[发明专利]半导体封装结构在审
申请号: | 202111566304.0 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114446913A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 洪齐元;王贻源 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L25/18 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 朱磊;浦彩华 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
中介层;
半导体芯片层,位于所述中介层上,所述半导体芯片层包括至少两个半导体芯片,所述两个半导体芯片在平行于所述中介层表面的方向上并排放置;
混合键合结构,位于所述半导体芯片层和所述中介层之间,且连接所述半导体芯片层和所述中介层;所述混合键合结构用于在所述半导体芯片层与所述中介层之间传输信号。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述半导体芯片包括:
第一半导体芯片和第二半导体芯片;
所述中介层中包括:第一连接电路;所述第一连接电路用于通过所述混合键合结构连接所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一半导体芯片包括:片上系统芯片;所述第二半导体芯片包括:片上存储器。
4.如权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,所述片上存储器,包括以下至少之一:
高带宽存储器、静态随机存取存储器、动态随机存取存储器、磁性随机存储器和快闪存储器。
5.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述混合键合结构包括:
第一混合键合结构,用于连接所述第一半导体芯片和所述中介层;
第二混合键合结构,用于连接所述第二半导体芯片和所述中介层;
所述第一混合键合结构与所述第二混合键合结构通过所述中介层中的第一连接电路连接。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一半导体芯片,包括:第一物理层接口,用于与所述第一混合键合结构连接;
所述第二半导体芯片,包括:第二物理层接口,用于与所述第二混合键合结构连接。
7.如权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:
封装基板,位于所述中介层远离所述半导体芯片层的一侧;
凸块连接结构,位于所述封装基板与所述中介层之间,用于连接所述中介层与所述封装基板。
8.如权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,所述中介层中还包括:贯穿所述中介层的第二连接电路;所述第二连接电路用于连接凸块连接结构和所述混合键合结构。
9.如权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,所述中介层内还包括有源器件;所述有源器件,用于控制所述第一连接电路和/或所述第二连接电路。
10.如权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括:
电路板,位于所述封装基板远离所述中介层的一侧,用于承载所述封装基板;
封装焊球,位于所述电路板与所述封装基板之间,用于连接所述电路板与所述封装基板。
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