[发明专利]半导体封装

说明书

一种半导体封装，包括：半导体芯片，具有在第一方向上交替布置的第一接触焊盘和第二接触焊盘；绝缘膜，具有分别限定第一接触焊盘的第一焊盘区的第一开口、以及分别限定所述第二接触焊盘的第二焊盘区的第二开口；第一导电盖层和第二导电盖层，分别在所述第一焊盘区和所述第二焊盘区上；以及绝缘层，在所述绝缘膜上，并且具有分别连接到所述第一导电盖层和所述第二导电盖层的第一接触孔和第二接触孔。所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中的每一个包括：具有第一宽度的结合区和具有大于所述第一宽度的第二宽度的探测区，并且所述第二焊盘区中的每一个在与多个第一焊盘区中的每一个相反的方向上布置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年9月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0112245的优先权利益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装。

背景技术

随着对半导体装置的高性能、高速和/或多功能化的需求增加，半导体装置的集成度也增加。在制造对应于高集成度的半导体装置的趋势的半导体芯片时，接触焊盘可以被实现为具有精细的宽度或精细的间距。

当在安装了半导体芯片的半导体封装中组装这样的接触焊盘时，可以将其电连接到设置在半导体封装中的外部端子。在组装成半导体封装以前，可以使用探针对接触焊盘施加电信号以测试其是否正常操作。

发明内容

本发明构思的一个方面是提供一种改善由于热冲击而降低可靠性的问题的半导体封装。

根据本发明构思的一个方面，一种半导体封装，包括：半导体芯片，具有多个第一接触焊盘和多个第二接触焊盘在第一方向上交替地布置的有源表面；绝缘膜，在所述半导体芯片的所述有源表面上，并且具有分别限定所述多个第一接触焊盘的第一焊盘区的多个第一开口和分别限定所述多个第二接触焊盘的第二焊盘区的多个第二开口；多个第一导电盖层和多个第二导电盖层，分别在所述第一焊盘区和所述第二焊盘区上，均具有在所述绝缘膜上延伸的延伸部；绝缘层，在所述绝缘膜上，并且具有分别连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层的多个第一接触孔和多个第二接触孔；以及重分布层，在所述绝缘层上，并且分别通过所述多个第一接触孔和所述多个第二接触孔连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层，其中，所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中的每一个包括，具有第一宽度的结合区和具有大于所述第一宽度的第二宽度的探测区，并且所述第一焊盘区中的每一个在与所述第一方向相交的第二方向上以所述结合区和所述探测区的顺序布置，并且所述第二焊盘区中的每一个在与所述第二方向相反的方向上以所述结合区和所述探测区的顺序布置。

根据本发明构思的一个方面，一种半导体封装，包括：半导体芯片，具有有源表面；以及重分布结构，在所述半导体芯片的所述有源表面上，其中，所述半导体芯片包括：在所述有源表面上在第一方向上交替地布置的多个第一接触焊盘和多个第二接触焊盘；绝缘膜，在所述半导体芯片的所述有源表面上，并且具有分别限定所述多个第一接触焊盘的第一焊盘区的多个第一开口和分别限定所述多个第二接触焊盘的第二焊盘区的多个第二开口；以及，多个第一导电盖层和多个第二导电盖层，分别在所述第一焊盘区和所述第二焊盘区上，所述第一导电盖层和所述第二导电盖层中的每一个具有在所述绝缘膜上延伸的延伸部，其中，所述重分布结构包括，所述绝缘膜上的绝缘层和所述绝缘层上的重分布层，其中，所述绝缘层包括，分别连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层的多个第一接触孔和多个第二接触孔，其中，所述重分布层分别通过所述多个第一接触孔和所述多个第二接触孔连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层，其中，所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中的每一个包括，具有第一宽度的结合区和具有大于所述第一宽度的第二宽度的探测区，其中，所述第一焊盘区中的每一个在与所述第一方向相交的第二方向上以所述结合区和所述探测区的顺序布置，并且其中，所述第二焊盘区中的每一个在与所述第二方向相对的方向以所述结合区和所述探测区的顺序布置。