[发明专利]半导体装置、接面电路及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一第一半导体晶粒；

一第二半导体晶粒，包括接合至该第一半导体晶粒的一侧表面，使得该第二半导体晶粒垂直于该第一半导体晶粒；及

一接面电路，用于将该第一半导体晶粒连接至该第二半导体晶粒。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体晶粒包括一第一界面表面，该第一界面表面包括一第一触点，

其中该第二半导体晶粒包括一第二界面表面，该第二界面表面形成于该侧表面中且包括一第二触点，及

其中该接面电路包括一金属层，该金属层将该第一触点连接至该第二触点。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

一接合层，用于将该第二半导体晶粒接合至该第一半导体晶粒，该接面电路形成于该接合层中。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该接面电路包括一接合重分布层电路，该接合重分布层电路形成于该接合层中。

5.一种接面电路，其特征在于，包括：

一接合沟槽，包括一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，以及一第一末端及与该第一末端相对的一第二末端；

一接合衬垫，形成于该接合沟槽的该第一表面上及该接合沟槽的该第一末端处，其中该接合衬垫配置以电性耦合该接面电路与一第二晶粒；及

一接合通孔，形成于该接合沟槽的该第二表面上及该接合沟槽的该第二末端处，其中该接合通孔配置以电性耦合该接面电路与一第一晶粒。

6.根据权利要求5所述的接面电路，其特征在于，该接合沟槽在一第一方向上纵向延伸，且该接合沟槽在该第一方向上的一长度大于该接合衬垫在该第一方向上的一长度。

7.根据权利要求6所述的接面电路，其特征在于，该接合沟槽在该第一方向上的该长度大于该接合通孔在该第一方向上的一长度。

8.根据权利要求6所述的接面电路，其特征在于，该接合沟槽在垂直于该第一方向的一第二方向上的一宽度小于该接合衬垫在该第二方向上的一宽度。

9.根据权利要求8所述的接面电路，其特征在于，该接合沟槽在该第二方向的该宽度大于该接合通孔在该第二方向上的一宽度。

10.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

形成一第一半导体晶粒；

形成一第二半导体晶粒且在该第二半导体晶粒的一侧表面上形成一接合层；

在该接合层中形成一接面电路；及

将该接合层接合至该第一半导体晶粒使得该第二半导体晶粒垂直于该第一半导体晶粒，且该接面电路将该第一半导体晶粒连接至该第二半导体晶粒。