[实用新型]一种改善塑封气洞的半导体封装结构

说明书

本实用新型公开一种改善塑封气洞的半导体封装结构，属于半导体封装技术领域。该半导体封装结构包括：引线框架，其包括基岛以及管脚；管脚包括基部，以及与基部连接的焊接部，焊接部的顶面高于基部的顶面；焊接部远离基部的一端的部位为第一焊接段；半导体元件，其固定于基岛；电连接件，其一端与正面电极连接，另一端与焊接部的顶面连接；封装体，其包覆引线框架以及半导体元件；第一焊接段的底面至封装体的底面的间距为a，封装体的厚度为b；a/b≥0.25，或a/b＝0。该半导体封装结构，通过调整管脚背离电连接件一侧的模流通道的大小，改善管脚旁侧的模流状态，避免由于模流不均产生反包气洞，提高塑封质量，提升封装可靠度，提高封装良品率。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种改善塑封气洞的半导体封装结构。

背景技术

半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用；半导体封装结构，是将半导体元件(集成电路元件)固定到相应的载体上，在半导体元件与载体完成必要的电性连接后，为了避免内部电路受到环境中的液、尘、气体的污染，在半导体元件以及载体上包覆一层保护用的封装材料体以形成半导体封装结构。

在一些半导体封装结构中(如PDFN、DFN封装结构)，引线框架的内管脚需要往上打一个折弯，以提供足够的焊接区域，满足产品的外观需求。

对于内管脚具有折弯特征的封装结构，内管脚的折弯高度有限，在注塑封装材料时，容易出现内管脚两侧模流不均衡的情况。尤其是对于作业了铝箔、铜桥等金属导电片以将半导体元件与引线框架内管脚进行电连的封装结构而言，对产品进行封装时，由于金属导电片的阻挡，内管脚背离金属导电片的一侧更容易由于模流不均衡出现反包气洞的问题，气洞会降低封装产品的可靠性，造成封装产品的良品率的损失。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于：提供一种改善塑封气洞的半导体封装结构，其通过调节管脚背侧的模流通道的尺寸，避免反包气洞的出现，提高封装可靠度。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种改善塑封气洞的半导体封装结构，包括：

引线框架，其包括基岛以及管脚；所述管脚包括基部，以及与所述基部连接的焊接部，所述焊接部的顶面高于所述基部的顶面；所述焊接部远离所述基部的一端的部位为第一焊接段；

半导体元件，其固定于所述基岛；所述半导体元件背离所述基岛的一侧设有正面电极；

电连接件，其一端与所述正面电极连接，另一端与所述焊接部的顶面连接；

封装体，其包覆所述引线框架以及所述半导体元件；所述第一焊接段的底面至所述封装体的底面的间距定义为a，所述封装体的厚度定义为b；a与b的比值大于等于0.25，a与b的比值为0。

作为优选，一种改善塑封气洞的半导体封装结构，其特征在于，包括：

引线框架，其包括基岛以及管脚；所述管脚包括基部，以及与所述基部连接的焊接部，所述焊接部的顶面高于所述基部的顶面；所述焊接部远离所述基部的一端的部位为第一焊接段；

半导体元件，其固定于所述基岛；所述半导体元件背离所述基岛的一侧设有正面电极；

电连接件，其一端与所述正面电极连接，另一端与所述焊接部的顶面连接；

封装体，其包覆所述引线框架以及所述半导体元件；所述第一焊接段的底面至所述封装体的底面的间距定义为a，所述封装体的厚度定义为b；a与b的比值大于等于0.25，a与b的比值为0。

作为优选，a与b的比值小于等于0.5。

作为优选，所述焊接部还包括第二焊接段，所述第一焊接段通过所述第二焊接段与所述基部连接；