[发明专利]封装件及制造方法

说明书

在实施例中，中介层具有：第一侧；第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至中介层的第一侧，第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至中介层的第一侧，第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，第一导电连接件具有第二高度，第二导电连接件具有第三高度，第三高度不同于第二高度；第一伪导电连接件，位于中介层的第一侧和第一管芯封装件之间；底部填充物，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件下方；以及密封剂，设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件周围。本申请的实施例涉及封装件及制造方法。

技术领域

本申请的实施例涉及封装件及制造方法。

背景技术

由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度的不断提高，半导体工业经历了快速发展。对于大部分而言，这种集成密度的改进来自于最小部件尺寸的连续减小，这使得更多的组件集成到给定的区域。随着对缩小电子器件的需求的增长，已经出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的示例是堆叠封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部，以提供高水平的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产功能增强且占用区域小的半导体器件。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种封装件，包括：中介层，具有第一侧；第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至所述中介层的第一侧，所述第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至所述中介层的第一侧，所述第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，所述第一导电连接件具有第二高度，所述第二导电连接件具有第三高度，所述第三高度不同于所述第二高度；第一伪导电连接件，位于所述中介层的第一侧和所述第一管芯封装件之间；底部填充物，设置在所述第一集成电路器件和所述第一管芯封装件下方；以及密封剂，设置在所述第一集成电路器件和所述第一管芯封装件周围。

本申请的另一些实施例提供了一种制造封装件的方法，包括：在中介层的第一侧上形成第一再分布结构，所述第一再分布结构包括位于介电层中的金属线和通孔，所述第一再分布结构包括位于所述第一再分布结构的第一表面上的有源焊盘和伪焊盘，所述有源焊盘电耦接至所述金属线和通孔，所述伪焊盘与所述金属线与通孔电隔离；在所述有源焊盘上形成有源连接件；在所述伪焊盘上形成伪连接件；将第一集成电路器件附接至所述有源连接件的第一子集；将第二集成电路器件附接至所述有源连接件的第二子集，所述伪连接件位于所述中介层和所述第二集成电路器件之间；在所述中介层的第一侧上形成底部填充物，所述底部填充物具有位于所述第一集成电路器件下方的第一部分和位于所述第二集成电路器件下方的第二部分；以及用密封剂密封所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件。

本申请的又一些实施例提供了一种制造封装件的方法，包括：通过第一组连接件将第一集成电路器件附接至中介层的第一侧，所述第一组连接件具有同一高度；通过第二组连接件将管芯封装件附接至所述中介层的第一侧，所述第二组连接件具有多个高度，第一组伪连接件位于所述中介层和所述管芯封装件之间，所述第一组伪连接件与所述管芯封装件和所述第一集成电路器件电隔离；在所述第一集成电路器件和所述管芯封装件下方，在所述中介层的第一侧上形成底部填充物；以及用密封剂密封所述第一集成电路器件和所述管芯封装件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1示出根据一些实施例的集成电路管芯的截面图。

图2至图6示出根据一些实施例的在用于形成管芯封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图7至图12B和图19至图26是根据一些实施例的在用于形成半导体器件的工艺期间的中间步骤的截面图和俯视图。