[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

半导体芯片，包括多个第一接触焊盘和多个第二接触焊盘在第一方向上交替地布置的有源表面；

绝缘膜，在所述半导体芯片的所述有源表面上，并且包括分别限定所述多个第一接触焊盘的第一焊盘区的多个第一开口和分别限定所述多个第二接触焊盘的第二焊盘区的多个第二开口；

多个第一导电盖层和多个第二导电盖层，分别在所述第一焊盘区和所述第二焊盘区上，所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层中的每一个包括在所述绝缘膜上延伸的延伸部；

绝缘层，在所述绝缘膜上，并且包括分别连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层的多个第一接触孔和多个第二接触孔；以及

重分布层，在所述绝缘层上，并且分别通过所述多个第一接触孔和所述多个第二接触孔连接到所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层，

其中，所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中的每一个包括具有第一宽度的结合区和具有大于所述第一宽度的第二宽度的探测区，并且

其中，所述第一焊盘区中的每一个在与所述第一方向相交的第二方向上以所述结合区和所述探测区的顺序布置，并且

其中，所述第二焊盘区中的每一个在与所述第二方向相反的方向上以所述结合区和所述探测区的顺序布置。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个第一接触焊盘和所述多个第二接触焊盘中的每一个在平面图中包括相同的方形形状。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述多个第一接触焊盘和所述多个第二接触焊盘中的每一个包括在所述第二方向上延伸的矩形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一焊盘区和所述第二焊盘区被布置为使两个相邻的第一焊盘区和第二焊盘区的所述结合区和所述探测区在所述第一方向上彼此面对。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个第一接触焊盘和所述多个第二接触焊盘中的每一个在所述探测区中包括凹陷的探测痕迹。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个第一接触孔和所述多个第二接触孔中的每一个与所述第一焊盘区或所述第二焊盘区中的一个的所述结合区重叠。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层中的每一个包括具有大于所述第一宽度的第三宽度的第一区和具有大于所述第三宽度的第四宽度的第二区，

其中，所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层中的每一个被布置为，使第一导电盖层的第一区邻近第二导电盖层的第二区以及该第一导电盖层的第二区邻近该第二导电盖层的第一区。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层中的相邻的第一导电盖层和第二导电盖层的第二区包括在所述第二方向上彼此重叠的部分。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述延伸部具有：所述多个第一导电盖层和所述多个第二导电盖层中的每一个的沿所述第一方向的两侧上的第一延伸部和第二延伸部，并且

其中，所述第一延伸部的宽度与所述第二延伸部的宽度不同。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：绝缘保护膜，在所述半导体芯片的所述有源表面和所述绝缘膜之间。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：所述重分布层上的附加绝缘层、以及通过所述附加绝缘层连接到所述重分布层的附加重分布层。