[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本公开提出一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板，基板包含一半导体材料。半导体装置包括晶体管的导电通道，晶体管的导电通道设置在基板上方。导电通道及基板包含类似的半导体材料。半导体装置包括从导电通道的一端延伸出来的源极/漏极区。半导体装置包括介电结构。源极/漏极区电性耦接至导电通道，并通过介电结构与基板电性隔离。

技术领域

本公开实施例涉及半导体装置，尤其涉及非平面场效晶体管及其制造方法。

背景技术

由于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，积集密度的改善是从反复减少最小部件尺寸而来，这使更多组件得以整合至给定的区域中。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置，包括基板；半导体鳍片，位于基板上且沿轴线横向延伸；第一源极/漏极区，从半导体鳍片的第一末端沿轴线延伸；第二源极/漏极区，从半导体鳍片的第二末端沿轴线延伸；第一介电结构；以及第二介电结构，其中第一源极/漏极区及第二源极/漏极区分别通过第一及第二介电结构从基板的表面垂直抬升。

本发明实施例提供一种半导体装置，包括：基板，包括半导体材料；晶体管的导电通道，设置于基板上方，其中导电通道及基板包含类似的半导体材料；源极/漏极区，从导电材料的末端延伸；以及介电结构；其中源极/漏极区电性耦接至导电通道，并且通过介电结构与基板电性隔离。

本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成半导体鳍片于基板上，其中半导体鳍片凸出于多个隔离区的顶表面，这些隔离区设置在半导体鳍片的下部的各侧上；形成虚设栅极结构，虚设栅极结构跨骑半导体鳍片的中央部分；移除半导体鳍片的至少末端部分，以形成沟槽并暴露半导体鳍片的末端，其中沟槽从顶表面凹入；形成介电结构，介电结构具有嵌入于沟槽中的下部及凸出于顶表面的上部；成长源极/漏极区于介电结构上，其中源极/漏极区从半导体鳍片的末端延伸；以及以有源栅极结构取代虚设栅极结构。

附图说明

由以下的详细叙述配合所附附图，可最好地理解本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，可任意地放大或缩小各种元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1是根据本公开的一些实施例，示出非平面晶体管的示例性制造方法的流程图。

图2A、图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A及图11A是根据本公开的一些实施例，示出在不同的制造阶段，通过图1的方法制造的示例性半导体装置的透视图。

图2B、图3B、图4B、图5B、图6B、图7B、图8B、图9B、图10B及图11B是根据本公开的一些实施例，分别示出图2A、图3A、图4A、图5A、图6A、图7A、图8A、图9A、图10A及图11A的相应剖面图。

图12是根据本公开的一些实施例，示出另一示例性鳍式场效晶体管的透视图。

附图标记如下：

200:半导体装置

202:基板

204:衬层

206:掩模层

208:感光层

210:开口

212:鳍片

212A:鳍片

213:沟槽

217:表面

400:隔离区

401:顶表面

500:虚设栅极结构