[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一基板；

一半导体鳍片，位于该基板上且沿一轴线横向延伸；

一第一源极/漏极区，从该半导体鳍片的一第一末端沿该轴线延伸；

一第二源极/漏极区，从该半导体鳍片的一第二末端沿该轴线延伸；

一第一介电结构；以及

一第二介电结构，

其中该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区分别通过该第一及第二介电结构从该基板的一表面垂直抬升。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该表面从多个隔离区的一顶表面凹入，多个所述隔离区设置在该半导体鳍片的一下部的各侧上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区通过该第一及第二介电结构与该基板电性隔离。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

一栅极部件，跨骑该半导体鳍片的一中央部分；

一间隔物的一第一部分，跨骑在靠近该中央部分的该半导体鳍片的一第一部分，其设置于该栅极部件的一第一侧壁与该第一源极/漏极区之间；以及

该间隔物的一第二部分，跨骑在靠近该中央部分的该半导体鳍片的一第二部分，其设置于该栅极部件的一第二侧壁与该第二源极/漏极区之间。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区的底表面通过该第一及第二介电结构，分别从该间隔物的该第一部分及该间隔物的该第二部分的一底表面垂直延伸。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一及第二介电结构具有一高度，该高度从该基板的该表面延伸至该第一源极/漏极区以及该第二源极/漏极区的一底表面，其范围为1纳米至100纳米。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该半导体鳍片的该第一末端与抬升该第一源极/漏极区的该第一介电结构的一内侧壁垂直对齐，以及该半导体鳍片的该第二末端与抬升该第二源极/漏极区的该第二介电结构的一内侧壁垂直对齐。

8.一种半导体装置，包括：

一基板，包括一半导体材料；

一晶体管的一导电通道，设置于该基板上方，其中该导电通道及该基板包含一类似的半导体材料；

一源极/漏极区，从该导电材料的一末端延伸；以及

一介电结构；

其中该源极/漏极区电性耦接至该导电通道，并且通过该介电结构与该基板电性隔离。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该源极/漏极区的一底表面通过该介电结构垂直抬升至多个隔离区的一顶表面上方，多个所述隔离区设置在该导电通道的一下部的各侧上。

10.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一半导体鳍片于一基板上，其中该半导体鳍片凸出于多个隔离区的一顶表面，多个所述隔离区设置在该半导体鳍片的一下部的各侧上；

形成一虚设栅极结构，该虚设栅极结构跨骑该半导体鳍片的一中央部分；

移除该半导体鳍片的至少一末端部分，以形成一沟槽并暴露该半导体鳍片的一末端，其中该沟槽从该顶表面凹入；

形成一介电结构，该介电结构具有嵌入于该沟槽中的一下部及凸出于该顶表面的一上部；

成长一源极/漏极区于该介电结构上，其中该源极/漏极区从该半导体鳍片的该末端延伸；以及

以一有源栅极结构取代该虚设栅极结构。