[发明专利]半导体模块

说明书

本发明提供一种半导体模块。在半导体模块中，期望防止应力集中。半导体模块具备：半导体芯片，其具有半导体基板以及设置于半导体基板的上方的金属电极；保护膜，其设置于金属电极的上方；镀覆层，其在金属电极的上方，至少一部分设置于与保护膜相同的高度的位置；焊料层，其设置于镀覆层的上方；以及引线框架，其设置于焊料层的上方，镀覆层设置于不与保护膜接触的范围。

技术领域

本发明涉及一种半导体模块。

背景技术

以往以来，已知搭载有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等半导体芯片的半导体模块。在这样的半导体模块中，引线框架等布线部件与半导体芯片经由作为接合材料的焊料而接合(例如，参照专利文献1-3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-245182号公报

专利文献2：国际公开第2019-244492号

专利文献3：日本特开2019-186510号公报

发明内容

技术问题

在半导体模块中，期望防止应力集中。

技术方案

为了解决上述课题，在本发明的一个方式中，提供一种半导体模块。半导体模块可以具备半导体芯片。半导体芯片可以具有半导体基板以及设置于半导体基板的上方的金属电极。半导体模块可以具备保护膜。保护膜可以设置于金属电极的上方。半导体模块可以具备镀覆层。镀覆层可以在金属电极的上方，其至少一部分设置于与保护膜相同的高度的位置。半导体模块可以具备焊料层。焊料层可以设置于镀覆层的上方。半导体模块可以具备引线框架。引线框架可以设置于焊料层的上方。镀覆层可以设置于不与保护膜接触的范围。

焊料层可以设置于不与保护膜接触的范围。焊料层的至少一部分可以设置于与保护膜相同的高度的位置。保护膜可以在高度方向上设置于比引线框架低的位置。

半导体芯片可以具备温度感测二极管。温度感测二极管可以设置于半导体基板的上方。半导体芯片可以具备感测布线。感测布线可以与温度感测二极管连接。保护膜可以覆盖温度感测二极管和感测布线。覆盖温度感测二极管或感测布线的保护膜可以与焊料层和镀覆层分离。

引线框架可以包括与半导体芯片连接的芯片连接部。芯片连接部可以在俯视时不与温度感测二极管和感测布线重叠。

芯片连接部可以在保护膜的上方覆盖保护膜。半导体模块可以在芯片连接部与保护膜之间具有空间。半导体模块可以在保护膜的上方，在焊料层与保护膜之间具有空间。芯片连接部可以具有向焊料层侧突起的多个突起部。

半导体芯片可以具有金属栅极流道。金属栅极流道可以设置于半导体基板的上方。覆盖金属栅极流道的保护膜可以与焊料层和镀覆层分离。

半导体模块可以在镀覆层与保护膜之间填充有弹性模量比保护膜的弹性模量小的填充材料。半导体模块可以在镀覆层与保护膜之间填充有填充材料，该填充材料与镀覆层或焊料层之间的线性膨胀系数的差异比保护膜与镀覆层或焊料层之间的线性膨胀系数的差异小。可以在镀覆层与保护膜之间填充有填充材料，该填充材料与金属电极之间的紧贴性比保护膜与金属电极之间的紧贴性高。

半导体模块可以具备封装树脂。封装树脂可以将半导体芯片和引线框架封装。填充材料可以是与封装树脂不同的材料。

可以在镀覆层与保护膜之间设置有焊料层。焊料层可以将与焊料层接触的镀覆层的角部覆盖。

应予说明，上述发明内容并没有列举本发明的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够另外成为发明。

附图说明