[实用新型]双层塑封的3D扇出型封装结构有效
| 申请号： | 202120383235.9 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN215069986U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L25/065;H01L23/498;H01L23/485;H01L23/482;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层 塑封 扇出型 封装 结构 | ||
1.一种双层塑封的3D扇出型封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
第一半导体芯片；
第一塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面，所述第一塑封材料层塑封于所述第一半导体芯片的外围；
金属连接柱，位于所述第一塑封材料层内，且上下贯通所述第一塑封材料层；
第一重新布线层，位于所述第一塑封材料层的第一表面上，且与所述第一半导体芯片及所述金属连接柱电连接；
第二重新布线层，位于所述第一塑封材料的第二表面上，与所述金属连接柱电连接，以通过所述金属连接柱实现所述第一重新布线层与所述第二重新布线层电连接，所述第一半导体芯片与所述第二重新布线层粘合；
第二半导体芯片，位于所述第二重新布线层远离所述第一半导体芯片的表面上，且与所述第二重新布线层电连接；
焊球凸块，位于所述第一重新布线层远离所述第一半导体芯片的表面上，且与所述第一重新布线层电连接；
第二塑封材料层，塑封于所述第二半导体芯片的外围及所述第二半导体芯片与所述第二重新布线层之间。
2.根据权利要求1所述的双层塑封的3D扇出型封装结构，其特征在于：所述第一半导体芯片为裸芯片或封装芯片，所述第二半导体芯片为裸芯片或封装芯片。
3.根据权利要求2所述的双层塑封的3D扇出型封装结构，其特征在于：所述裸芯片包括接触焊盘，所述裸芯片上形成有介质层，该介质层中形成有贯穿所述介质层的金属柱，该金属柱的一端与该接触焊盘连接，另一端与所述第一重新布线层或所述第二重新布线层连接；所述封装芯片包括接触焊盘，所述封装芯片上形成有焊料连接结构，该焊料连接结构包括金属柱与焊球，该金属柱的一端与该接触焊盘连接，另一端与该焊球连接，该焊球再与所述第一重新布线层或第二重新布线层连接。
4.根据权利要求1所述的双层塑封的3D扇出型封装结构，其特征在于，所述第一重新布线层及所述第二重新布线层包括：布线介质层及位于所述布线介质层内的金属布线层；所述布线介质层的材料为环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃或含氟玻璃；所述金属布线层的材料为铜、铝、镍、金、银或钛。
5.根据权利要求1所述的双层塑封的3D扇出型封装结构，其特征在于：所述第一塑封材料层为聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合；所述第二塑封材料层为聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的双层塑封的3D扇出型封装结构，其特征在于：所述焊球凸块的材料为铜、铝、镍、金、银或钛。
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