[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

内连线结构，设置在所述衬底的前侧上，其中所述内连线结构包括嵌入于多个内连线介电层内的多个内连线导电结构，

其中所述衬底包括沟槽，所述沟槽完全延伸穿过所述衬底以暴露出所述内连线导电结构中的复数个所述内连线导电结构；

接合垫结构，设置在所述衬底的背侧上并且延伸穿过所述衬底的所述沟槽以接触所述复数个所述内连线导电结构；以及

接合结构，设置在所述衬底的所述背侧上且电性接触所述接合垫结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括：

第一绝缘层，直接设置在所述衬底与所述接合垫结构之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述接合垫结构包括：

背侧水平部分，设置在所述衬底的所述背侧上；

竖直部分，设置在所述衬底的内侧壁上；以及

前侧水平部分，设置在所述内连线导电结构中的所述复数个所述内连线导电结构上方。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中当所述衬底的所述背侧面朝上时，所述接合垫结构的所述前侧水平部分的最底部表面设置在所述衬底的所述前侧下方。

5.一种半导体装置，包括：

衬底；

内连线结构，设置在所述衬底的前侧上且包括嵌入于内连线介电结构内的多个内连线导电结构；

接合结构，设置在所述衬底的背侧上；以及

接合垫结构，设置在所述衬底的所述背侧上并且完全延伸穿过所述衬底以接触所述内连线导电结构，其中所述接合垫结构包括：

背侧水平部分，设置在所述衬底的所述背侧上及所述接合结构正下方；

竖直部分，设置在所述衬底的内侧壁上；以及

前侧水平部分，设置在所述内连线导电结构上方。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述衬底包括沟槽，所述沟槽完全延伸穿过所述衬底，所述沟槽由所述衬底的所述内侧壁界定，并且所述内连线导电结构设置在所述沟槽正下方。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述接合垫结构更包括：

下部突起部分，从所述接合垫结构的所述前侧水平部分延伸且穿过所述内连线介电结构的一或多个内连线介电层，其中每个所述下部突起部分在横向方向上彼此间隔开，并且每个所述下部突起部分直接上覆于所述内连线导电结构中的至少一个。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中设置在每个所述下部突起部分正上方的所述接合垫结构的所述前侧水平部分的上表面的部分为大体上不平坦的。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底的前侧上方形成内连线结构，所述内连线结构包括嵌入于多个内连线介电层中的多个内连线导电结构；

翻转所述衬底以图案化所述衬底的背侧；

去除所述衬底的部分，以在所述衬底中形成沟槽，所述沟槽完全延伸穿过所述衬底以暴露出所述内连线结构，其中所述内连线导电结构中的复数个所述内连线导电结构直接下伏于所述沟槽；

去除所述内连线介电层的部分，以暴露出所述复数个所述内连线导电结构中；以及

形成接合垫结构，所述接合垫结构从所述衬底的所述背侧延伸穿过所述衬底的所述沟槽至所述衬底的所述前侧，以接触所述复数个所述内连线导电结构。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中在去除所述内连线介电层的所述部分期间，完全地去除设置在所述沟槽与所述复数个所述内连线导电结构之间的所述内连线介电层的部分。