[发明专利]一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一导电类型衬底（101）上生长第一导电类型外延层（102）；

对第一导电类型衬底（101）和第一导电类型外延层（102）掺杂元素，所述第一导电类型衬底（101）的掺杂浓度高于所述第一导电类型外延层（102）的掺杂浓度；

在第一导电类型宽禁带衬底（101）上的第一导电类型外延层（102）上通过离子注入或外延形成第二导电类型体区（103）；

在第二导电类型体区（103）上通过离子注入形成第二导电类型重掺杂区（104）；

通过掩膜在所述第二导电类型重掺杂区(104)上的中间区域刻蚀出第一沟槽结构（106）；

在第二导电类型体区（103）深入到第一导电类型外延层（102）内刻蚀出第二沟槽结构（107），所述第二沟槽结构（107）的宽度小于所述第一沟槽结构（106）的宽度且两沟槽构成T型沟槽分裂栅结构；

在所述第二沟槽结构内对所述第一导电类型外延层（102）进行离子注入，形成第二导电类型屏蔽区（108）；

在第二导电类型重掺杂区（104）深入第二导电类型体区（103）通过离子注入形成第一导电类型重掺杂区（105）且第一导电类型重掺杂区（105）的深度大于第一沟槽结构（106）的深度；

在所述第一沟槽结构（106）和所述第二沟槽结构（107）内表面形成二氧化硅（109）；

在形成所述二氧化硅（109）后，淀积多晶硅，形成多晶硅栅（110）；

掩蔽刻蚀多晶硅栅（110）至多晶硅层的底部，并淀积二氧化硅（109）。

2.根据权利要求1所述的一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽结构（106）和所述第二沟槽结构（107）内表面形成二氧化硅（109）之后还包括以下步骤：

在多晶硅栅（110）上生长二氧化硅（109）；

对器件进行欧姆接触工艺或金属化工艺；

对器件表面进行钝化处理。

3.一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：

第一导电类型衬底（101），在所述第一导电类型衬底（101）生长第一导电类型外延层（102），在所述第一导电类型外延层（102）通过离子注入或外延形成第二导电类型体区（103）；

所述第二导电类型体区（103）通过离子注入形成第二导电类型重掺杂区（104）；

通过掩膜在所述第二导电类型重掺杂区(104)上的中间区域刻蚀出第一沟槽结构（106）；

所述第二导电类型体区（103）深入到第一导电类型外延层（102）内刻蚀出第二沟槽结构（107），所述第二沟槽结构（107）的宽度小于所述第一沟槽结构（106）的宽度且两沟槽构成T型沟槽分裂栅结构；

所述第二沟槽结构内对所述第一导电类型外延层（102）进行离子注入，形成第二导电类型屏蔽区（108）；

所述第二导电类型重掺杂区（104）深入第二导电类型体区（103）通过离子注入形成第一导电类型重掺杂区（105）且第一导电类型重掺杂区（105）的深度大于第一沟槽结构（106）的深度，所述第一导电类型重掺杂区（105）的长度小于所述第二导电类型重掺杂区（104）的长度；

所述第一沟槽结构（106）和所述第二沟槽结构（107）内表面形成二氧化硅（109）；

所述二氧化硅（109）上淀积多晶硅，形成多晶硅栅（110）；

掩蔽刻蚀多晶硅栅（110）至多晶硅层的底部，并淀积二氧化硅（109）。

4.根据权利要求3所述的一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述多晶硅栅（110）上生长二氧化硅（109）。