[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，包括：

基板，所述基板具有接地层，其中，所述接地层的边缘为不连续边，所述接地层的边缘处设置有至少两个互不接触的贯穿孔，且相邻两贯穿孔之间设置有所述接地层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述接地层为铜金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述接地层具有相对的第一表面和第二表面，以及所述基板还包括：

核心层，设置于所述第一表面；

第一阻焊层，设置于所述第二表面，且部分所述第一阻焊层填入各所述贯穿孔内；

线路层，设置于所述核心层远离所述接地层的表面；

第二阻焊层，设置于所述线路层远离所述核心层的表面。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：

至少一个元件，设置于所述第二阻焊层远离所述线路层的表面。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：

模封层，设置于所述第二阻焊层远离所述线路层的表面，且包覆各所述元件。

6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：

屏蔽层，设置于所述模封层上且包覆所述模封层的上表面和侧表面以及所述第二阻焊层、所述线路层、所述核心层和所述接地层的侧表面，且所述屏蔽层接触所述接地层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，第一长度与第二长度的比值为所述接地层的热膨胀系数除以所述第一阻焊层的热膨胀系数所得到的比值，所述第一长度为所述接地层的边缘中对应所述第一阻焊层填充入各所述贯穿孔的累计长度，所述第二长度为所述接地层的边缘处未设置所述贯穿孔的累计长度。

8.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其中，各所述贯穿孔为半圆形，所述半圆形贯穿孔的直径所在的底边与所述接地层外边缘重合，且任两相邻贯穿孔之间距离相等。

9.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其中，各所述贯穿孔为矩形，所述矩形贯穿孔的一条边与所述接地层外边缘重合，且任两相邻贯穿孔之间距离相等。

10.一种半导体封装装置，包括：

基板，所述基板包括接地层，所述接地层的边缘处设置有至少两个互不接触的贯穿孔，且相邻两贯穿孔之间设置有所述接地层；

至少一个元件，设置于所述基板上；

模封层，设置于所述基板上且包覆所述至少一个元件；

屏蔽层，包覆所述模封层，所述屏蔽层接触所述接地层。

11.一种制造半导体封装装置的方法，包括：

提供基板和至少一个元件，所述基板包括接地层，所述接地层的边缘处设置有至少两个互不接触的贯穿孔，且相邻两贯穿孔之间设置有所述接地层；

将所述至少一个元件设置于所述基板上；

模封以形成包覆所述至少一个元件的模封层；

切割以形成半导体封装装置单元；

在所述半导体封装装置单元外面溅镀以形成包覆所述模封层的屏蔽层，且所述屏蔽层接触所述接地层。