的高度差ΔH与所述多个第一焊料凸块中的每一个的高度G满足以下关系：

0＜ΔH≤0.3G。