[发明专利]半导体器件封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件封装的制造方法，包括：

在载体衬底上形成重布线结构；

使用第一导电连接件将第一内连线结构的第一侧耦合到所述重布线结构的第一侧，其中所述第一内连线结构包括芯体衬底，其中所述第一内连线结构在所述第一内连线结构的与所述第一内连线结构的所述第一侧相对的第二侧上包括第二导电连接件；

使用所述第二导电连接件将第一半导体器件耦合到所述第一内连线结构的所述第二侧；

移除所述载体衬底；以及

使用第三导电连接件将第二半导体器件耦合到所述重布线结构的第二侧，其中所述重布线结构的所述第二侧与所述重布线结构的所述第一侧相对。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装的制造方法，其中所述将所述第一内连线结构的所述第一侧耦合到所述重布线结构的所述第一侧使得在所述第一内连线结构与所述重布线结构之间形成第一间隙。

3.根据权利要求2所述的半导体器件封装的制造方法，还包括：沉积底部填充材料以填充所述第一内连线结构与所述重布线结构之间的所述第一间隙。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装的制造方法，还包括：

在所述重布线结构的所述第二侧上形成第四导电连接件；以及

使用所述第四导电连接件将第三半导体器件耦合到所述重布线结构的所述第二侧。

5.根据权利要求4所述的半导体器件封装的制造方法，其中所述第一导电连接件及所述第四导电连接件包括球栅阵列连接件且所述第二导电连接件及所述第三导电连接件包括受控塌陷芯片连接凸块。

6.根据权利要求5所述的半导体器件封装的制造方法，其中所述第二导电连接件的第二节距小于所述第一导电连接件的第一节距及所述第四导电连接件的第三节距。

7.一种半导体器件封装的制造方法，包括：

在载体衬底上形成重布线结构，其中所述重布线结构的最底层包括第一接垫及第二接垫，其中所述第一接垫具有与所述第二接垫不同的节距；

在所述重布线结构之上安装第一内连线结构，其中所述第一内连线结构经由所述第一内连线结构的第一侧上的第一导电连接件电耦合到所述重布线结构，其中所述第一内连线结构包括芯体衬底，其中所述第一内连线结构在所述第一内连线结构的与所述第一内连线结构的所述第一侧相对的第二侧上包括第二导电连接件及结合接垫；

经由所述第二导电连接件将第一半导体器件电耦合到所述第一内连线结构；以及

经由第三导电连接件将第二半导体器件电耦合到所述重布线结构的所述第一接垫，所述第一半导体器件位于所述第一内连线结构的与所述第二半导体器件相对的侧上。

8.一种半导体器件封装，包括：

重布线结构；

第一内连线结构，电连接到所述重布线结构的第一侧，其中所述第一内连线结构包括芯体衬底；

底部填充材料，位于所述第一内连线结构与所述重布线结构之间；

第一半导体封装，结合到所述重布线结构的第二侧；以及

第二半导体封装，结合到所述第一内连线结构，所述第二半导体封装位于所述第一内连线结构的与所述第一半导体封装相对的侧上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件封装，其中所述底部填充材料还在实体上接触所述第一内连线结构的侧壁。

10.根据权利要求8所述的半导体器件封装，还包括第三半导体封装，所述第三半导体封装通过第一导电连接件结合到所述重布线结构的所述第二侧。

11.根据权利要求10所述的半导体器件封装，其中所述第一半导体封装通过第二导电连接件结合到所述重布线结构的所述第二侧，且所述第二半导体封装通过第三导电连接件结合到所述第一内连线结构，其中所述第一导电连接件的第一节距不同于所述第二导电连接件及所述第三导电连接件的第二节距。

12.根据权利要求8所述的半导体器件封装，还包括通过第四导电连接件耦合到所述第一内连线结构的印刷电路板，其中所述第四导电连接件的第一高度大于所述第二半导体封装的第二高度。