[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的介质层；

所述介质层中设有刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的第一金属层，所述第一金属层至少包裹所述刻蚀停止层的侧壁；

所述衬底背离所述介质层的一侧设有通孔，所述通孔中填充有导电体，所述导电体贯穿所述通孔的底部与所述第一金属层电导通。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层具有包裹所述刻蚀停止层的周向侧壁的第一延伸部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层还包括第二延伸部，所述第二延伸部位于所述刻蚀停止层的背离所述通孔的一侧，所述第一延伸部连接于所述第二延伸部的侧方边缘。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸部覆盖所述刻蚀停止层。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔包括开孔和阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述开孔的周向侧壁，且所述阻挡层设置在所述导电体和所述开孔的周向侧壁之间。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层中沿竖直方向还嵌设有至少一层第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层之间电导通。

7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供前端器件，所述前端器件包括衬底和位于所述衬底上的介质层，所述介质层中嵌设有刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的第一金属层，所述第一金属层至少包裹所述刻蚀停止层的侧壁；

在所述衬底背离所述介质层的一侧形成通孔；

在所述通孔中形成导电体，所述导电体贯穿所述通孔的底部并与所述第一金属层电导通。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，提供前端器件，所述前端器件包括衬底和位于所述衬底上的介质层，所述介质层中嵌设有刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的第一金属层，所述第一金属层至少包裹所述刻蚀停止层的侧壁，具体步骤包括：

提供衬底；

在衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成凹槽；

在所述介质层以及所述凹槽中形成初始刻蚀停止层，所述初始刻蚀停止层的厚度小于或等于所述凹槽的深度；

在所述凹槽对应的部分所述初始刻蚀停止层上形成第一掩膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜，去除所述介质层上以及所述凹槽内的部分所述初始刻蚀停止层，保留所述第一掩膜层所覆盖的所述初始刻蚀停止层，形成刻蚀停止层；

在所述凹槽和所述刻蚀停止层上形成所述第一金属层。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述衬底背离所述介质层的一侧形成通孔；具体包括：

在所述衬底背离所述介质层的一侧形成第二掩膜层；

以第二掩膜层为掩膜，去除所述衬底和部分所述介质层，形成开孔以暴露所述刻蚀停止层；

形成至少覆盖所述开孔的侧壁的阻挡层，所述开孔以及覆盖在所述开孔上的所述阻挡层形成所述通孔。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述通孔中形成导电体，所述导电体贯穿所述通孔的底部并与所述第一金属层电导通，具体包括：

去除所述开孔所对应的所述刻蚀停止层，以形成暴露所述第一金属层的通孔；

在暴露所述第一金属层的所述通孔中形成导电体，以使所述导电体与所述第一金属层连接。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为非导电材料形成。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为氮化硅层。