[发明专利]封装件及制造方法

权利要求书

1.一种封装件，包括：

中介层，具有第一侧；

第一集成电路器件，通过第一组导电连接件附接至所述中介层的第一侧，所述第一组导电连接件中的每个均具有第一高度；

第一管芯封装件，通过第二组导电连接件附接至所述中介层的第一侧，所述第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件，所述第一导电连接件具有第二高度，所述第二导电连接件具有第三高度，所述第三高度不同于所述第二高度；

第一伪导电连接件，位于所述中介层的第一侧和所述第一管芯封装件之间；

底部填充物，设置在所述第一集成电路器件和所述第一管芯封装件下方；以及

密封剂，设置在所述第一集成电路器件和所述第一管芯封装件周围。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一管芯封装件包括：

第一管芯，通过金属-金属接合和电介质-电介质接合连接至第二管芯；

第一介电材料，位于所述第一管芯和所述第二管芯上方，其中，所述第一介电材料围绕所述第一管芯；以及

第一贯通孔，延伸穿过所述第一介电材料，其中，所述第一贯通孔连接至所述第一管芯。

3.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述第一管芯封装件还包括延伸穿过所述第一介电材料的第二贯通孔，其中，所述第二贯通孔连接至所述第二管芯。

4.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述第一管芯封装件还包括延伸穿过所述第一介电材料的第三贯通孔，其中，所述第三贯通孔连接至所述第二管芯。

5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述中介层的第一侧上的第一管芯封装件的占用区域包括第一区、第二区和第三区，所述第一导电连接件和所述第一伪导电连接件位于所述第一区中，所述第二导电连接件位于所述第二区中，所述第二高度小于所述第三高度。

6.根据权利要求5所述的封装件，其中，所述第二区围绕所述第一区。

7.根据权利要求5所述的封装件，其中，所述第一区围绕所述第二区。

8.根据权利要求5所述的封装件，其中，所述第二区包括第二伪导电连接件，并且所述第三区没有伪导电连接件。

9.一种制造封装件的方法，包括：

在中介层的第一侧上形成第一再分布结构，所述第一再分布结构包括位于介电层中的金属线和通孔，所述第一再分布结构包括位于所述第一再分布结构的第一表面上的有源焊盘和伪焊盘，所述有源焊盘电耦接至所述金属线和通孔，所述伪焊盘与所述金属线与通孔电隔离；

在所述有源焊盘上形成有源连接件；

在所述伪焊盘上形成伪连接件；

将第一集成电路器件附接至所述有源连接件的第一子集；

将第二集成电路器件附接至所述有源连接件的第二子集，所述伪连接件位于所述中介层和所述第二集成电路器件之间；

在所述中介层的第一侧上形成底部填充物，所述底部填充物具有位于所述第一集成电路器件下方的第一部分和位于所述第二集成电路器件下方的第二部分；以及

用密封剂密封所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件。

10.一种制造封装件的方法，包括：

通过第一组连接件将第一集成电路器件附接至中介层的第一侧，所述第一组连接件具有同一高度；

通过第二组连接件将管芯封装件附接至所述中介层的第一侧，所述第二组连接件具有多个高度，第一组伪连接件位于所述中介层和所述管芯封装件之间，所述第一组伪连接件与所述管芯封装件和所述第一集成电路器件电隔离；

在所述第一集成电路器件和所述管芯封装件下方，在所述中介层的第一侧上形成底部填充物；以及

用密封剂密封所述第一集成电路器件和所述管芯封装件。