[发明专利]电子封装件及其制法在审
| 申请号： | 202111507890.1 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN116207053A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李泳达 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 封装 及其 制法 | ||
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：
包覆层；
电子结构，其嵌埋于该包覆层中且具有多个导电体；
多个导电柱，其嵌埋于该包覆层中；以及
保护层，其嵌埋于该包覆层中并包覆该多个导电体及该多个导电柱，且令该多个导电体的部分表面及该多个导电柱的部分表面外露出该保护层及该包覆层。
2.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该包覆层的一表面齐平该保护层的一表面、该导电柱的端部的表面与该导电体的端面。
3.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该多个导电柱相邻的间距小于150微米。
4.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，形成该保护层的材料为绝缘材。
5.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层包覆该导电柱的端部而未包覆该导电柱的全部。
6.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层包覆该导电柱的长度大于该保护层包覆该导电体的长度。
7.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层的硬度大于该导电体的硬度。
8.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层的硬度大于该导电柱的硬度。
9.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该保护层的硬度大于400Mpa。
10.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层与该保护层上且电性连接该多个导电柱与该多个导电体的线路结构。
11.如权利要求10所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括配置于该线路结构上且电性连接该线路结构的电子元件。
12.如权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层上的布线结构，且令该布线结构电性连接该多个导电柱与该电子结构。
13.如权利要求12所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该布线结构上且电性连接该布线结构的多个导电元件。
14.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：
于一承载件上配置多个导电柱及一具有多个导电体的电子结构；
将保护层形成于该电子结构及该多个导电柱上，以令该保护层包覆该多个导电体及该多个导电柱；
于该承载件上形成一包覆层，以使该包覆层包覆该电子结构、该保护层与该多个导电柱，且令该多个导电体的端面及该多个导电柱的端部的表面外露出该保护层及该包覆层；以及
移除该承载件。
15.如权利要求14所述的电子封装件的制法，其特征在于，该制法还包括整平制程，使该包覆层的一表面齐平该保护层的一表面、该导电柱的端部的表面与该导电体的端面。
16.如权利要求15所述的电子封装件的制法，其特征在于，该整平制程经由研磨方式，移除该保护层的部分材料与该包覆层的部分材料。
17.如权利要求16所述的电子封装件的制法，其特征在于，该保护层包覆该导电柱的端部的长度大于研磨深度。
18.如权利要求14所述的电子封装件的制法，其特征在于，该多个导电柱相邻的间距小于150微米。
19.如权利要求14所述的电子封装件的制法，其特征在于，形成该保护层的材料为绝缘材。
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